PowerMOSFET ■外観図 F20F60C3M OUTLI NE Package：FTO220A 600V20A 4.5 10 ロット記号（例） Date code 特 長 t ：mm Uni 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 煙絶縁タイプ 0000 品名略号 Type No. Feat ur e 15 管理番号 （例） Control No. 20F60C3M 13.5 煙LowRON 煙Fas tSwi t chi ng s ol at edPackage 煙I ①: G ②:D ③: S ①②③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or a geT e mpe r a t ur e チャネル温度 Cha nne l T e mpe r a t ur e ドレイン・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ゲート・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( DC) ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( Pe a k ) ソース電流（直流） Cont i nuousSour c eCur r e nt( DC) 全損失 T ot a l Powe rDi s s i pa t i on 絶縁耐圧 Di e l e c t r i cSt r e ngt h 締め付けトルク Mount i ngT or que ●電気的・熱的特性 項 ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr a i nSour c eBr e a k downV ol t a ge ドレイン遮断電流 Ze r oGa t eV ol t a geDr a i nCur r e nt ゲート漏れ電流 Ga t e Sour c eLe a k a geCur r e nt 順伝達コンダクタンス F or wa r dT r a ns c onduc t a nc e ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai nSour ceOns t at eRes i s t ance ゲートしきい値電圧 Ga t eThr e s s hol dV ol t a ge ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour c e Dr a i nDi odeF or wa deV ol t a ge 熱抵抗 The r ma l Re s i s t a nc e ゲート全電荷量 T ot a l Ga t eCha r ge 入力容量 I nputCa pa c i t a nc e 帰還容量 Re v e r s eT r a ns f e rCa pa c i t a nc e 出力容量 Out putCa pa c i t a nc e ターンオン遅延時間 T ur nonde l a yt i me 上昇時間 Ri s et i me ターンオフ遅延時間 T ur nof fde l a yt i me 下降時間 F a l l t i me 06〉） （MOSFET 〈2010. 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 Tc h 1 5 0 VDSS 6 0 0 VGSS ±3 0 I D I DP A 2 0 PT Vdi s V 6 0 I S TOR ℃ 2 0 パルス幅 10 μs ,dut y=1/ 100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 6 5 一括端子・ケース間，AC1分間印加 T e r mi na l st oc a s e ,AC1mi nut e （推奨値：0. 3N ・m） ( Re c omme nde dt or que: 0. 3N ・m) El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 目 I t em Tc＝2 5 ℃） 記号 Sy mbol W 2 kV 0 . 5 N・m 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 単位 Uni t Tc＝ 2 5 ℃） 条 件 Condi t i ons V mA, VGS＝0 V （BR） DSS I D＝1 6 0 0 ─ ─ V I DSS VDS＝6 0 0 V, VGS＝0 V ─ ─ 2 5 I GSS VGS＝ ±3 0 V, VDS＝0 V ─ ─ ±0 . 1 gf s I 0 A, VDS＝1 0 V D＝1 8 . 7 1 7 . 5 ─ S ─ 0 . 1 6 0 . 1 9 Ω R 0 A, VGS＝1 0 V （DS） ON I D＝ 1 μA VTH I mA, VDS＝1 0 V D＝ 1 2 . 1 3 . 0 3 . 9 VSD I 0 A, VGS＝0 V S＝1 ─ ─ 1 . 5 θj c 接合部・ケース間 J unc t i ont oc a s e ─ ─ 1 . 9 2 ℃/ W Qg VGS＝1 0 V, I 0 A, VDD＝4 0 0 V D＝2 ─ 8 7 ─ Ci s s ─ 2 4 0 0 ─ 5 V, VGS＝0 V, f ＝1 MHz Cr s s VDS＝ 2 ─ 5 0 ─ Co s s ─ 7 8 0 ─ t d （o n） ─ 3 2 ─ t r ─ 6 0 ─ ─ 3 5 5 ─ ─ 6 0 ─ I 0 A, VDD＝1 5 0 V, RL＝1 5 Ω D＝1 0 V, VGS V （＋）＝ 1 （－）＝0 t d （o f f ） VGS t f www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / V nC pF ns F20F60C3M ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流 伝達特性 Typical Output Characteristics Transfer Characteristics ３５ Drain Current ID〔A〕 ４０ １０Ｖ ８Ｖ ６Ｖ Tc=25℃ TYP ３０ Pulse measurement ２５ ２０ ５Ｖ １５ １０ ５ ５ １０ １５ １５０℃ ３０ ２５ ２０ １５ １０ VDS=20V TYP Pulse measurement ０ ０ ２５ ２０ Drain Source Voltage VDS〔V〕 １００℃ ５ VＧS ＧS=４Ｖ ０ ０ Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current Ｔｃ=−５５℃ ２５℃ ３５ Drain Current ID〔A〕 ４０ ５ １０ １５ ２０ Gate Source Voltage VGS〔V〕 ゲートしきい値電圧─ケース温度 Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case Temperature ID=10A ０． １ ０． ０１ ５ Pulse measurement −５５ ０ VGS＝10V Pulse test TYP １００ １５０ ５０ ２ １ ０． ５ ０． ２ ０． １ ０． ０１ ０． １ ０． ２ ０． ５ １ ２ ５ １０ Drain Current ID〔A〕 Pulse measurement １００ ６０ ４０ 10μs ２０ ２ １ VDS＝１０V ID=1mA TYP −５５ ０ ５０ １００ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ １０ 100μs RDS（on） on） Restricted space 200μs １ 1ms 10ms ０． １ DC Tc＝２５℃ Single pulse ０． ０１ ０ １０ １００ 全損失減少率─ケース温度 Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature １００ １００００ Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕 Ｃｉ ｓ ｓ ８０ １０００ 0.１ ０.0１ ０.０0１ ０.０0０１ -５ -４ １０ １０ １０-３ １０-２ １０-１ １００ Time t〔s〕 １０１ １０２ １０３ Power Derating〔%〕 Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 キャパシタンス特性 １ ６００ Drain Source Voltage VDS〔V〕 Transient Thermal Impedance θjc θjc ５０ Safe Operating Area 過渡熱抵抗 １０ ２０ 安全動作領域 ３ Case Ｔemperature Tc〔℃〕 VGS＝１０V Tc＝２５℃ TYP Pulse measurement ５ ０． ０２ ４ ０ １０ ０． ０５ Drain Current ID〔A〕 １ Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 Static Drain-Source On-static Resistance RDS（ON）〔Ω〕 ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度 Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕 出力特性 Ｃoｓ ｓ １００ Ｃrｓ ｓ １０ ６０ ４０ ２０ f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP １ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕 １００ ０ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ ゲートチャージ特性 Drain Source Voltage VDS〔V〕 ５００ ４００ ３００ ID=２０A TYP ２０ VDS １５ VDD=４ =４００Ｖ ２００Ｖ １００Ｖ VＧS ＧS １０ ２００ ５ １００ ０ ０ Gate Source Voltage VGS〔V〕 Gate Charge Characteristics ４０ ８０ １２０ １６０ Total Gate Charge Qg〔nC〕 ０ ２００ ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 06〉） （MOSFET 〈2010.