BAT54W BAT54W Surface Mount Schottky-Barrier Double-Diodes Schottky-Barrier Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2014-08-21 Power dissipation – Verlustleistung 1) 2 ±0.1 0.3 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1 ±0.1 1 2.1±0.1 1.25±0.1 3 Type Code 200 mW 2) 2 30 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-323 Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 1.3 Dimensions - Maße [mm] Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAT54W-series Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) Tp ≤ 10 ms IFSM 1A Tp ≤ 5 µs IFSM 8A VRRM 30 V Tj TS 125° C -55…+150° Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF IF IF IF IF = = = = = 0.1 mA 1 mA 10 mA 30 mA 100 mA Leakage current – Sperrstrom 3) VR = 25 V VR = 30 V VF VF VF VF VF < < < < < 240 320 400 500 650 mV mV mV mV mV IR IR < 2 µA < 3 µA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 1 Vdc , f = 100 kHz … 1 MHz CT 10 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns dv/dt 10000 V/µs RthA 620 K/W 4) Critical rate of rise of voltage – Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 3 4 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAT54W Outline – Gehäuse Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung 3 Single diode – Einzeldiode 1=A 1 2 = n.c. BAT54W = L4 or / oder KL1 3=K 2 3 1 Double diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 1 = A1 2 3 1 3 = K1/ A2 Double diode, common cathode Doppeldiode, gemeinsame Kathode 1 = A1 2 3 1 2 = K2 BAT54SW= L44 or / oder KL4 2 = A2 3 = K1/ K2 Double diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 1 = K1 2 2 = K2 BAT54CW = L43 or / oder KL3 BAT54AW = L42 or / oder KL2 3 = A1/ A2 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 -2 10 60 40 10 -3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 2 http://www.diotec.com/ Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.8 [V] 1.0 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG