INFINEON 65DN06

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
VRRM
Tvj = -40°C... Tvj max
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
600 V
IFRMSM
13300 A
TC = 129 °C
IFAVM
8470 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 10 kA
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Durchlaßkennlinie
4000 A ≤ iF ≤ 40000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
max.
Thermische Eigenschaften
0,98 V
0,7 V
0,027 mΩ
iR
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
53000 10³A²s
45000 10³A²s
A=
B=
C=
D=
iF
Sperrstrom
reverse current
103000 A
95000 A
RthJC
RthCH
2,460E-01
1,982E-05
6,119E-02
-3,675E-04
max.
100 mA
max.
max.
0,0047 °C/W
0,0040 °C/W
max.
0,0025 °C/W
180 °C
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+180 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
Schwingfestigkeit
vibration resistance
prepared by: H.Sandmann
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann
date of publication:
revision:
A 06/11
typ.
155 g
50 m/s²
f = 50 Hz
approved by: M.Leifeld
55...80 kN
2011-02-17
3.0
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06
Maßbild
Maßbild
Hinweis:
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommended to protect the diode with a temperature resistant O-Ring.
1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,000094
0,000922
0,000484
0,002500
-
-
-
τn [s]
0,000407
0,008968
0,028139
0,062133
-
-
-
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,0045
b
0,0040
Z thJC [°C/W]
0,0035
0,0030
0,0025
0,0020
0,0015
0,0010
0,0005
0,0000
0,001
0,01
t [s]
0,1
1
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Diagramme
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00085
0,00128
0,00157
0,00197
0,00275
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00066
0,00086
0,00109
0,00140
0,00206
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
50.000
Tvj = Tvj max
40.000
Durchlasskennlinie
iF [A]
30.000
20.000
10.000
0
0,7
0,8
0,9
1
1,1
1,2
VF [V]
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06
16000
Durchlassverluste
14000
a
12000
10000
PFAV [W]
b
c
d
e
8000
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f
6000
4000
2000
0
0
2000
4000
6000
IFAV [A]
8000
10000
12000
14000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Tc beidseitig
180
160
140
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
T C [°C]
120
100
80
60
40
f
e
c
d
a
b
20
0
2000
4000
6000
I FAV [A]
8000
10000
12000
14000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06
100
90
Qr Diagramm
80
IF(OV)M [kA]
70
60
50
0-50V
40
0,33 VRRM
30
0,67 VRRM
20
10
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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