2SK3234 シリコン N チャネル MOS FET 高速度電力スイッチング ADJ-208-696F (Z) 第7版 2002.01 特長 • 低オン抵抗：RDS(on) =0.65Ω typ. • ドレイン遮断電流が低い：IDSS=1µA max (at VDS=500V) • スイッチング速度が速い：tf=25ns typ (at VGS=10V, VDD=250V, ID=4A) • 入力ダイナミック容量(Qg)が低い：Qg=25nC typ (VDD=400V, VGS=10V, ID=8A) • アバランシェ保証 外観図 TO-220CFM D G 1 2 S 3 1. ࠥ࠻ 2. ࠼ࠗࡦ 3. ࠰ࠬ 2SK3234 絶対最大定格 項目 記号 VDSS ドレイン · ソース電圧 VGSS ゲート · ソース電圧 ID ドレイン電流 ID (pulse) 注 1 せん頭ドレイン電流 IDR 逆ドレイン電流 IDR (pulse) 注 1 せん頭逆ドレイン電流 IAP 注 3 アバランシェ電流 Pch 注 2 許容チャネル損失 チャネル・ケース間熱抵抗 θch-c Tch チャネル温度 Tstg 保存温度 注） 1. PW≦10µs, duty cycle≦1%での許容値 定格値 500 ±30 8 32 8 32 8 35 3.57 150 –55∼+150 (Ta=25℃) 単位 V V A A A A A W ℃/W ℃ ℃ 2. Tc = 25℃における許容値 3. Tch≦150℃ 電気的特性 (Ta=25℃) 項目 ドレイン · ソース破壊電圧 ドレイン遮断電流 ゲート遮断電流 ゲート · ソース遮断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン · ソースオン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターン · オン遅延時間 上昇時間 ターン · オフ遅延時間 下降時間 ゲートチャージ量 ゲート・ソースチャージ量 ゲート・ドレインチャージ量 ダイオード順電圧 逆回復時間 逆回復電荷量 注） 4. パルス測定 2 記号 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) |yfs| RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VDF trr Qrr Min 500 — — 3.0 4.0 — — — — — — — — — — — — — — Typ ― ― ― ― 7.0 0.65 970 110 18 25 21 80 25 25 4 11 0.9 360 1.7 Max — 1 ±0.1 4.0 — 0.85 ― ― ― ― — ― — — — — 1.35 — — 単位 V µA µA V S Ω pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC V ns µC 測定条件 ID = 10mA, VGS = 0 VDS = 500V, VGS = 0 VGS = ±30V, VDS = 0 VDS = 10V, ID = 1mA ID = 4A, VDS = 10V 注 4 ID = 4A, VGS= 10V 注 4 VDS = 25V VGS = 0 f = 1MHz VDD = 250V, ID= 4A VGS = 10V RL = 62.5Ω Rg=10 Ω VDD = 400V VGS = 10V ID = 8A IF = 8A, VGS = 0 IF = 8A, VGS = 0 diF/dt=100A/µs 2SK3234 主特性 ⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬߩ ࠤ᷷ࠬᐲߦࠃࠆᄌൻ I D (A) 30 20 10 10 µs 30 PW 10 DC 3 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ Pch (W) ⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬ ోേ㗔ၞ 100 40 m ion 0.3 ߎߩ▸࿐ߩേߪ 0.1 R DS(on) ߩ୯ߦࠃߞߡ 㒢ߐࠇ߹ߔ 0µ s s (1 sh at ot (T c= 25 °C ) ) Ta = 25°C 0.01 50 100 ࠤ᷷ࠬᐲ 200 1 ࠰ࠬធജ㕒․ᕈ 10 V 6V 10 ࡄ࡞᷹ࠬቯ 6 5V 4 2 4.5 V 30 3 10 100 300 1000 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 V DS (V) ࠰ࠬធવ㆐㕒․ᕈ V DS = 10 V ࡄ࡞᷹ࠬቯ 5.5 V I D (A) 8 150 Tc (°C) ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ 10 I D (A) 10 1m s er 1 = 0.03 0 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ Op 10 8 6 Tc = 75°C 4 25°C 2 -25°C VGS = 4V 0 10 20 30 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 40 50 V DS (V) 0 2 4 6 8 ࠥ࠻࠰ࠬ㔚 VGS (V) 10 3 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㘻㔚ኻ ࠥ࠻࠰ࠬ㔚․ᕈ 20 ࡄ࡞᷹ࠬቯ 16 12 8 ID=8A 5A 4 2A 0 6 2 4 ࠥ࠻࠰ࠬ㔚 8 10 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ R DS(on) (Ω) ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㘻㔚 V DS(on) (V) 2SK3234 5 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ ࡄ࡞᷹ࠬቯ VGS = 10 V, 15 V 2 1 0.5 0.2 0.1 0.1 0.2 V GS (V) 50 50 5 ࡄ࡞᷹ࠬቯ 4 㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬ |yfs| (S) ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ RDS(on) (Ω) 5 10 20 I D (A) 㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬኻ ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ ࠤ᷷ࠬᐲ․ᕈ 4 0.5 1 2 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ V GS = 10 V 3 2 ID=8A 1 5A 2A 0 -40 0 40 ࠤ᷷ࠬᐲ 80 Tc 120 (°C) 160 20 Tc = -25°C 10 5 75°C 25°C 2 1 0.5 V DS = 10 V ࡄ࡞᷹ࠬቯ 0.2 0.1 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ I D (A) 50 2SK3234 ࠰ࠬ࠼ࠗࡦ㑆 ࠳ࠗࠝ࠼ㅒᣇะ࿁ᓳᤨ㑆 ኈ㊂ኻ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚․ᕈ 1000 5000 500 2000 VGS = 0 f = 1 MHz Ciss ኈޓ㊂ C (pF) ㅒ࿁ᓳᤨ㑆 trr (ns) 1000 200 100 50 10 0.1 10 30 I DR (A) V DD = 100 V 250 V 400 V 8 VDS 4 V DD = 400 V 250 V 100 V 10 20 30 ࠥ࠻࠴ࡖࠫ㔚⩄㊂ 40 0 50 Qg (nC) ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆 t (ns) 12 V GS (V) VGS ࠥ࠻࠰ࠬ㔚 V DS (V) ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 I D= 8 A 50 100 150 200 250 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 V DS (V) ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣ․ᕈ 1000 20 600 0 Crss 0 100 16 200 Coss 50 5 0.3 1 3 ㅒ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ 800 400 100 10 ജ࠳ࠗ࠽ࡒ࠶ࠢ․ᕈ 1000 200 20 di / dt = 100 A / µs V GS = 0, Ta = 25°C 20 500 500 V GS = 10 V, V DD = 250 V PW = 10 µs, duty < 1 % R G =10 Ω 200 t d(off) 100 50 tf t d(on) 20 tr 10 0.1 0.3 1 3 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ 10 30 I D (A) 100 5 2SK3234 ࠥ࠻࠰ࠬㆤᢿ㔚ኻ ࠤ᷷ࠬᐲ․ᕈ ㅒ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ I DR (A) 10 8 5, 10 V 6 V GS = 0 V 4 2 ࡄ࡞᷹ࠬቯ 0 0.4 0.8 1.2 ࠰ࠬ࠼ࠗࡦ㔚 2.0 1.6 ࠥ࠻࠰ࠬㆤᢿ㔚ޓVGS(off) (V) ㅒ࠼ࠗࡦ㔚ᵹኻ ࠰ࠬ࠼ࠗࡦ㔚․ᕈ 5 V DS = 10 V 4 I D = 10mA 1mA 3 0.1mA 2 1 0 -50 0 50 100 ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆᷹ቯ࿁〝 200 ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᵄᒻ Vout Monitor Vin Monitor 150 ࠤ᷷ࠬᐲޓTc (°C) V SD (V) 90% D.U.T. RL Vin 10Ω Vin 10 V V DD = 250 V Vout 10% 10% 90% td(on) 6 tr 10% 90% td(off) tf 2SK3234 ⷙᩰൻㆊᷰᾲᛶ᛫․ᕈ 3 Tc = 25°C 1 D=1 0.5 ㆊᷰᾲᛶ᛫ޓγs (t) 0.3 0.2 0.1 0.1 0.05 0.03 0.02 0.01 θ ch - c(t) = γs (t) • θ ch - c θ ch - c = 3.57°C/W, Tc = 25°C 0.01 lse u tp 0.003 PDM D= ho 1s PW T PW T 0.001 10 µ 100 µ 1m 10 m 100 m 1 10 ࡄ࡞ࠬޓPW (S) 7 2SK3234 外形寸法図 As of July, 2001 Unit: mm 2.54 2.54 15.0 ± 0.3 4.5 ± 0.3 2.7 ± 0.2 2.5 ± 0.2 13.60 ± 1.0 0.6 ± 0.1 4.1 ± 0.3 1.0 ± 0.2 1.15 ± 0.2 φ 3.2 ± 0.2 12.0 ± 0.3 10.0 ± 0.3 0.7 ± 0.1 Hitachi Code JEDEC JEITA Mass (reference value) 8 TO-220CFM — — 1.9 g 2SK3234 ご注意 1. 本書に記載の製品及び技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に基づき安全保障貿易管理関連貨物・技 術に該当するものを輸出する場合，または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。 2. 本書に記載された情報の使用に際して，弊社もしくは第三者の特許権，著作権，商標権，その他の知的 所有権等の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。また本書に記載された情 報を使用した事により第三者の知的所有権等の権利に関わる問題が生じた場合，弊社はその責を負いま せんので予めご了承ください。 3. 製品及び製品仕様は予告無く変更する場合がありますので，最終的な設計，ご購入，ご使用に際しまし ては，事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。 4. 弊社は品質・信頼性の向上に努めておりますが，宇宙，航空，原子力，燃焼制御，運輸，交通，各種安 全装置， ライフサポート関連の医療機器等のように，特別な品質・信頼性が要求され，その故障や誤 動作が直接人命を脅かしたり，人体に危害を及ぼす恐れのある用途にご使用をお考えのお客様は，事前 に弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。 5. 設計に際しては，特に最大定格，動作電源電圧範囲，放熱特性，実装条件及びその他諸条件につきまし ては，弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。 保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては，弊社はその責を負いません。 また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率，故障モードをご考慮 の上，弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故，火災事故，その他の拡大損害を生じないように フェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。 6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。 7. 本書の一部または全部を弊社の文書による承認なしに転載または複製することを堅くお断り致しま す。 8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ，ご相談は弊社営業担当迄お願い致します。 お問い合わせ先 ඨዉࠣ࡞ࡊ ޥ100-0004᧲੩ㇺජઍ↰ᄢᚻ↸ੑৼ⋡6⇟2ภ㧔ᣣᧄࡆ࡞㧕 (ᄢઍ) ᴧ ᵤ ༡ ᬺ ᚲ ർ ᶏ ᡰ ␠ (011) 261-3131 (ઍ) ㊄ ᴛ ᡰ ᐫ ᧲ ർ ᡰ ␠ (022) 223-0121 (ઍ) ਛ ㇱ ᡰ ␠ 㑐 ᧲ ᡰ ␠ (03) 3212-1111 (ઍ) 㑐 ᡰ ␠ ᣂ ẟ ᡰ ᐫ (025) 241-8161 (ઍ) ਛ ࿖ ᡰ ␠ ⨙ ၔ ᡰ ᐫ (029) 271-9411 (ઍ) ྾ ࿖ ᡰ ␠ ඨዉ㩂㩨㩣㨺㩖㩩᧻ᧄ༡ᬺᚲ (0263) 36-6632 ᗲ ᇫ ᡰ ᐫ ᮮ ᵿ ᡰ ␠ (045) 451-5000 (ઍ) Ꮊ ᡰ ␠ ⋵ ᄩ ᡰ ᐫ (0462) 96-6800 (ઍ) عᛛⴚ⊛ߥ߅วߖ߅ࠃ߮⾗ᢱߩߏ⺧᳞ߪޔ⸥ߩᜂᒰ༡ᬺ߹ߚߪਅ⸥߳ߤ߁ߙޕ ᧲ޓޥ੩ㇺජઍ↰ᄢᚻ↸ੑৼ⋡⇟ภ ᣣᧄࡆ࡞ ᩣᑼળ␠ᣣ┙ᚲޓඨዉࠣ࡞ࡊࡆࠫࡀࠬડ↹ᧄㇱޓ ✚ววߖ⓹ญޓޓޓ㧦ඨዉࠞࠬ࠲ࡑࠨࡆࠬࡦ࠲ޓE-Mail:[email protected] ࠼ࠠࡘࡔࡦ࠻⺧᳞⓹ญ㧦ඨዉ࠼ࠠࡘࡔࡦ࠻▤ℂቶޓޓޓE-Mail:[email protected] (0559) 51-3530 (ઍ) ࠳ࠗࡗ࡞) (076)263-2351 (ޓ ࠗࡦ (052) 243-3111 (ᄢઍ) (06) 6616-1111 (ᄢઍ) (082) 223-4111 (ઍ) (087) 831-2111 (ઍ) (089) 943-1333 (ઍ) (092) 852-1111 (ઍ) 㔚(03) 5201-5220(⋥) 㔚(03) 5201-5189(⋥)ޓ Copyright © Hitachi, Ltd., 2002. 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