MOSFET 140A 500V PDM1405HA PDM1405HA 質量 Approximate Weight :460g ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Rating ドレイン・ソース間電圧 VDSS Drain-Source Voltage ゲート・ソース間電圧 Gate-Source Voltage ドレイン電流（連続） Duty=50% Continuous Drain Current D.C. パルスドレイン電流 Pulsed Drain Current 全損失 Total Power Dissipation 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 RMS Isolation Voltage 締付トルク Mounting 1 Torque 耐 圧・クラス Grade PDM1405HA 500 記 号 Symbol VGS=0V 単位 Unit V VGSS ±20 V ID 140（Ｔc=25℃） 100（Ｔc=25℃） A IDM 280（Ｔc=25℃） A PD 880（Ｔc=25℃） W Tjw −40∼+150℃ ℃ Tstg −40∼+125℃ ℃ Viso Ftor 2000 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . 3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） V N・m ■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項 目 Characteristic ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current ドレイン・ソース間オン抵抗（MOSFET部） Static Drain-Source On-Resistance ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance 入力容量 Input Capacitance 出力容量 Output Capacitance 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time 上昇時間 Rise Time ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time 下降時間 Fall Time 記号 Symbol 条 件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit VDS＝VDSS, VGS＝0V ─ ─ 2 Tj＝125℃, VDS＝0.8VDSS, VGS＝0V ─ ─ 8 VGS （th） VDS＝VGS, ID＝10mA 2 3.1 4.0 V IGSS VGS＝±20V, VDS＝0V ─ ─ 1 μA rDS （on） VGS＝10V, ID＝70A ─ 35 40 mΩ VDS （on） VGS＝10V, ID＝70A ─ 3.0 3.4 V gfg VDS＝15V, ID＝70A ─ 100 ─ S ─ 28 ─ nF ─ 3.6 ─ nF Crss ─ 0.8 ─ nF t（on） d ─ 300 ─ ns ─ 420 ─ ns ─ 810 ─ ns ─ 200 ─ ns IDSS Ciss Coss tr t（off） d VGS＝0V VDS＝25V f＝1MHz VDD＝1/2VDSS ID＝70A VGS＝−5V, ＋10V RG＝5Ω tf mA ■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項 目 Characteristic ソース電流（連続） Continuous Source Current パルスソース電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge 記号 Symbol IS 条 件 Condition D. C. ISM VSD trr Qr IS＝140A IS＝140A −diS/dt＝100A/μs 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit ─ ─ 100 A ─ ─ 280 A ─ ─ 1.7 V ─ 130 ─ ns ─ 0.3 ─ μC ■熱抵抗特性 Thermal Characteristics 項 目 Characteristic 記号 Symbol 熱抵抗（接合部−ケース間） Thermal Resistance, Junction to Case Rth（j-c） 接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間） Thermal Resistance, Case to Heatsink Rth（c-f） 条 件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. MOSFET ─ ─ 0.142 Diode ─ ─ 1.0 サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased ─ ─ 0.05 ─ 335 ─ 単位 Unit ℃/W ■定格・特性曲線 Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage TC=25℃ 250μs Pulse Test 8V 7V DRAIN CURRENT ID (A) 200 160 6V 120 80 5V 40 0 0 2 4 6 8 10 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) Ciss 24 18 12 6 0 1 2 5 10 20 50 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 6 4 70A 2 35A 0 4 8 12 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) ID=140A 12 9 70A 6 35A 3 0 -40 16 0 40 80 120 JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ℃) 160 Fig. 6 Typical Switching Time Fig. 6 Vs. Series Gate impedance ID=100A ID=70A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 10 td(off) 5 12 8 4 tr td(on) tf 2 1 0.5 0.2 0 300 600 900 1200 1500 TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC) 0.1 1800 Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward Fig. 8 Characteristics RG=5Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test VGS=10V 250μs Pulse Test 15 VDD=100V 250V 400V 0 100 Fig. 7 Typical Switching Time Fig. 7 Vs. Drain Current 1000 ID=145A 16 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) CAPACITANCE C (nF) 30 8 Fig. 5 Typical Gate Charge Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage VGS=0V f=1MHz 36 10 0 12 Fig. 4 Typical Capacitance Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage TC=25℃ 250μs Pulse Test 12 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) VGS=10V SWITCHING TIME t (μs) 240 Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage Fig. 3 Vs. Junction Temperature DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) Fig. 1 Typical Output Characteristics 5 10 20 50 100 SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω ) 200 Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics 250μs Pulse Test 200 2 IS=140A IS=100A Tj=125℃ 500 td(off) trr td(on) tf 200 100 50 160 SOURCE CURRENT IS (A) SWITCHING TIME t (ns) tr REVERSE RECOVERY TIME trr (ns) REVERSE CURRENT IR (A) 500 120 Tj=125℃ Tj=25℃ 80 40 20 10 20 50 DRAIN CURRENT ID (A) 100 200 Fig. 10 Maximum Safe Operating Area TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse 500 0 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V) Fig. 11-1 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET) 10μs 200 100μs DRAIN CURRENT ID (A) 100 50 Operation in this area is limited by RDS (on) 20 1ms 100 50 IR 20 10 5 2.4 0 100 200 300 400 -dis/dt (A/μs) 500 600 2 1 0.5 0.2 0.1 Per Unit Base Rth(j-c)=0.142℃/W 1 Shot Pulse 0.05 0.02 0.01 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 1 10 10ms 10 Fig. 11-2 Normalized Transient Thermal impedance(DIODE) 5 2 DC 1 0.5 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] 5 2 1 2 5 10 20 50 100 200 5001000 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) ─ 336 ─ NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] 10 200 2 1 0.5 0.2 0.1 Per Unit Base Rth(j-c)=1.0℃/W 1 Shot Pulse 0.05 0.02 0.01 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 1 10 Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ モ ジ ュ ー ル