EUPEC D6001N

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 6001N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
Elektrische Eigenschaften
4500
5000 V
IFRMSM
14580 A
6440 A
9290 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
TC = 60 °C
IFAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 6000 A
vF
typ.
max.
1,15 V
1,3 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
0,63 V
0,674 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ.
max.
0,087 mΩ
0,104 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
500A ≤ iF ≤ 6000A
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ Ln ( i F + 1) + D ⋅
max.
iF
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
prepared by: C. Schneider
approved by: J. Przybilla
BIP AC / SMPB 2003-05-27, Schneider / Keller
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
date of publication:
revision:
iR
118000 A
110000 A
69600 10³ A²s
60500 10³ A²s
A
B
C
D
A
B
C
D
0,3987
-2,96E-06
-0,01368
0,01146
0,4018
-0,0000086
-0,0191
0,01436
max.
400 mA
24.04.2006
2
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 6001N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 1000V, Tvj = Tvj max
= 6µF, R = 4,7Ω
ThermischeCI Eigenschaften
= 1000A, -di /dt = 10 A/µs
V
=
1000V, T = T
MechanischeC =Eigenschaften
6µF, R = 4,7Ω
FM
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
R
Qr
max.
15
IRM
max.
400
mAs
T
vj
vj max
A
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 6µF, R = 4,7Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Qr
typ.
12
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 6µF, R = 4,7Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
IRM
typ.
350
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
mAs
A
max. 0,0048 °C/W
max. 0,0045 °C/W
max. 0,00855 °C/W
max. 0,0095 °C/W
max.
max.
0,0015 °C/W
0,003 °C/W
160 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+160 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+160 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
101DNE50
Anpresskraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
63…91
typ.
2500 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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kN
33 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 6001N
Maßbild
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
D 6001N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [°C/W]
0,00237
0,00108
0,00073
0,00031
0,00001
τn [s]
1,03
0,16
0,03
0,0075
0,00052
Rthn [°C/W]
0,00562
0,00083
0,00124
0,00068
0,00018
τn [s]
5,69
0,59
0,139
0,02
0,0058
Rthn [°C/W]
0,00653
0,00072
0,00129
0,0007
0,00026
τn [s]
6,08
0,81
0,16
0,025
0,0068
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
6
nmax
Σ
n=1
7
Rthn 1 − e
-t
τn
0,01
ai
ci
0,009
0,008
0,006
0,005
bi
0,004
Zth JC [K/W]
0,007
0,003
0,002
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
0
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 6001N
7000
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
6000
5000
max.
typ.
iF [A]
4000
3000
2000
1000
0
0
0,5
1
1,5
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 6001N
30
Tc beidseitig
25
V R = 1000V
max.
20
Qr [mAs]
V R = 100V
typ.
15
10
5
0
0
10
20
30
40
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, C = 6µF, R = 4,7Ω
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 6001N
1000
Ta bei Sinus
900
V R = 1000V
max.
800
700
V R = 100V
typ.
IRM [A]
600
500
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, C = 6µF, R = 4,7Ω
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 6001N
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