GL1A ... GL1M GL1A ... GL1M Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2010-11-29 Nominal current – Nennstrom 1A 1.6 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V 0.4 Plastic case MiniMELF Kunststoffgehäuse MiniMELF DO-213AA 0.4 3.5 Weight approx. – Gewicht ca. 0.04 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Marking: 1. white ring denotes “cathode” and “standard rectifier family” 2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below) Kennzeichnung: 1. weißer Ring kennzeichnet “Kathode” und “Standard-Gleichrichter” 2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten) Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 2. Cathode ring 2. Kathodenring GL1A 50 50 gray / grau GL1B 100 100 red / rot GL1D 200 200 orange / orange GL1G 400 400 yellow / gelb GL1J 600 600 green / grün GL1K 800 800 blue / blau GL1M 1000 1000 violet / violett Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 1 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 5 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 27/30 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.6 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 GL1A ... GL1M Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A GL1A...G GL1J...M VF VF < 1.2 V < 1.3 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA Typical reverse recovery time Typische Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr 1.5 µs Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 75 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 40 K/W 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 0.4 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 30a-(1a-1.2v) -2 10 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG