SANYO FSS802

FSS802
注文コード No. N 8 0 4 4
FSS802
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(PW ≦ 10s)
ID
ID
ドレイン電流(PW ≦ 10µs)
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
条件
定格値
unit
30
± 20
V
V
duty cycle ≦ 1%
12
14
A
A
duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(1200mm2 × 0.8mm)装着時 PW ≦ 10s
52
3.0
A
W
150
− 55 ∼+ 150
℃
℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=30V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=12A
ID=12A, VGS=10V
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
ID=6A, VGS=4.5V
ID=6A, VGS=4V
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
条件
min
定格値
typ
max
30
1
V
µA
± 10
2.6
µA
V
16
9
13
S
mΩ
14
17
21
26
mΩ
mΩ
1.2
9.6
unit
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
2300
430
pF
pF
VDS=10V, f=1MH
指定回路において
300
17
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
Crss
td(on)
tr
td(off)
指定回路において
指定回路において
200
150
ns
ns
下降時間
tf
指定回路において
130
ns
単体品名表示:S802
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
71504PA TS IM ◎川浦 TB-00000482 No.8044-1/4
FSS802
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項目
記号
条件
定格値
typ
min
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=10V, ID=12A
VDS=10V, VGS=10V, ID=12A
33
5
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
VDS=10V, VGS=10V, ID=12A
IS=12A, VGS=0
6
0.81
外形図
max
unit
nC
nC
nC
V
1.2
スイッチングタイム測定回路図
unit : mm
2116
VDD=15V
5
0.2
G
P.G
50Ω
S
FSS802
0.1
1.27
0.595
VOUT
D
PW=10µs
D.C.≦1%
1 : Source
2 : Source
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Drain
8 : Drain
1.5
5.0
ID=12A
RL=1.25Ω
VIN
6.0
4.4
4
1.8max
1
VIN
10V
0V
0.3
8
0.43
SANYO : SOP8
ID -- VDS
VDS=10V
16
10
5°C
4
12
8
6
25°
C
4
2
--25°C
6
14
Ta=7
ドレイン電流, ID -- A
VGS=3.0V
4.0V
10.0V
ドレイン電流, ID -- A
8
ID -- VGS
18
4.5V 6
.0V
8.0V
10
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
1.0
RDS(on) -- VGS
50
Ta=25°C
45
40
35
30
ID=6A
25
12A
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
0.5
14
16
IT04077
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
3.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT04075
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
IT04076
RDS(on) -- Ta
30
25
=6A
, ID
V
0
=4.
=6A
V GS
V, I D
5
.
4
=
VGS
=12A
V, I D
0
.
0
=1
VGS
20
15
10
5
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT04078
No.8044-2/4
FSS802
yfs -- ID
3
VGS=0
10
7
5
3
2
C
°C 25°
75
3
2
1.0
5
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
2
10
ドレイン電流, ID -- A
3
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
5
Ciss
2
1000
7
Coss
3
Crss
2
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
IT04080
Qg -- VGS
10
VDS=10V
ID=12A
9
5
0.4
ダイオード順電圧, VSD -- V
f=1MHz
7
3
0.3
IT04079
Ciss, Coss, Crss -- VDS
10000
0.1
7
5
3
2
- 25°
C
Ta
5
1.0
7
5
3
2
25°
C
°C
25
=-
7
5°C
10
Ta=
7
2
7
Ciss, Coss, Crss -- pF
IF -- VSD
5
3
2
VDS=10V
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
5
8
7
6
5
4
3
2
1
100
0
5
10
15
20
100
7
5
3
2
VDD=15V
VGS=10V
3
td(off)
2
tf
100
7
5
tr
3
td(on)
2
10
7
5
3
5
7
2
1.0
3
5
7
ドレイン電流, ID -- A
25
30
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
35
IT04082
ASO
≦10µs
IDP=52A
1m
ID=12A
10
s
m
10
0m
s
s
DC
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
s
op
er
ati
on
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
5
IT07985
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(1
3.0
許容損失, PD -- W
20
3
2
10
PD -- Ta
3.5
15
IT04083
2
2
10
0.1
7
5 Ta=25°C
3
1パルス
2
2
0.01 セラミック基板(1200mm ×0.8mm)装着時
2 3 5 7 1.0
2 3 5 7 10
0.01 2 3 5 7 0.1
3
1.0
0.1
5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
SW Time -- ID
1000
7
5
0
IT07598
ドレイン電流, ID -- A
スイッチングタイム, SW Time -- ns
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0
30
25
2.5
20
2.0
0m
m2
×
0.
1.5
8m
m
)装
着
時
PW
≦
10
1.0
0.5
s
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT04085
No.8044-3/4
FSS802
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PS No.8044-4/4