INFINEON TDB6HK135N16LOF

Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT B6C 135 N 16 1) (ISOPACK)
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM, VRRM
1600
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = - 40°C...Tvj max
VDSM
1600
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = + 25°C...Tvj max
VRSM
1600
V
ITRMSM
100
A
Id
135
173
49
69
119
139
A
A
A
A
A
A
ITSM
1000
870
A
A
I²t
5000
3780
A²s
A²s
120
A/µs
1000
V/µs
1,81
V
0,95
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
TC = 85°C
TC = 67°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (V L = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (V L = 90l/s)
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, t p = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, t p = 10ms
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 V DRM
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
(di/dt)cr
f = 50Hz, iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs
(dv/dt)cr
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max, iT = 150A
vT
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj =Tvj max
rT
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 6V
IGT
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 6V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max, vD = 6V
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max.
4,3
mΩ
max.
150
mA
VGT
max.
2,5
V
IGD
max.
max.
5,0
2,5
mA
mA
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM
VGD
max.
0,2
V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 6V, R A = 5Ω
IH
max.
200
mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6V, R GK ≥ 20Ω
IL
max.
600
mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = Tvj max
iD, iR
max.
10
mA
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM
iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs, t g = 10µs
vD = VDRM, vR = VRRM
1) gilt auch für / also valid for TD B6HK 135 N 16
BIP PPE4
rev. 2
21. Okt 05
A 06/05
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT B6C 135 N 16 (ISOPACK)
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = 50A
tgd
max.
1,2
µs
typ.
190
µs
3,0
3,6
kV
kV
Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs
tq
vRM = 100V, V DM = 0,67 V DRM
dVD/dt = 20V/µs, -di T/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
VISOL
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,098
0,590
0,078
0,470
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RthCK
max. 0,033
max. 0,200
°C/W
°C/W
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
pro Element / per chip
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
125
°C
Tc op
- 40...+125
°C
Tstg
- 40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Al2O3
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz / tolerance ±15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
6
Nm
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
typ.
300
g
12,5
mm
50
m/s²
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
BIP PPE4
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N
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT B6C 135 N 16 (ISOPACK)
N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R thn [° C / W ] 0,18100 0,25100 0,03520
τ n [s]
0,31800 0,03870 0,00109
t

− 
τn 

=
R thn 1 − e


n= 1


nmax
Analytische Funktion:
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Z thJC
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∑
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT B6C 135 N 16 (ISOPACK)
N
B6
0,70
0,60
120° rect
0,50
DC
ZthJC [°C/W]
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
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Netz-Thyristor-Modul
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TT B6C 135 N 16 (ISOPACK)
N
B6
140
130
120
110
100
TC [°C]
90
80
70
60
50
40
30
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Id [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T C = f(Id)
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rev. 2
21. Okt 05
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