SANYO VEC2302

VEC2302
注文コード No. N 8 0 2 6
VEC2302
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・ インバータ用途に最適。
・ 低オン抵抗。
・ 複合タイプであり高密度実装可能。
・4V 駆動。
・実装高 0.75mm。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流（パルス）
許容損失
IDP
PD
全損失
チャネル温度
PT
Tch
保存周囲温度
Tstg
条件
定格値
− 30
unit
V
± 20
−3
V
A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
− 12
0.9
A
W
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
1.0
150
W
℃
− 55 ∼＋ 150
℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース降伏電圧
記号
条件
定格値
min
− 30
typ
max
unit
ID= − 1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 1.5A
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID= − 1.5A, VGS= − 10V
ID= − 0.7A, VGS= − 4V
65
117
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
510
115
pF
pF
帰還容量
ターンオン遅延時間
78
11
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
Crss
td(on)
tr
td(off)
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
指定回路において
指定回路において
指定回路において
17
53
ns
ns
下降時間
tf
指定回路において
35
ns
単体品名表示：BB
V
VDS= − 30V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
− 1.0
2.0
−1
± 10
µA
µA
− 2.4
V
S
3.4
86
168
mΩ
mΩ
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
21005PE TS IM ◎川浦 TB-00000505 No.8026-1/4
VEC2302
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項目
記号
定格値
条件
min
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 3A
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 3A
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 3A
ダイオード順電圧
VSD
IS= − 3A, VGS=0
外形図
unit : mm
max
nC
2.4
1.7
− 0.87
unit
nC
nC
− 1.2
V
電気的接続図
2227A
0.25
8
0.3
7
7
6
5
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
0.15
6 5
2.3
8
1
0.25
2.8
typ
11
2
3
4
0.65
1
0.75
2.9
2
3
4
Top view
0.07
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
SANYO : VEC8
スイッチングタイム測定回路図
VDD= --15V
VIN
0V
--10V
ID= --1.5A
RL=10Ω
VOUT
VIN
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
VEC2302
P.G
50Ω
S
No.8026-2/4
VEC2302
ID -- VDS
--4.
0
--5.0
VGS= --2.5V
--1.5
--1.0
--2
25
°C
Ta
--1
--0.5
--25°
C
--2.0
--3
=75
°C
ドレイン電流, ID -- A
V
--2.5
VDS= --10V
--4
--6.0
--3.0
--10 --8.0V
V
ドレイン電流, ID -- A
--3.5
ID -- VGS
--5
V
V
--4.0
0
0
--0.6 --0.7 --0.8
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--1.0
Ta=25°C
200
180
160
ID= --1.5A
140
--0.7A
120
100
80
60
40
0
--2
--4
--6
--8
0
--10
--12
2
°C
--25
C
75°
C
25°
1.0
5
3
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
ドレイン電流, ID -- A
5
7
160
--4V
S=
140
I D=
120
, VG
--0.7A
100
= --10V
A, V GS
.5
1
-=
ID
80
60
40
20
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
IT07770
IF -- VSD
VGS=0
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.001
--0.3
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
ダイオード順電圧, VSD -- V
--1.1
IT07772
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD= --15V
VGS= --10V
f=1MHz
7
td(off)
5
tf
3
2
td(on)
10
tr
7
Ciss
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
7
5
3
2
1.0
--0.1
--0.4
IT07771
SW Time -- ID
2
スイッチングタイム, SW Time -- ns
--3.0
IT07768
--0.01
7
5
3
2
7
100
--2.5
180
--10
7
5
3
2
順電流, IF -- A
Ta=
--2.0
周囲温度, Ta -- °C
5
3
--1.5
RDS(on) -- Ta
200
IT07769
VDS= --10V
7
--1.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
yfs -- ID
10
--0.5
IT07767
RDS(on) -- VGS
220
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
順伝達アドミタンス, yfs -- S
--0.9
5°C
--0.5
25°
C
--25
°C
--0.4
Ta
=7
--0.1 --0.2 --0.3
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
3
2
Coss
100
Crss
7
5
3
2
2
3
5
7
--1.0
2
ドレイン電流, ID -- A
3
5
7
IT07773
0
--5
--10
--15
--20
--25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--30
IT07774
No.8026-3/4
VEC2302
VGS -- Qg
--10
VDS= --10V
ID= --3A
--9
--8
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
3
2
--7
--6
--5
--4
--3
--10
7
5
3
2
--1
3
2
2
4
6
8
10
総ゲート電荷量, Qg -- nC
12
14
IT07775
PD -- Ta
1.2
＜10µs
1m
s
ID= --3A
10
10
D
C
op
er
3
2
--2
0
IDP= --12A
--1.0
7
5
--0.1
7
5
0
ASO
m
0m
at
s
s
io
n
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
--0.01
--0.01 2 3
5 7--0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
5 7 --10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
5
IT07776
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
1.0
許容損失, PD -- W
0.9
0.8
全
損
失
1u
0.6
ni
t
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT07777
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PS No.8026-4/4