SANYO MCH6306

MCH6306
注文コード No. N 7 7 1 6
MCH6306
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流（パルス）
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
条件
定格値
− 30
unit
V
± 20
−4
V
A
− 16
1.5
A
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 30V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VDS= − 10V, ID= − 2A
ID= − 2A, VGS= − 10V
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
条件
min
定格値
typ
max
− 30
unit
−1
V
µA
± 10
− 2.6
µA
V
3.6
53
69
S
mΩ
ID= − 1A, VGS= − 4.5V
ID= − 1A, VGS= − 4V
92
105
129
147
mΩ
mΩ
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
510
115
pF
pF
− 1.2
2.5
VDS= − 10V, f=1MHz
指定回路において
78
11
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
Crss
td(on)
tr
td(off)
指定回路において
指定回路において
20
40
ns
ns
下降時間
tf
指定回路において
32
ns
単体品名表示：JF
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
62504 TS IM ◎川浦 TA-101075 No.7716-1/4
MCH6306
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項目
記号
定格値
条件
min
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A
ダイオード順電圧
VSD
IS= − 4A, VGS=0
typ
11
nC
2.4
1.7
nC
nC
− 0.86
外形図
unit : mm
unit
max
− 1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
2193A
VDD= --15V
0.25
VIN
0.3
5
0.15
ID= --2A
RL=7.5Ω
VOUT
VIN
6
D
1.6
PW=10µs
D.C.≦1%
3 2
0.65
1
0.07
0.25
2.1
4
0V
--10V
6
2.0
5
4
0.85
(Bottom view)
1
2
G
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
P.G
SANYO : MCPH6
ID -- VDS
ID -- VGS
--6
VDS= --10V
V
--4.0
--10.0
V
--8.0
V
--6.0
V
.5V
-3
--5
--1.5
--1.0
--2
0
0
--0.1
--0.2 --0.3
--0.4
--0.5
--0.6 --0.7
--0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
Ta=25°C
250
200
ID= --1A
--2A
150
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--0.5
--14
--16
IT04494
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT04492
RDS(on) -- VGS
300
0
--0.9 --1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
--3
--1
VGS= --2.5V
--0.5
5°C
--25°C
--3.0V
--2.0
--4
Ta=7
--2.5
25°C
--3.0
ドレイン電流, ID -- A
--4.5
ドレイン電流, ID -- A
V
--3.5
MCH6306
S
3
(Top view)
--4.0
50Ω
--4.5
--5.0
IT04493
RDS(on) -- Ta
200
150
--4
S=
A, VG
--1
I D=
100
.0V
.5V
--4
S=
A, VG
--1
I D=
V
A,
I D= --2
--10.0
V GS=
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT04495
No.7716-2/4
MCH6306
1.0
--25
°C
C
°C 5°
75 2
7
5
3
--0.01
7
5
3
2
--0.001
2
0.1
7
7--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT04497
f=1MHz
7
Ciss
100
7
td (off)
5
tf
3
2
tr
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
--0.4
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD= --15V
VGS= --10V
2
--0.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
3
3
2
Coss
100
Crss
td(on)
7
10
7
--0.1
5
2
3
5
7
2
--1.0
3
5
ドレイン電流, ID -- A
7
0
--10
3
2
ドレイン電流, ID -- A
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--10
7
5
0
0
2
4
6
8
10
総ゲート電荷量, Qg -- nC
12
IT04499
PD -- Ta
2.0
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--0.1
7
5
--20
IT04498
＜10µs
10
0
1m µ s
s
10
m
s
10
0
D
m
C
s
op
er
at
io
n
ID= --4A
--1.0
7
5
3
2
--18
ASO
IDP= --16A
3
2
3
2
--1
--4
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VDS= --10V
ID= --4A
--9
--2
IT06907
VGS -- Qg
--10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
5 7 --10
IT04496
ドレイン電流, ID -- A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
--0.01
--0.01 2 3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
5 7 --10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
5
IT06908
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(9
00
m
m2
×
0.8
m
m
)装
着
時
1.5
許容損失, PD -- W
--0.1
7
5
3
2
75°C
25°C
=
Ta
--1.0
7
5
3
2
Ta=
7
5
2
VGS=0
--10
7
5
3
2
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
VDS= --10V
10
3
IF -- VSD
2
--25°C
yfs -- ID
2
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT06909
No.7716-3/4
MCH6306
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PS No.7716-4/4