SHARP LZ34B10

LZ34B10
1/4-type Color CMOS Image Sensor with
350 k Pixels
LZ34B10
• Number of optical black pixels
– Horizontal : 24 front and 24 rear
– Vertical : 3 front and 3 rear
• Pixel pitch : 5.6 µm (H) x 5.6 µm (V)
• R, G, and B primary color mosaic filters
• Image inversion function (horizontally and/or
vertically)
• Power save mode
• Monitoring mode : 60 fields/s
• Analog output and 8-bit digital output
• Variable gain control
• Variable electronic shutter (1/30 to 1/15 750 s)
• Single +3.3 V power supply
• Package : 36-pin WLCC* (WLCC036-N-R625)
DESCRIPTION
U
C
T
The LZ34B10 is a 1/4-type (4.5 mm) solid-state
image sensor that consists of PN photo-diodes and
color CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) devices. The sensor further includes a
timing generator (TG), a correlated double sampling
(CDS) circuit, an auto gain control (AGC) circuit
and an analog-to-digital converter (ADC) circuit.
With approximately 350 000 pixels (703 horizontal x
499 vertical), the sensor provides a stable digital
color image with extremely low power consumption.
Progressive scan
Square pixel
Compatible with VGA standard
Number of effective pixels : 655 (H) x 493 (V)
R
BLOCK DIAGRAM
LZ34B10 or LZ0P3811*∫
W
E
N
U/Y/V/Y
Digital
Output
LR38602
DSP
CDS
CMOS
IMAGE
SENSOR
∫ Under development
Digital Signal Processor : 350 mW
P
Power Consumption
CMOS Image Sensor : 60 mW
* Window Leadless Chip Carrier
O
•
•
•
•
D
FEATURES
8-BIT
ADC
JPEG
AGC
To PC
via USB
USB I/F
TG
Supply Voltage 3.3 V
MICRO
COMPUTER
E2PROM
LU831801 : 14 mW
* Built-in lens CMOS image sensor
In the absence of confirmation by device specification sheets, SHARP takes no responsibility for any defects that may occur in equipment using any SHARP devices shown in
catalogs, data books, etc. Contact SHARP in order to obtain the latest device specification sheets before using any SHARP device.
1
PACKAGES FOR CCD AND CMOS DEVICES
PACKAGE
(Unit : mm)
36 WLCC (WLCC036-N-R625)
Center of effective imaging area
15.60±0.10
13.30±0.10
10.00±0.10
9.80±0.05 (◊2)
1.15±0.10
2.10±0.20
1.15±0.10
2-Ø1.30
Center of die
11.00±0.10
CMOS
12.00±0.10
6.00±0.075
¬
10.80±0.05 (◊2)
1.60 1.60
0.65
±0.20
Rotation error of die : ¬ = 1.0˚MAX.
(◊ 1 : Effective imaging area)
(◊ 2 : Lid's size)
1.86±0.10
A
0.04
(◊1)
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Glass Lid
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Package
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CMOS
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0.40TYP.
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P-1.00TYP.
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A'
2
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1.26±0.10
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0.70±0.05 (◊2)
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1.20±0.12
2.90±0.10
A
3.12±0.20
Refractive index : nd = 1.5
2-R1.05±0.20
7.80±0.075
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A'
0.04
(◊1)
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