EUPEC 25DN06

Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
25 DN 06
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T vj = - 25°C...Tvj max
VRRM
600
V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T vj = + 25°C...Tvj max
VRSM
650
V
IFRMSM
1800
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
T K = 155 °C
IFAVM
1145
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
T vj = 25°C, tp = 10ms
IFSM
15,00
12,75
kA
kA
I²t
1.125
813
A²s*103
A²s*103
T vj = Tvj max, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
T vj = 25°C, tp = 10ms
T vj = Tvj max, tp = 10ms
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
T vj = Tvj max, iF = 2 kA
T vj = Tvj max, iF = 0,5 kA
vF
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
T vj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T vj = Tvj max
rT
Sperrstrom
reverse current
T vj = Tvj max, vR = VRRM
iR
max.
max.
1,08
0,8
V
V
0,7
V
0,188
mΩ
20
mA
max.
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
RthJC
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
T vj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
A01/00
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max.
°C/W
RthCK
beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther
max. 0,01740
max. 0,01400
max.
max.
max.
max.
0,0100
180
°C
T c op
- 40...+180
°C
T stg
- 40...+180
°C
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
25 DN 06
N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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page 3
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
typ.
4...8
kN
14,2
g
Kriechstrecke
creepage distance
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50
m/s²
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther
A01/00
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
25 DN 06
N
22
3,65
25
SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther
A01/00
Z. Nr.: 1
Seite/page 3
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
25 DN 06
N
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos.n
1
2
3
4
beidseitig
Rthn [°C/W]
0,011676
0,001956
0,00028
0,000087
two-sided
τ n [s]
0,021219
0,002481
0,000267
0,000009
anodenseitig
Rthn [°C/W]
anode-sided
τ n [s]
kathodenseitig
Rthn [°C/W]
cathode-sided
τ n [s]
5
6
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
=∑
Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn ))
n=1
SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther
A01/00
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7
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
25 DN 06
N
5.000
4.000
iT [A]
3.000
2.000
1.000
0
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vT)
Tvj = Tvj max
SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther
A01/00
Z. Nr.: 2
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1,8
?
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
25 DN 06
N
0,015
DC
Z (th) JC [°C/W]
0,010
0,005
0,000
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
Transienter innerer Wä rmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f (t), DC
SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther
A01/00
Z. Nr.: 3
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
25 DN 06
N
0,02
0,018
0,016
0,014
∆ RthJC [°C/W]
0,012
0,01
0,008
0,006
0,004
0,002
0
30
60
90
120
150
Θ [ °el]
Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values
of thermal for pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther
A01/00
Z. Nr.: 4
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
25 DN 06
N
1
0,9
0,8
2
∫ i dt (normiert)
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
tp [ms]
Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp
Normalized ∫i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp
SZ-AM / 00-01-20 K.-A.Rüther
A01/00
Z. Nr.: 5
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- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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