SANYO 2SK3831

2SK3831
注文コード No. N 8 0 2 8
2SK3831
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
・モータドライブ , DC / DC コンバータ用等。
・アバランシェ保証。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
記号
VDSS
VGSS
ID
IDP
許容損失
PD
条件
定格値
60
± 20
85
340
2.5
unit
V
V
A
A
W
100
150
− 55 ∼+ 150
271
85
W
℃
℃
mJ
A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
Tc=25℃
チャネル温度
Tch
保存周囲温度
Tstg
アバランシェエネルギー(単発)*1 EAS
アバランシェ電流 *2
IAV
*1. VDD=20V、L=50µH、IAV=85A
*2. L ≦ 50µH、1 パルス
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
ID=1mA, VGS=0
VDS=60V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=43A
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
ID=43A, VGS=10V
ID=43A, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
単体品名表示:K3831
条件
min
60
1.2
30
定格値
typ
max
1
± 10
2.6
50
unit
V
µA
µA
V
S
10
13 mΩ
13
18 mΩ
5250
pF
780
pF
525
pF
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
21405QA TS IM ◎川浦 TB-00000311 No.8028-1/4
2SK3831
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項目
記号
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
条件
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
定格値
typ
40
370
355
315
113
19
28
1.18
min
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
VDS=30V, VGS=10V, ID=85A
VDS=30V, VGS=10V, ID=85A
VDS=30V, VGS=10V, ID=85A
IS=85A, VGS=0
外形図
unit : mm
2056A
max
1.5
unit
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
スイッチングタイム測定回路図
VDD=30V
VIN
15.6
14.0
3.2
2.6
3.5
4.8
10V
0V
2.0
ID=43A
RL=0.7Ω
VIN
1.2
15.0
20.0
D
1.3
1.6
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
20.0
2.0
0.6
2SK3831
1
0.6
5.45
2
1.4
1.0
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
5.45
SANYO : TO-3PB
3
P.G
50Ω
S
アバランシェ測定回路図
≥50Ω
RG
L
DUT
15V
0V
50Ω
VDD
No.8028-2/4
2SK3831
40
30
25°C
25°
C
50
40
30
25°
C
20
VGS=3.0V
10
0
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2.0
RDS(on) -- VGS
30
ID=43A
25
20
15
Tc=75°C
25°C
10
--25°C
5
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0
8.0
9.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
10
3
--25
c=
7
°C
T
5
順電流, IF -- A
10
5°C
7
3
2
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
IT07698
20
=4V
V GS
,
43A
10V
I D=
S=
VG
,
43A
I D=
15
10
5
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
IT07700
IF -- VSD
VGS=0V
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1.0
7
5
0.1
2.5
RDS(on) -- Tc
25
100
7
5
3
2
°C
25
2.0
ケース温度, Tc -- °C
5
2
1.5
IT07699
VDS=10V
7
1.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
yfs -- ID
100
0.5
IT07697
5°C
25°C
--25°
C
0.4
Tc=7
0.2
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
60
75°
C
--25°
C
50
70
Tc =
ドレイン電流, ID -- A
60
10
順伝達アドミタンス, yfs -- S
Tc= --
6 .0
V 8 .0
80
4.0V
70
20
0.01
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
ドレイン電流, ID -- A
5 7 100
IT07701
0
7
0.6
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
3
2
1000
Coss
5
Crss
3
2
0.8
1.0
1.2
1.4
IT07702
VGS -- Qg
VDS=30V
ID=85A
9.0
5
7
0.4
10
f=1MHz
Ciss
0.2
ドレイン・ソース順電圧, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
10000
Ciss, Coss, Crss -- pF
VDS=10V
90
10
80
ドレイン電流, ID -- A
V
V
Tc=25°C
90
ID -- VGS
100
75 °
C
ID -- VDS
100
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
100
0
5
10
15
20
25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
30
IT07703
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
総ゲート電荷量, Qg -- nC
100 110 120
IT07704
No.8028-3/4
2SK3831
SW Time -- ID
7
td(off)
5
3
tf
2
100
tr
7
td(on)
5
3
2
10
0.1
VDD=30V
VGS=10V
2
3
2
5 7 1.0
3
5 7 10
2
ドレイン電流, ID -- A
3
<10µs
ID=85A
100
7
5
3
2
0µ
1m
10 s
m
DC 1 0 0 m s
op s
er
ati
on
10
7
5
3
2
10
µs
10
s
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
1.0
7
5
3
2
Tc=25°C
1パルス
セラミック基板
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5 7 100
IT07706
PD -- Tc
120
2.5
100
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
IDP=340A
0.1
0.1
5 7 100
IT07705
PD -- Ta
3.0
ASO
7
5
3
2
ドレイン電流, ID -- A
スイッチングタイム, SW Time -- ns
1000
2.0
1.5
1.0
0.5
80
60
40
20
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT07708
0
20
40
60
80
100
120
ケース温度, Tc -- °C
140
160
IT07707
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PS No.8028-4/4