INFINEON T358N

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T358N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische
Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM 1200
1400
1600 V
1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
VDSM
1200
1400
1600 V
1800 V
VRSM
1300
1500
1700 V
1900 V
ElektrischeT Eigenschaften
= -40°C... T
vj
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
vj max
Tvj = +25°C... Tvj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
700 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 69 °C
ITAVM
358 A
450 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
5200 A
4600 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
135 10³ A²s
106 10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
(diT/dt)cr
150 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter F
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 1200 A
Tvj = Tvj max , iT = 200 A
vT
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Durchlaßkennlinie
100 A ≤ iT ≤ 1700 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅
max.
max.
0,85 V
0,9 mΩ
A=
B=
C=
D=
iT
2,07 V
1,10 V
1,042E+00
4,125E-04
-1,077E-01
3,721E-02
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
max.
200 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25 °C, vD = 12V
VGT
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IH
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
IL
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
max.
1200 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs
i D, i R
max.
50 mA
tgd
max.
3 µs
prepared by: H.Sandmann
date of publication:
revision:
approved by: J.Przybilla
A 513 MT3 / 20.01.88, K.-A. Rüther
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2007-09-03
1
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T358N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
= 100 V, v = 0,67 V
ThermischevdvEigenschaften
/dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs
/ 4 letter O
Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften
RM
D
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
DM
tq
typ.
250
µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,068
0,065
0,113
0,110
0,159
0,156
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max.
max.
0,015 °C/W
0,030 °C/W
125 °C
DRM
T
th
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RthCH
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
Steueranschlüsse
control terminals
G
typ.
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
A 513 MT3 / 20.01.88, K.-A. Rüther
kN
A 2,8x0,8
A 2,8x0,8
Gate
Kathode / cathode
Gewicht
weight
4...8
70 g
17 mm
f = 50 Hz
A 10/88
50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T358N
Maßbild
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
1: Anode / Anode
4 5
2: Kathode / Cathode
1
2
4: Gate
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
A 513 MT3 / 20.01.88, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung
/
Diagramme
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
T358N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,00832
0,01510
0,0181
0,02062
0,00286
-
-
τn [s]
0,00083
0,01660
0,0808
0,35900
1,95700
-
-
Rthn [°C/W]
0,00957
0,00543
0,0209
0,01420
0,02710
0,0328
-
τn [s]
0,00104
0,01330
0,0364
0,23000
1,52000
10,500
-
Rthn [°C/W]
0,00980
0,01860
0,0157
0,06170
0,05020
-
-
τn [s]
0,00106
0,02270
0,0994
2,04000
10,2000
-
-
Rthn [°C/W]
Trans. Wärmewid. beidseitig
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,18
c
0,16
Z thJC [°C/W]
0,14
0,12
a
0,10
0,08
b
0,06
0,04
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T358N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Durchlasskennlinie
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,01415
0,02485
0,03437
0,05161
0,09055
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00373
0,00716
0,01262
0,02518
0,06274
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,01479
0,02639
0,03682
0,05518
0,09302
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00442
0,00848
0,01517
0,03000
0,06893
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,01480
0,02647
0,03703
0,05558
0,09361
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00435
0,00844
0,01524
0,03030
0,06959
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
2.000
Tvj = Tvj max
iT [A]
1.500
1.000
500
0
0,8
1
1,2
1,4
1,6
VT [V]
1,8
2
2,2
2,4
2,6
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T358N
900
Durchlassverluste
800
700
0°
θ = 30°
600
PTAV [W]
90°
60°
180°
0
180°
120°
500
400
300
200
100
0
0
50
100
150
200
250
ITAV [A]
300
350
400
450
500
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
0°
180°
0
T C [°C]
100
80
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
180°
20
0
50
100
150
200
250
I TAV [A]
300
350
400
450
500
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T358N
1100
DC
1000
Tc
900
0°
800
0
90°
60°
700
PTAV [W]
180°
120°
180°
θ = 30°
600
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
ITAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
0°
0
180°
T C [°C]
100
80
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
180°
400
I TAV [A]
500
DC
20
0
100
200
300
600
700
800
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T358N
100
Steuerkennlinie
10
d
vG [V]
c
b
Tvj =
+25°C
Tvj =
+125°C
1
Tvj =
-40 °C
a
0,1
10
100
1000
iG [mA]
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40W / 10ms
c - 100W / 0,5ms d – 150W / 0,1ms
Zündverzug
b - 80W / 1ms
Qr [µAs]
10000
iTM = 500A
200A
1000
100A
50A
20A
100
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
A 513 MT3 / 20.01.88, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T358N
5
IT(OV)M [kA]
4
3
0-50V
2
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
A 513 MT3 / 20.01.88, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T358N
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