サイリスタモジュール SBA500AA UL:E76102（M） SanRexパワーサイリスタモジュールSBA500AAシリーズは、大電力の制 ッジ接続等の組み合わせが容易です。 7 ● 各種整流回路、交直流モーター制御、電気 G1 3 1 6 8 炉、調光装置、静止スイッチ 6-φ6.5 13.5 用しているので、高信頼度が得られます。 （主な用途） ● 主電極と金属ベースとの間が絶縁されてい 5 A1 28±1 60±1 K2 28±1 K2 4-M4 depth8㎜ 4-M8 depth15㎜ K1 A2 K1 るため、同一の放熱体に複数個のモジュー ルを取付けることができ、組立が容易です。 G2 G1 8 豊富なシリーズが有り、逆並列接続、ブリ 2 31 ● 4 78max 60±0.2 13.5 ● 最小臨界オフ電圧上昇率は500V/μsです。 66max ● 定格臨界オン電流上昇率は200A/μsです。 K1 ● 表面処理にガラスパッシベーションを採 47±1 ● 2素子入り絶縁形モジュールです。 138max 60±0.2 60±0.2 K1 A2 48±1 御、整流の全ての用途に応用できます。 （特徴） K2 単位：A A1 K2 ■最大定格 記 号 VDRM VRSM VRRM 項 目 ピーク繰返し逆電圧 ピーク非繰返し逆電圧 ピーク繰返しオフ電圧 記 号 SBA500A40 400 480 400 項 目 （特にことわらない限り Tj＝25℃） 定格値 単 位 SBA500AA80 SBA500AA120 SBA500AA160 800 1200 1600 V 960 1350 1700 V 800 1200 1600 V 条 件 定格値 単位 IT（AV） 平均オン電流 単相半波平均値，180°導通角，ケース温度66℃ 500 A IT（RMS） 実効オン電流 単相半波実効値，180°導通角，ケース温度66℃ 785 A ITSM サージオン電流 50Hz/60Hz商用単相半波1サイクル波高値，非繰返し I2t 電流二乗時間積 定格サージオン電流に対する値 PGM kA 416 kA2S 15 W 平均ゲート損失 5 W IFGM ピークゲート順電流 5 A VFGM ピークゲート順電圧 10 V VRGM ピークゲート逆電圧 5 V PG（AV） ピークゲート損失 9.1/10.0 di/dt 臨界オン電流上昇率 IG＝200mA， VD＝1／2VDRM， dIG/dt＝0.2A/μs VISO 絶縁耐圧 A.C. 1分間 Tj Tstg 200 A/μs 2500 V 接合部温度 −40∼＋125 ℃ 保存温度 −40∼＋125 ℃ 取付け （M6） 締付トルク 端 子 （M8） 制御端子（M4） 質量 推奨値 2.5∼3.9 4.7 N･ｍ （推奨値 25∼40） （48） （kgf･B） 推奨値 8.8∼10 11.0 N･ｍ （115） （kgf･B） 推奨値 1.0∼1.4 1.5 N･ｍ （推奨値 10∼14） （15） （kgf･B） （推奨値 90∼105） 標準値 1100 g ■電気的特性 記 号 規格値 単位 IDRM 最大オフ電流 定格ピーク繰返しオフ電圧に於て，単相半波 Tj＝125℃ 150 mA IRRM 最大逆電流 定格ピーク繰返し逆電圧に於て，単相半波 Tj＝125℃ 150 mA VTM 最大オン電圧 オン電流波高値1500A，瞬時測定 1.45 V IGT 最大ゲートトリガ電流 VD＝6V，IT＝1A 200 mA VGT 最大ゲートトリガ電圧 VD＝6V，IT＝1A VGD 最小ゲート非トリガ電圧 Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM 最小臨界オフ電圧上昇率 Tj＝125℃，VD＝2／3VDRM，指数関数波形 dv/dt 項 目 Rth（j-c） 最大熱抵抗 条 件 接合部−ケース間 3 V 0.25 V 500 V/μs 0.085 ℃/W SBA500AA １００ ゲートトリガ特性 １００００ ５０ 最大オン状態特性 ５０００ オ ン ２０００ 電 流 ︵ 波 １０００ 高 値 ５００ ︶ （A） Pe ２０ ak Ga te Po Av we era （ r ge 15 Ga W te ） Po we （ r5 W） Peak Gate Current（5A） Peak Forward Gate Voltag（10V） ゲ １０ ー ト ５ 電 圧 ２ （V） １ 25℃ −40℃ ０． ５ 125℃ ０． ２ Maximum Gate Non-Trigger Voltage ０． １ １０ ２０ ５０ １００ ２００ ５００ １０００ ２０００ Ｔ ｊ=２５℃ Maximum ２００ ５０００ １００００ １００ ０． ５ １ １２００ 最大電力損失特性〈単相半波〉 １３０ Per one element D.C. 12０゜ ９ ０゜ ６ ０゜ ３ ０゜ 0 π ２π θ 360゜ ２００ θ：Conduction Angle ０ ０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ ７００ 0 ３ ０゜ ４０ ０ ０ １ ０． １ Per one element Tj＝25℃ start 過 ０８ 渡 ０． 熱 イ ン ０． ０６ ピ ー ダ ０． ０４ ン ス θj-c ０． ０２ （℃/W） 60Hz 50Hz ２ ５ １０ ２０ 通電時間（サイクル数） D.C. ２ ０゜ １ ８ ０゜ ０゜ １ ６ ０゜ ９ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ ７００ ８００ ９００ 平均電流（A） サージ電流耐量〈非繰返し〉 サ ー１００００ ジ オ ン ８０００ 電 流 ６０００ ︵ 波 高 ４０００ 値 ︶ ２０００ （A） ２π 360゜ ５０ ８００ π θ θ：Conduction Angle 平均オン電流（A） １２０００ ２． ５ Per one element 最 １１０ 大 許 １００ 容 ９０ ケ ー ８０ ス 温 ７０ 度 ６０ （℃） １ ８ ０゜ ４００ ２ 平均電流対最大許容ケース温度〈単相半波〉 １２０ １０００ 電 ８００ 力 損 失 ６００ （W） １． ５ オン電圧（V） ゲート電流（mA） ５０ １００ 最大過渡熱インピーダンス Per one element ０ -３ １０ Junction to Case １０-２ １０-１ １００ 時 間 t（秒） １０１ １０２