DB 3, DB 4 Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC) Bidirektionale Si-Trigger-Dioden (DIAC) Breakover voltage Durchbruchsspannung 28 ... 45 V Peak pulse current Max. Triggerimpuls ±2A Glass case Glasgehäuse DO-35 SOD-27 Weight approx. Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 0.13 g Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings see page 16 siehe Seite 16 Grenzwerte Power dissipation – Verlustleistung TA = 50 /C Ptot 150 mW 1) Peak pulse current (120 pulse repetition rate) Max. Triggerstrom (120 Impulse) tP # 10 :s IPM ± 2 A 1) Tj TS – 40…+100/C – 40…+150/C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics Breakover voltage Durchbruchspannung Kennwerte dV/dt = 10V/:s DB 3 DB 4 VBO VBO 28 ... 36 V 35 ... 45 V Breakover current – Durchbruchstrom V = 98 % VBO IBO < 200 :A Asymmetry of breakover voltage Unsymmetrie der Durchbruchspannug *V(BO)F - V(BO)R* )VBO < 3.8 V Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung )I = IBO to/auf IF = 10 mA dV/dt = 10V/:s )VF/R >5V Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 RthA < 60 K/W 1) ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 420 01.10.2002 DB 3, DB 4 Typical characteristic of a DIAC – Typische DIAC-Kennlinie Test circuit for a thyristor trigger – Meßschaltung für Thyristor-Zündschaltung 01.10.2002 421