ETC VDA0820CTA

AnaSem
Analog Semiconductor IC
VDA 系列
低电压，低功耗, ±1% 高精度电压检测
CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
Rev. C09-09
AnaSem
产品规格书
安纳森半导体
低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
VDA 系列
概述
VDA系列乃用于低电压范围的低功耗，高检测精度的电压检测器。VDA
系列达成的检测精度是以集成电路内以温度系数调整的高准确率参考电
压值来作基准。本集成电路采用最新的CMOS生产技术和激光微调技
术，与精锐的生产监控，也能提供CMOS或N-沟道的两种输出方式；而
集成电路的封装均能以SOT-23或SON-4类提供。
无卤素
RoHS
符合标准
特点
z
z
z
z
z
z
z
z
检测电压范围·······························································0.8V~6.0V (能以每0.1V间隔设定检测电压)
0.7V~6.0V
工作电压范围··································································
高精度电压检测 ····················································· ±1% (VDET=1.8V~6.0V) / ±2% (VDET=0.8V~1.7V)
Typ. ±20ppm/°C (VDET = 1.8V~6.0V)
电压检测温度特性··································································
CMOS or N-channel open drain
输出类别 ·························································································
低功耗 ·································································· Typ. 0.6µA (VIN = 1.5V)
–40°C ~ +85°C
工作温度范围 ··································································
SOT-23 (400mW), SON-4 (400mW)
小型封装 ·························································································
应用范围
z
z
z
z
z
1
微型处理器的从设程序
各类系统的开动从设
电池充电检测
各类系统备用电源，电池开关控制
电池寿命检测
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低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
VDA 系列
Rev. C09-09
产品型号定义
VDA
设计版本
A : TOPR = –40°C ~ +85°C
IC封装类别
T : SOT-23类
N : SON-4类
输出形式
C : CMOS 式输出
N : N-沟道式输出
电压检测精度
10 : ±1%
20 : ±2%
检测电压
08 ~ 60 : 在0.8V ~ 6.0V检测电压范围内以
0.1V间隔设定检测电压
如) 18 : 1.8V
30 : 3.0V
PIN脚排位 / IC封装记号 (SOT-23)
z Pin腳排位
VIN
3
A B C D E
位置.
记号
解说
1
VOUT
输出
2
VSS
接地
3
VIN
电压输入
F F F F
z IC封装记号
1
2
位置
记号
VOUT
VSS
A
C 或 N
输出模式
BC
08~60
检测电压
D
1 or 2
电压检测精度
E
A
F
厂方设定
(顶视图)
2
解说
版本
生产批号
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低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
VDA 系列
Rev. C09-09
PIN 脚排位 / IC封装记号 (SON-4)
z Pin脚排位
VSS
NC
4
3
位置
记号
1
VOUT
电压输出
2
VIN
电压输入
A B C D E
3
NC
不接 (开电路)
F F F F
4
VSS
接地
1
2
VOUT
VIN
(顶视图)
解说
z IC封装记号
位置
记号
解说
A
C 或 N
输出模式
BC
08~60
检测电压
D
1 or 2
电压检测精度
E
A
F
厂方设定
版本
生产批号
典型应用电路
z
z
CMOS式输出
VOUT
VIN
100KΩ
VOUT
VIN
VSS
3
N-沟道式输出
VSS
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IC电路图
z
z
CMOS式输出
VIN
N-沟道式输出
VIN
+
Voltage
Reference
+
VOUT
Voltage
Reference
_
Vss
VOUT
_
Vss
绝对最大工作范围值
项目
符号
规格
单位
电压输入范围
VIN
–0.3 ~ +7.0
V
输出电流
IOUT
50
mA
电压输出范围
VOUT
VSS –0.3 ~ VIN +0.3
V
SOT-23
PD
400 (on PCB)
mW
SON-4
PD
400 (on PCB)
mW
工作温度范围
TOPR
–40 ~ +85
°C
储存温度范围
TSTG
–55 ~ +125
°C
功率耗散
※1)
注:
※1)
功率耗散规格是依照IC已上PCB板的条件来定
PCB板的尺寸为 50mm×50mm×1.6mm.
4
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电子规格
(Ta=25°C除非另有注明)
项目
工作电压范围
符号
电流功耗
流失电流
电压检测温度特征
延迟时间
VDR→VOUT inversion
5
一般
最高
单位
测试
电路
1
VDET = 0.8V ~ 6.0V
0.7
-
6.0
V
VDET
VDET = 1.8V ~ 6.0V
Ta = –40°C ~ +85°C
VDET
×0.99
VDET
VDET
×1.01
V
VDET
VDET = 0.8V ~ 1.7V
Ta = –40°C ~ +85°C
VDET
×0.98
VDET
VDET
×1.02
V
VDET
×0.02
VDET
×0.05
VDET
×0.08
V
VIN=0.7V
0.1
0.35
-
mA
VIN=1.0V
1.0
2.3
-
mA
VIN=2.0V
3.0
8.2
-
mA
VIN=3.0V
5.0
11.1
-
mA
VIN=4.0V
6.0
12.8
-
mA
VIN=5.0V
7.0
13.8
-
mA
CMOS P-ch
VDS=2.1V
VIN=6.0V
-
-9.5
-1.5
mA
4
CMOS N-ch
VDS=2.1V
VIN=6.0V
1.5
9.5
-
mA
3
VIN=1.5V
-
0.6
2.1
μA
VIN=2.0V
-
0.7
2.5
μA
VIN=3.0V
-
0.8
2.8
μA
VIN=4.0V
-
0.9
3.0
μA
VIN=5.0V
-
1.0
3.4
μA
VIN=6.0V VOUT=6.0V
-
10
100
nA
VDET = 1.8V ~ 6.0V
Ta = –40°C ~ +85°C
-
±20
-
ppm/°C
VDET = 0.8V ~ 1.7V
Ta = –40°C ~ +85°C
-
±100
-
ppm/°C
Inverts from VDR to VOUT
-
0.03
0.2
ms
VHYS
N-ch
VDS=0.5V
输出电流
最低
VIN
检测电压
滯後现象范围
条件
1
1
3
IOUT
ISS
ILEAK
∆VDET /
∆Ta•VDET
TDLY
2
3
1
5
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测试电路
z
电路 (1) – 工作电压，检测电压，滯後现象范围，电压检测温度特征
VIN
100KΩ *1)
R
VIN
VOUT
V
VSS
V
注 1) :
在CMOS式输出的产品上电阻(100KΩ)可以省掉
z
z
电路 (2) – 电流功耗
电路 (3) – N-沟道驱动输出电流
A
VIN
VIN
VIN
VIN
VOUT
VOUT
A
VSS
VSS
VDS
z
电路 (4) – P-沟道驱动输出电流
VIN
VIN
z
VDS
VOUT
电路 (5) – 延迟时间 (VDR→VOUT 反向)
R
VIN
A
100KΩ
*1)
VOUT
波形型号量度
VSS
VSS
注 1) :
在CMOS式输出的产品上电阻 (100KΩ) 可以省掉
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工作原理解说
z 一般运作 (CMOS式输出)
请产考以下CMOS式输出的VDA系列电路图 ;
VIN
+
Voltage
Reference
P-ch
_
VOUT
N-ch
Vss
A. 当输入电压(VIN)高于释放电压(VREL), 输入电压(VIN)会由输出端提供，因此时电路内的N-沟道 三极管
为OFF的状态而P-沟道三极管会成ON的状态。此外, 如输入电压保持在高于设定的检测电压(VDET)时
输出电压会保持与输入电压(VIN)相等。
B. 当 输 入 电 压 (VIN) 下 降 至 低 于 设 定 的 检 测 电 压
(VDET), 电路内的N-沟道三极管为ON状态，而 P沟道三极管会成为OFF。此外，此情况下电压输
出(VOUT)与地电压(VSS)相等。
[ 运作时间表 ]
输入电压 (VIN)
C. 当输入电压(VIN)下降至低于最低工作电压, 电压输
出(VOUT)会成不稳定状况, 或当电压输出被拉至输
入电压时电压输出(VOUT)水平会达至输入电压(V I
N)水平。
释放电压 (VREL)
D. 当输入电压(VIN)上升至高于最低工作电压时, 虽然
输入电压(VIN)升高于检测电压(V DET )，在不超于
释放电压(VREL )的情况下，地电压(VSS)会保持原
来的水平。
最低工作电压
检测电压 (VDET)
地电压 (VSS)
输出电压 (VOUT)
E. 当输入电压(VIN)上升至高于释放电压(VREL)时, 电
路内的N-沟道三极管会成OFF的状态，而P-沟道
三极管会成ON的状态. 此外, 在此情况下输出电
压(VOUT)与输入电压(VIN)相等. 此释放电压(VREL)
与检测电压(VDET)的相差乃滯後现象范围(VHYS)。
释放电压 (VREL)
检测电压 (VDET)
滯後现象范围(VHYS)
最低工作电压
地电压 (VSS)
A B
7
C
D E
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一般特征 – 供应电流 vs. 输入电压
z VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
z VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
1.8
Ta=+85°C
1.6
Supply Current : IDD (µA)
Supply Current : IDD (µA)
1.6
1.4
Ta=+25°C
1.2
1.0
Ta=-40°C
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
Input Voltage : VIN (V)
6
Ta=+25°C
1.0
Ta=-40°C
0.8
0.6
0.4
0
1
Supply Current : IDD (µA)
1.2
Ta=+25°C
1.0
0.8
Ta=-40°C
0.6
0.4
1.4
Ta=+85°C
1.2
1.0
Ta=+25°C
0.8
0.6
Ta=-40°C
0.4
0.2
0
1
2
3
4
5
6
0
7
0
1
z VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
3
4
5
6
7
z VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
1.8
2
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
1.8
1.6
Supply Current : IDD (µA)
1.6
Supply Current : IDD (µA)
7
1.6
1.4
0.2
Ta=+85°C
1.4
1.2
Ta=+25°C
1.0
0.8
Ta=-40°C
0.6
0.4
0.2
1.4
Ta=+85°C
1.2
1.0
Ta=+25°C
0.8
Ta=-40°C
0.6
0.4
0.2
0
1
2
3
4
Input Voltage : VIN (V)
8
6
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
1.8
Ta=+85°C
1.6
0
2
3
4
5
Input Voltage : VIN (V)
z VDA1810NTA (N-ch 1.8V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
1.8
Supply Current : IDD (µA)
1.2
0
7
z VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
0
Ta=+85°C
1.4
0.2
0.2
0
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
1.8
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Input Voltage : VIN (V)
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一般特征 – 检测和释放电压 vs. 温度
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
2.15
2.13
2.11
2.09
Release Voltage
2.07
2.05
2.03
2.01
1.99
Detect Voltage
1.97
1.95
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
z VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
1.07
1.06
1.05
Release Voltage
1.04
1.03
1.02
1.01
1.00
Detect Voltage
1.99
0.98
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
2.64
2.62
2.58
2.56
2.54
2.52
2.50
2.48
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Release Voltage
2.82
2.80
2.78
2.76
2.74
Detect Voltage
2.70
2.68
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
9
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
1.95
1.93
1.91
1.89
Release Voltage
1.87
1.85
1.83
1.81
1.79
Detect Voltage
1.77
1.75
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
z VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
2.86
2.72
Detect Voltage
Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
z VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
2.84
Release Voltage
2.60
Ambient Temperature : Ta (°C)
2.88
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
2.68
2.66
z VDA1810NTA (N-ch 1.8V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
1.08
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
z VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V)
z VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
4.30
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
4.25
Release Voltage
4.20
4.15
4.10
4.05
Detect Voltage
4.00
3.95
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
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一般特征 – 输出电压 vs. 输入电压
z VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
z VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
Ta=25°C
VDET
VREL
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Ta=25°C
3.0
Output Voltage : VOUT (V)
Output Voltage : VOUT (V)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2.5
VDET
VREL
2.5
0
0.5
1.0
Input Voltage : VIN (V)
z VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
Ta=25°C
Output Voltage : VOUT (V)
Output Voltage : VOUT (V)
VDET
VREL
1.5
1.0
0.5
3.0
Ta=25°C
VDET
VREL
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0.5
Input Voltage : VIN (V)
1.5
2.0
2.5
z VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
Ta=25°C
3.0
2.0
1.5
1.0
0.5
Ta=25°C
4.5
Output Voltage : VOUT (V)
VDET
VREL
2.5
1.0
Input Voltage : VIN (V)
z VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
Output Voltage : VOUT (V)
2.5
3.0
0
VDET
VREL
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Input Voltage : VIN (V)
10
2.0
z VDA1820NTA (N-ch 1.8V)
2.5
2.0
1.5
Input Voltage : VIN (V)
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
Input Voltage : VIN (V)
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低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
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一般特征 – N-沟道驱动 vs. VDS
z VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
z VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
VIN=0.8V
1.0
0.8
0.6
VIN=0.7V
0.4
0.2
Ta=25°C
1.2
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
1.2
VIN=0.8V
1.0
0.8
0.6
VIN=0.7V
0.4
0.2
0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0.1
0.2
0.3
VDS (V)
Ta=25°C
0.7
0.8
0.9
VIN=0.8V
1.0
0.8
0.6
VIN=0.7V
0.4
0.2
Ta=25°C
1.2
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
0.6
z VDA1820NTA (N-ch 1.8V)
1.2
0
VIN=0.8V
1.0
0.8
0.6
VIN=0.7V
0.4
0.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0.1
0.2
0.3
VDS (V)
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VDS (V)
z VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
z VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
Ta=25°C
1.0
VIN=0.8V
0.8
0.6
VIN=0.7V
0.4
0.2
0
Ta=25°C
1.2
Output Current : IOUT (mA)
1.2
Output Current : IOUT (mA)
0.5
VDS (V)
z VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
1.0
VIN=0.8V
0.8
0.6
VIN=0.7V
0.4
0.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
VDS (V)
11
0.4
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VDS (V)
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低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
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一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. VDS (续)
z VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
z VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
8.0
VIN=1.5V
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
VIN=1.0V
2.0
Ta=25°C
18.0
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
9.0
VIN=2.0V
16.0
14.0
12.0
10.0
VIN=1.5V
8.0
6.0
4.0
VIN=1.0V
2.0
1.0
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0.5
Ta=25°C
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
2.5
VIN=1.0V
2.0
VIN=0.9V
1.0
0.5
Ta=25°C
9.0
8.0
VIN=1.5V
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
VIN=1.0V
2.0
1.0
0
0
0
02
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1.2
0.2
0.4
0.6
z VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
Ta=25°C
1.2
1.4
1.6
20.0
VIN=2.0V
15.0
VIN=1.5V
VIN=1.0V
Ta=25°C
45.0
Output Current : IOUT (mA)
VIN=2.5V
25.0
5.0
1.0
z VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
30.0
10.0
0.8
VDS (V)
VDS (V)
Output Current : IOUT (mA)
2.5
z VDA1810NTA (N-ch 1.8V)
3.0
VIN=3.5V
40.0
35.0
VIN=3.0V
30.0
25.0
VIN=2.5V
20.0
15.0
VIN=2.0V
10.0
5.0
0
VIN=1.5V
0
0
0.5
1.0
1.5
VDS (V)
12
2.0
VDS (V)
z VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
1.5
1.5
1.0
VDS (V)
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VDS (V)
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
VDA 系列
Rev. C09-09
一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
z VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
12.0
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
12.0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
10.0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
10.0
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
z VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
8.0
6.0
4.0
2.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
0.5
0
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.5
1.0
Input Voltage : VIN (V)
z VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0
0.5
Input Voltage : VIN (V)
2.0
2.5
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
14.0
Output Current : IOUT (mA)
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
12.0
1.5
z VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
14.0
1.0
Input Voltage : VIN (V)
z VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
Output Current : IOUT (mA)
3.0
1.0
0
0.3
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Input Voltage : VIN (V)
13
2.5
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
10.0
Output Current : IOUT (mA)
Output Current : IOUT (mA)
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
3.0
2.0
z VDA1810NTA (N-ch 1.8V)
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
3.5
1.5
Input Voltage : VIN (V)
3.0
3.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
Input Voltage : VIN (V)
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
VDA 系列
Rev. C09-09
一般特征 – P-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
z VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
Ta=25°C
10.0
VDS=2.1V
Output Current : IOUT (mA)
9.0
8.0
7.0
VDS=1.5V
6.0
5.0
VDS=1.0V
4.0
3.0
VDS=0.5V
2.0
1.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Input Voltage : VIN (V)
z VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
10.0
Output Current : IOUT (mA)
9.0
VDS=2.1V
8.0
7.0
VDS=1.5V
6.0
5.0
VDS=1.0V
4.0
3.0
VDS=0.5V
2.0
1.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Input Voltage : VIN (V)
14
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
VDA 系列
Rev. C09-09
IC封装尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
(Marked Side)
Min 0.15
+0.10
0.65 –0.15
+0.15
2.8 +0.20
–0.60
0.4±0.1
0~30°
1.6 –0.30
2.9±0.2
0~0.1
0~10°
+0.11
0.95
1.9±0.2
+0.10
0.95
Min 0.15
0.15 –0.05
0.4±0.1
0.65 –0.15
0.4±0.1
1.1±0.15
0.8
2.4
1.0
1.1±0.2
0.8±0.1
贴装尺寸建议
1.0
0.8
1.0
0.8
0.95
0.95
1.9
15
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
VDA 系列
Rev. C09-09
角膜贴装和IC装带规格 (SOT-23)
(单位 : mm)
Mark
1.65 max.
Mark
ø1.05±0.05
4.0±0.1
8.0±0.2
3.5±0.05
2.0±0.05
3.4±0.1
ø1.5 –0+0.1
0.2±0.05
1.75±0.1
4.0±0.1
3.35±0.1
装带方向
转卷尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
120°
ø60±1
2.0±0.5
(3,000 pcs / 卷)
16
ø178±2
ø13±0.5
90°
9.0±0.5
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
VDA 系列
Rev. C09-09
IC封装尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
0.1±0.1
1.3
(Marked side)
0.35
0.25±0.1
1.6
2.1±0.1
0.3
+0.10
-0.05
0.6±0.05
+0.10
-0.05
2.0±0.2
2.0±0.2
贴装尺寸建议
0.45
1.8
0.7
0.7
0.6±0.05
0.45
0.45
0.7
0.7
0.5
1.3
17
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
低电压，低功耗， ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
VDA 系列
Rev. C09-09
角膜贴装和IC装带规格 (SON-4)
(单位 : mm)
0.75±0.1
Mark
ø1.05±0.05
4.0±0.1
8.0±0.2
2.4±0.1
Mark
2.0±0.05
3.5±0.05
ø1.5 –0+0.1
0.25±0.05
1.75±0.1
4.0±0.1
2.4±0.1
装带方向
装卷尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
120°
ø60±1
2.0±0.5
(3,000 pcs / 卷)
18
ø178±2
ø13±0.5
90°
9.0±0.5
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
AnaSem
安纳森半导体(AnaSem Inc.)能在未作通知的情况下更改在此规格书内形容的产品，或停产与停止提供相关之产品基
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ANASEM INC.