ETC RT1A3906

RT1A3906-T12
汎用トランジスタ
シリコン PNP エピタキシァル形
概 要
外形図
単位:mm
RT1A3906は、ワンチップトランジスタです。
2.5
0.5
0.5
1.5
特 長
2.9
用 途
0.4
1
1.90
0.95
●小形外形のためセットの小形化、高密度実装が可能
0.95
汎用トランジスタ
3
2
定
格
値
単位
-40
V
VCBO
コレクタ・ベース間電圧
-40
V
VEBO
エミッタ・ベース間電圧
-5.0
V
コ
-200
mA
Ic
レ
ク
タ
電
流
0.16
目
コレクタ・エミッタ間電圧
0~ 0.1
項
VCEO
0.8
記 号
1.1
最大定格(Ta=25℃)
電極接続
①:ベース
②:エミッタ
③:コレクタ
JEITA:SC-59
JEDEC : TO-236 類似
温度特性
記 号
項
目
PD
コ
レ
ク
RθJA
接
合
部
PD
コ
レ
ク
RθJA
接
合
部
Tj
接
Tstg
保
タ
周
タ
周
合
損
失
囲
損
(
間
失
囲
注
熱
(
1
抵
注
間
熱
部
2
抵
温
存
温
定
格
値
等価回路
単位
)
225
1.8
mW
mW/℃
抗
556
)
300
2.4
mW
mW/℃
抗
417
℃/mW
度
+150
℃
度
-55~+150
℃
C
℃/mW
B
E
電気的特性(Ta=25℃)
記 号
項
目
測
定
条
件
規
最小
格
標準
値
最大
単位
V(BR)CEO
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 降 伏 電 圧 ( 注 3 )
Ic=-1.0mA,IB=0
-40
V
V(BR)CBO
コ レ ク タ ・ ベ ー ス 降 伏 電 圧
Ic=-10μA,IE=0
-40
V
V(BR)EBO
-5
エ ミ ッ タ ・ ベ ー ス 降 伏 電 圧
Ic=-10μA,IC=0
IBL
ベ
流
VCE=-30V,VEB=-3.0V
-50
nA
ICEX
コ
流
VCE=-30V,VEB=-3.0V
-50
nA
ー
レ
ス
ク
注 1.ガラス-エポキシ基板
遮
タ
断
遮
断
電
電
(25.4×19.1×0.8mm)実装時
注 2.セラミック基板(10.2×7.6×0.8mm)実装時
注 3.パルステスト
V
RT1A3906-T12
汎用トランジスタ
シリコン PNP エピタキシァル形
電気的特性(Ta=25℃)
記 号
hFE
項
直
目
流
電
流
増
幅
測
率
V CE (sat)
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 飽 和 電 圧
V BE (sat)
ベ ー ス ・ エ ミ ッ タ 飽 和 電 圧
fT
利
Cobo
コ
得
レ
帯
ク
タ
域
出
幅
力
容
定
条
Ic=-0.1mA,VCE=-1.0V
Ic=-1.0mA,VCE=-1.0V
Ic=-10mA,VCE=-1.0V
Ic=-50mA,VCE=-1.0V
Ic=-100mA,VCE=-1.0V
Ic=-10mA,I B=-1.0mA
Ic=-50mA, I B =-5.0mA
Ic=-10mA,I B=-1.0mA
Ic=-50mA, I B =-5.0mA
件
規
最小
60
80
100
60
30
-
-
-0.65
-
格
標準
値
最大
単位
-
-
300
-
-
-0.25
-0.4
-0.85
-0.95
V
V
V
V
積
IC=-10mA,VCE=-20V,f=100MHz
250
-
MHz
量
VCB=-5V,IE=0,fT=1.0MHz
-
5.5
pF
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2002 年 11 月作成