ETC VDD601LNTA

AnaSem
Analog Semiconductor IC
VDD 系列
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测
CMOS 电压检测器（内置延迟电路）
Rev. C09-09
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
Rev. C09-09
AnaSem
产品规格书
安纳森半导体
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
概述
VDD系列乃用于低电压范围的低功耗，高检测精度的内置延迟电路电压
检测器. VDD系列达成的检测精度是以集成电路内以温度系数调整的高准
确率参考电压值来作基准。本集成电路采用最新的CMOS生产技术和激
光微调技术，与精锐的生产监控。因为内置有延迟电路，延迟检测时间
不需配合外围元件便可以原厂设定之延迟时间范围来选择。
无卤素
RoHS
符合标准
特点
z
z
z
z
z
z
z
z
z
1.8V~6.0V (selectable with a step of 0.1V)
检测电压范围 ··································································
0.7V~6.0V
工作电压范围 ··································································
高精度电压检测 ····················································· ±1% (VDET=1.8V~6.0V)
Typ. ±20ppm/°C (VDET=1.8V~6.0V)
电压检测温度特征 ··································································
S/10~50ms, M/50~200ms, L/80~400ms
延迟时间选择 ·························································································
CMOS or N-channel open drain
输出类别 ·························································································
低功耗 ·································································· Typ. 0.6µA (VIN=1.5V)
–40°C ~ +85°C
工作温度范围 ··································································
SOT-23 (400mW), SON-4 (400mW)
小型封装 ·························································································
应用范围
z
z
z
z
z
z
1
微型处理器的从设程序
各类系统的开动从设
电池充电检测
各类系统备用电源，电池开关控制
电池寿命检测
延迟电路设计
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低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
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产品型号定义
VDD
设计版本
A : TOPR = –40°C ~ +85°C
IC封装类别
T : SOT-23
N : SON-4
输出形式
C : CMOS式输出
N : N-沟道式输出
延迟时间
S : 10msec~50msec
M : 50msec~200msec
L : 80msec~400msec
电压检测精度
1 : ±1%
检测电压
18 ~ 60 : 在1.8V ~ 6.0V检测电压范围内以
0.1V间隔设定检测电压
e.g.) 18 : 1.8V
30 : 3.0V
PIN脚排位 / IC封装记号 (SOT-23)
z Pin脚排位
VIN
3
A B C D E
位置.
记号
解说
1
VOUT
输出
2
VSS
接地
3
VIN
电压输入
F F F F
z Marking Specification
1
2
位置
记号
VOUT
VSS
A
C 或 N
输出模式
BC
18~60
检测电压
D
S, M 或 L
E
A
F
厂方设定
(顶视图)
2
解说
延迟时间选择
版本
生产批号
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PIN脚排位 / IC封装记号 (SON-4)
z Pin脚排位
VSS
NC
4
3
位置
记号
1
VOUT
电压输出
2
VIN
电压输入
A B C D E
3
NC
不接 (开电路)
F F F F
4
VSS
接地
1
2
VOUT
VIN
(Top view)
解说
z IC封装记号
位置
记号
解说
A
C 或 N
输出模式
BC
18~60
检测电压
D
S, M 或 L
E
A
F
厂方设定
延迟时间选择
版本
生产批号
典型应用电路
z
z
CMOS式输出
VOUT
VIN
100KΩ
VOUT
VIN
VSS
3
N-沟道式输出
VSS
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IC电路图
z
z
CMOS式输出
VIN
N-沟道式输出
VIN
+
Voltage
Reference
_
+
VOUT
Delay
circuit
Voltage
Reference
Vss
VOUT
_
Delay circuit
Vss
绝对最大工作范围值
项目
符号
规格
单位
电压输入范围
VIN
–0.3 ~ +7.0
V
输出电流
IOUT
50
mA
电压输出范围
VOUT
VSS –0.3 ~ VIN +0.3
V
SOT-23
PD
400 (on PCB)
mW
SON-4
PD
400 (on PCB)
mW
工作温度范围
TOPR
–40 ~ +85
°C
储存温度范围
TSTG
–55 ~ +125
°C
功率耗散
※1)
注:
※1)
功率耗散规格是依照IC已上PCB板的条件来定
PCB板的尺寸为 50mm×50mm×1.6mm.
4
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电子规格
(Ta=25°C 除非另有注明)
项目
符号
条件
最低
一般
最高
单位
测试
电路
VIN
VDET = 1.8V ~ 6.0V
0.7
-
6.0
V
1
检测电压
VDET
VDET = 1.8V ~ 6.0V
Ta = –40°C ~ +85°C
VDET
×0.99
VDET
VDET
×1.01
V
1
滯後现象范围
VHYS
VDET
×0.02
VDET
×0.05
VDET
×0.08
V
1
VIN=0.7V
0.1
0.35
-
mA
VIN=1.0V
1.0
2.3
-
mA
VIN=2.0V
3.0
8.2
-
mA
VIN=3.0V
5.0
11.1
-
mA
VIN=4.0V
6.0
12.8
-
mA
VIN=5.0V
7.0
13.8
-
mA
CMOS P-ch
VDS=2.1V
VIN=6.0V
-
-9.5
-1.5
mA
4
CMOS N-ch
VDS=2.1V
VIN=6.0V
1.5
9.5
-
mA
3
VIN=1.5V
-
0.6
2.1
μA
VIN=2.0V
-
0.7
2.5
μA
VIN=3.0V
-
0.8
2.8
μA
VIN=4.0V
-
0.9
3.0
μA
VIN=5.0V
-
1.0
3.4
μA
工作电压范围
N-ch
VDS=0.5V
输出电流
电流功耗
流失电流
电压检测温度特征
延迟时间
VDR→VOUT inversion
5
3
IOUT
ISS
2
ILEAK
VIN=6.0V VOUT=6.0V
-
10
100
nA
3
∆VDET /
∆Ta•VDET
VDET = 1.8V ~ 6.0V
Ta = –40°C ~ +85°C
-
±20
-
ppm/°C
1
10
-
50
ms
50
-
200
ms
80
-
400
ms
TDLY
VIN = 0.7V ~ 6.0V
5
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测试电路
z
电路 (1) – 工作电压，检测电压，滯後现象范围，电压检测温度特征
VIN
100KΩ *1)
R
VIN
VOUT
V
VSS
V
注 1) :
在CMOS式输出的产品上电阻(100KΩ)可以省掉
z
z
电路 (2) – 电流功耗
电路 (3) – N-沟道驱动输出电流
A
VIN
VIN
VIN
VIN
VOUT
VOUT
A
VSS
VSS
VDS
z
电路 (4) – P-沟道驱动输出电流
VIN
VIN
z
VDS
VOUT
电路 (5) – 延迟时间 (VDR→VOUT 反向)
R
VIN
A
100KΩ
*1)
VOUT
波形型号量度
VSS
VSS
注 1) :
在CMOS式输出的产品上电阻 (100KΩ) 可以省掉
6
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工作原理解说
z 一般运作 (CMOS式输出)
请产考以下CMOS式输出的VDD系列电路图 ;
VIN
+
Voltage
Reference
_
Delay
Circuit
P-ch
VOUT
N-ch
Vss
A. 当输入电压(VIN)高于释放电压(VREL), 输入电压(VIN)会由输出端提供，因此时电路内的N-沟道 三极管
为OFF的状态而P-沟道三极管会成ON的状态。此外, 如输入电压保持在高于设定的检测电压(VDET)时
输出电压会保持与输入电压(VIN)相等。
B. 当输入电压(VIN)下降至低于设定的检测电压
(VDET), 电路内的N-沟道三极管为ON状态，
而 P-沟道三极管会成为OFF。此外，此情况
下电压输出(VOUT)与地电压(VSS)相等。
[ 运作时间表 ]
输入电压 (VIN)
释放电压 (VREL)
C. 当输入电压(VIN)下降至低于最低工作电压,
电压输出(VOUT)会成不稳定状况, 或当电压输
出被拉至输入电压时电压输出(VOUT)水平会
达至输入电压(VIN)水平。
检测电压 (VDET)
最低工作电压
地电压 (VSS)
D. 当输入电压(VIN)上升至高于最低工作电压时,
虽然输入电压(VIN)升高于检测电压(V DET )，
在不超于释放电压(V REL )的情况下，地电压
(VSS)会保持原来的水平。
E. 随着延迟时间, 当输入电压(VIN)升至超于释
放电压(VREL)时，内置的N-沟道三极管会成
OFF状态，而P-沟道三极管会成ON状态。此
外, 在此情况下输出电压(VOUT)与输入电压
(VIN)相等. 此释放电压(VREL)与检测电压(VD
ET)的相差乃滯後现象范围(VHYS)。
7
输出电压 (VOUT)
释放电压 (VREL)
Detection voltage (VDET)
滯後现象范围(VHYS)
延迟时间 (TDLY)
最低工作电压
地电压 (VSS)
A B
C
D E
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一般特征 – 供应电流 vs. 输入电压
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
3.0
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
3.0
Supply Current : IDD (µA)
Supply Current : IDD (µA)
Ta=+85°C
2.5
Ta=+85°C
2.0
Ta=+25°C
1.5
Ta=-40°C
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
Input Voltage : VIN (V)
6
Ta=+85°C
2.0
Ta=+25°C
1.5
Ta=-40°C
1.0
0.5
0
1
2
3
4
Input Voltage : VIN (V)
8
1.5
Ta=-40°C
1.0
0.5
0
1
2
3
4
5
Input Voltage : VIN (V)
6
7
5
6
7
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
3.0
Supply Current : IDD (µA)
Supply Current : IDD (µA)
2.5
0
Ta=+25°C
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
3.0
2.0
0
7
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
2.5
2.5
Ta=+85°C
2.0
Ta=+25°C
1.5
Ta=-40°C
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Input Voltage : VIN (V)
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一般特征 – 检测和释放电压 vs. 温度
1.90
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
Release Voltage
1.88
1.86
1.84
1.82
Detect Voltage
1.80
1.78
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
3.75
3.70
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
Release Voltage
3.65
3.60
3.55
Detect Voltage
3.50
3.45
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
9
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
1.92
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
2.66
2.64
2.62
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
Release Voltage
2.60
2.58
2.56
2.54
2.52
Detect Voltage
2.50
2.48
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
4.80
4.75
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
Release Voltage
4.70
4.65
4.60
4.55
Detect Voltage
4.50
4.45
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
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一般特征 – 输出电压 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
VDET
VREL
2.0
1.5
1.0
0.5
0
Ta=25°C
3.0
Output Voltage : VOUT (V)
Output Voltage : VOUT (V)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
VDET
VREL
2.5
0
0.5
1.0
Input Voltage : VIN (V)
Ta=25°C
3.0
VDET
VREL
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Ta=25°C
5.0
Output Voltage : VOUT (V)
Output Voltage : VOUT (V)
2.5
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
4.0
VDET
VREL
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Input Voltage : VIN (V)
10
2.0
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
3.5
1.5
3.0
3.5
4.0
0
0.5
1.0
1.5 2.0
2.5 3.0
3.5
4.0
4.5 5.0
Input Voltage : VIN (V)
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一般特征 – N-沟道驱动 vs. VDS
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Ta=25°C
VIN=0.8V
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
VIN
=0.7V
IN=0.7V
V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Ta=25°C
=1.5V
VIN=0.8V
=1.0V
IN=0.7V
VVIN
0
0.1
0.2
0.3
Ta=25°C
VIN=0.8V
IN=0.7V
VIN
=0.7V
V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
VDS (V)
11
0.5 0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
z VDD451MCTA (CMOS 4.5V)
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.4
VDS (V)
VDS (V)
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Ta=25°C
VIN=0.8V
IN=0.7V
VIN
=0.7V
V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
VDS (V)
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VDD 系列
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一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. VDS (续)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
Ta=25°C
10.0
VIN=1.5V
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
VIN=1.0V
2.0
16.0
VIN=2.0V
14.0
12.0
10.0
VIN=1.5V
8.0
6.0
4.0
VIN=1.0V
2.0
1.0
0
Ta=25°C
18.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0 1.2
1.4
1.6
1.8
0
2.0
0.5
1.0
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
Ta=25°C
30.0
VIN=2.5V
25.0
VIN=2.0V
15.0
10.0
VIN=1.5V
5.0
VIN=1.0V
VIN=4.0V
50.0
VIN=3.5V
40.0
VIN=3.0V
30.0
VIN=2.5V
20.0
VIN=2.0V
10.0
VIN=1.5V
0
0
0
0.5
1.0
1.5
VDS (V)
12
2.5
Ta=25°C
60.0
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
VIN=3.0V
20.0
2.0
z VDD451MCTA (CMOS 4.5V)
40.0
35.0
1.5
VDS (V)
VDS (V)
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VDS (V)
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低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
Rev. C09-09
一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
10.0
6.0
4.0
2.0
0.5
0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
10.0
8.0
0
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
12.0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
12.0
1.0
1.5
2.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
2.5
0
Input Voltage : VIN (V)
2.0
2.5
3.0
10.0
8.0
6.0
4.0
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
14.0
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
2.0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Input Voltage : VIN (V)
13
1.5
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
12.0
1.0
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
14.0
0.5
3.0
3.5
4.0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Input Voltage : VIN (V)
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
Rev. C09-09
一般特征 – P-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
Ta=25°C
10.0
VDS=2.1V
9.0
Output Current : IOUT (mA)
8.0
7.0
VDS=1.5V
6.0
5.0
VDS=1.0V
4.0
3.0
VDS=0.5V
2.0
1.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Input Voltage : VIN (V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
10.0
VDS=2.1V
9.0
Output Current : IOUT (mA)
8.0
7.0
VDS=1.5V
6.0
5.0
VDS=1.0V
4.0
3.0
VDS=0.5V
2.0
1.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
Ta=25°C
10.0
VDS=2.1V
9.0
Output Current : IOUT (mA)
8.0
7.0
VDS=1.5V
6.0
5.0
VDS=1.0V
4.0
3.0
VDS=0.5V
2.0
1.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Input Voltage : VIN (V)
14
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
Rev. C09-09
一般特征 – 延迟时间选择 vs. 温度
z VDD221MCTA (CMOS 2.2V)
200
z VDD271MCTA (CMOS 2.7V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
200
180
160
140
120
100
80
60
40
VIN=6.0V
VIN=5.4V
Delay Time : TDLY (msec)
Delay Time : TDLY (msec)
180
20
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
z VDD271SNTA (N-ch 2.7V)
50
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
100
80
60
VIN=6.0V
VIN=5.4V
40
200
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
180
40
35
30
25
20
15
VIN=6.0V
VIN=5.4V
Delay Time : TDLY (msec)
Delay Time : TDLY (msec)
140
120
z VDD301MCTA (CMOS 3.0V)
5
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
15
160
20
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
45
10
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
160
140
120
100
80
60
40
VIN=6.0V
VIN=5.4V
20
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
Rev. C09-09
一般特征 – 延迟时间选择 vs. 输入电压
z VDD221MCTA (CMOS 2.2V)
VIN=2.36V~6.0V, Step=0.2V
180
160
140
120
100
80
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
60
40
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V
180
Delay Time : TDLY (msec)
Delay Time : TDLY (msec)
z VDD271MCTA (CMOS 2.7V)
160
140
120
100
80
40
2.5
6.5
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
60
3.0
3.5
Input Voltage : VIN (V)
z VDD271SNTA (N-ch 2.7V)
40
35
30
25
20
10
2.5
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Input Voltage : VIN (V)
16
5.5
5.0
6.0
6.5
5.5
6.0
6.5
VIN=3.2V~6.0V, Step=0.2V
180
Delay Time : TDLY (msec)
Delay Time : TDLY (msec)
45
15
4.5
z VDD301MCTA (CMOS 3.0V)
VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V
50
4.0
Input Voltage : VIN (V)
160
140
120
100
80
60
40
3.0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Input Voltage : VIN (V)
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
Rev. C09-09
IC封装尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
(Marked Side)
Min 0.15
+0.10
0.65 –0.15
+0.15
2.8 +0.20
–0.60
0.4±0.1
0~30°
1.6 –0.30
2.9±0.2
0~0.1
0~10°
+0.11
0.95
1.9±0.2
+0.10
0.95
Min 0.15
0.15 –0.05
0.4±0.1
0.65 –0.15
0.4±0.1
1.1±0.15
0.8
2.4
1.0
1.1±0.2
0.8±0.1
贴装尺寸建议
1.0
0.8
1.0
0.8
0.95
0.95
1.9
17
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
Rev. C09-09
角膜贴装和IC装带规格 (SOT-23)
(单位 : mm)
1.65 max.
Mark
ø1.05±0.05
4.0±0.1
8.0±0.2
3.4±0.1
Mark
2.0±0.05
3.5±0.05
ø1.5 –0+0.1
0.2±0.05
1.75±0.1
4.0±0.1
3.35±0.1
装带方向
装卷尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
120°
ø60±1
2.0±0.5
(3,000 pcs / 卷)
18
ø178±2
ø13±0.5
90°
9.0±0.5
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
Rev. C09-09
IC封装尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
0.1±0.1
1.3
(Marked side)
0.35
0.25±0.1
1.6
2.1±0.1
0.3
+0.10
-0.05
0.6±0.05
+0.10
-0.05
2.0±0.2
2.0±0.2
贴装尺寸建议
0.45
1.8
0.7
0.7
0.6±0.05
0.45
0.45
0.7
0.7
0.5
1.3
19
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
Rev. C09-09
角膜贴装和IC装带规格 (SON-4)
(单位 : mm)
0.75±0.1
Mark
ø1.05±0.05
4.0±0.1
8.0±0.2
2.4±0.1
Mark
2.0±0.05
3.5±0.05
ø1.5 –0+0.1
0.25±0.05
1.75±0.1
4.0±0.1
2.4±0.1
装带方向
装卷尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
120°
ø60±1
2.0±0.5
(3,000 pcs / reel)
20
ø178±2
ø13±0.5
90°
9.0±0.5
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.......... Future of the analog world
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