INFINEON T398N

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T398N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische
Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
VDSM
ElektrischeT Eigenschaften
= -40°C... T
vj
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
vj max
Tvj = +25°C... Tvj max
200
400
600
200
400
600
250
450
650
800
VRSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 63 °C
ITAVM
398 A
510 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
6300 A
5500 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
198 10³ A²s
151 10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(diT/dt)cr
200 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 0,6 A
diG/dt = 0,6 A/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter F
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 1500 A
Tvj = Tvj max , iT = 500A
vT
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
1,00 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
0,40 mΩ
Durchlaßkennlinie
100 A ≤ iT ≤ 1900 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅
ITRMSM
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
max.
max.
A=
B=
C=
D=
iT
1,63 V
1,12 V
8,819E-01
6,172E-05
-8,686E-02
3,321E-02
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
max.
150 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25 °C, vD = 12V
VGT
max.
1,4 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
5 mA
2,5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IH
max.
200 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 0,6 A , diG/dt = 0,6 A/µs
tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
IL
max.
620 mA
i D, i R
max.
30 mA
tgd
max.
3 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 0,6 A
diG/dt = 0,6 A/µs
prepared by: H.Sandmann
date of publication: 2007-09-03
revision:
approved by: J.Przybilla
A 513 E2 / 11.12.81, Bösterling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T398N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
= 100 V, v = 0,67 V
ThermischevdvEigenschaften
/dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs
/ 4 letter O
Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften
RM
D
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
DM
tq
typ.
200
µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,100
0,092
0,180
0,170
0,213
0,205
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max.
max.
0,015 °C/W
0,030 °C/W
140 °C
DRM
T
th
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RthCH
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
Steueranschlüsse
control terminals
Gate
Kathode / cathode
Gewicht
weight
3...6
A 2,8 x 2,8
A 2,8 x 2,8
G
typ.
Kriechstrecke
creepage distance
70 g
17 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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kN
f = 50 Hz
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50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T398N
Maßbild
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
1: Anode / Anode
4 5
2: Kathode / Cathode
1
2
4: Gate
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung
/
Diagramme
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
T398N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,00438
0,00480
0,01037
0,03436
0,03809
-
-
τn [s]
0,00040
0,00135
0,00685
0,05440
0,32500
-
-
Rthn [°C/W]
0,00438
0,00480
0,01073
0,03936
0,11073
-
-
τn [s]
0,00040
0,00135
0,00685
0,05440
1,57000
-
-
Rthn [°C/W]
0,00438
0,00480
0,01073
0,03557
0,14952
-
-
τn [s]
0,00040
0,00135
0,00685
0,05440
1,46200
-
-
Rthn [°C/W]
Trans. Wärmewid. beidseitig
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,25
c
Z thJC [°C/W]
0,20
a
0,15
0,10
b
0,05
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T398N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Durchlasskennlinie
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,01937
0,03342
0,04517
0,06494
0,10863
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00751
0,01251
0,01967
0,03339
0,07044
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,01982
0,03407
0,04595
0,06585
0,10972
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00793
0,01303
0,02033
0,03419
0,07146
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,01963
0,03382
0,04565
0,06552
0,10935
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00774
0,01280
0,02006
0,03387
0,07111
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
2.500
2.000
Tvj = Tvj max
iT [A]
1.500
1.000
500
0
0,8
0,9
1
1,1
1,2
1,3
VT [V]
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T398N
900
Durchlassverluste
800
700
0°
90°
180°
0
600
PTAV [W]
180°
120°
60°
θ = 30°
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
ITAV [A]
400
500
600
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
0°
0
120°
180°
180°
T C [°C]
100
80
60
40
θ = 30°
60°
90°
20
0
100
200
300
I TAV [A]
400
500
600
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T398N
1200
0°
180°
0
180°
800
PTAV [W]
DC
Tc
1000
120°
90°
60°
600
θ = 30°
400
200
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
0°
180°
0
T C [°C]
100
80
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
400
500
I TAV [A]
180°
DC
20
0
100
200
300
600
700
800
900
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T398N
100
Steuerkennlinie
10
vG [V]
b
c
d
Tvj max =
+140°C
Tvj =
-40°C
1
Tvj =
+25°C
a
0,1
1
10
100
iG [mA]
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40W / 10ms
c - 100W / 0,5ms
Zündverzug
b - 80W / 1ms
d – 150W / 0,1ms
Qr [µAs]
10000
iTM = 1000A
1000
500A
200A
100A
50A
20A
10A
100
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T398N
6
5
IT(OV)M [kA]
4
3
0-50V
0,33 VRRM
2
0,67 VRRM
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T398N
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