NIEC PDMB400B12_1

IGBT
PDMB400B12C
PDMB400B12C
400 A 1200 V
■回路図 CIRCUIT
■外形寸法図 OUTLINE DRAWING
(単位 Dimension:mm)
質量:約500g
質量:約650g
PDMB400B12
PDMB400B12C
■最大定格 Maximum Ratings(TC=25℃)
記号
Symbol
定 格 値
Rated Value
単位
Unit
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
VCES
1200
V
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
VGES
±20
V
DC
IC
400
1ms
ICP
800
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
PC
1900
W
接合温度
Junction Temperature Range
Tj
−40∼+150
℃
保存温度
Storage Temperature Range
Tstg
−40∼+125
℃
絶縁耐圧
(端子−ベース間,AC1分間)
Isolation Voltage(Terminal to Base, AC1min.)
Viso
2500
V
(RMS)
Ftor
3(30.6)
N・m
(kgf・cm)
項 目
Item
コレクタ電流
Collector Current
締付トルク
Mounting Torque
ベース取付部
Module Base to Heatsink
端子部
Busbar to Terminal
A
■電気的特性 Electrical Characteristics(TC=25℃)
項 目
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲートしきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入力容量
Input Capacitance
上昇時間
Rise Time
ターン・オン時間
スイッチング時間 Turn-On Time
Switching Time
下降時間
Fall Time
ターン・オフ時間
Turn-Off Time
記号
Symbol
条 件
Test Conditions
最小
Min.
標準
Typ.
最大
Max.
単位
Unit
ICES
VCE=1200V, VGE=0V
─
─
4.00
mA
IGES
VGE=±20V, VCE=0V
─
─
1.00
μA
(sat)
VCE
IC=400A, VGE=15V
─
1.9
2.40
V
(th)
VGE
VCE=5V, IC=400mA
4.0
─
8.00
V
VCE=10V, VGE=0V, f=1MHz
─
33000
─
pF
─
0.25
0.45
─
0.40
0.70
─
0.25
0.35
─
0.80
1.10
Cies
tr
ton
tf
VCC=600V
RL=1.5Ω
RG=1Ω
VGE=±15V
toff
─ 485 ─
μs
■フリーホイーリングダイオードの特性 Free Wheeling Diode Ratings & Characteristics(TC=25℃)
記号
Symbol
定 格 値
Rated Value
DC
IF
400
1ms
IFM
800
項 目
Item
順電流
Forward Current
記号
Symbol
項 目
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
条 件
Test Conditions
単位
Unit
A
最小
Min.
標準
Typ.
最大
Max.
単位
Unit
VF
IF=400A, VGE=0V
─
1.9
2.4
V
trr
IF=400A, VGE=−10V
di/dt=800A/μs
─
0.2
0.3
μs
最小
Min.
─
標準
Typ.
─
最大
Max.
0.065
単位
Unit
─
─
0.120
■熱的特性 Thermal Characteristics
項 目
Characteristic
IGBT
熱抵抗
Thermal Impedance
条 件
Test Conditions
記号
Symbol
接合部−ケース間
Junction to Case
(j-c)
Rth
Diode
℃/W
■定格・特性曲線
Fig. 1 Output Characteristics(Typical)
Fig. 2 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical)
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Fig. 6 Collector Current vs. Switching Time(Typical)
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Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage(Typical)
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─ 486 ─
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Fig. 4 Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage(Typical)
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Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical)
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Fig. 8 Forward Characteristics of Free Wheeling Diode(Typical)
Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time(Typical)
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Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance (Typical)
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Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area(Typical)
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Fig. 11 Transient Thermal Impedance
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─ 487 ─
㪈㪇 㪈
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