シングルインライン型 SBD Bridge Single In-line Package ■外観図 OUTLINE D30XBN20 Unit : mm Weight : 7.1g （typ.） Package：5S 200V 30A 管理番号（例） Control No. 品名 Type No. 特長 ロット記号（例） 4.6 Date code 30 • 薄型 SIP パッケージ • SBD ブリッジ • 低 VF・低 IR D30XBN 20 0264 20 Feature ＋ ① • Thin-SIP • SBD Bridge • Low VF・Low IR ∼ ∼ ② ③ − ④ + ∼ ∼ − 17.5 ① ② ③ ④ 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking, Terminal Connection”. ■定格表 RATINGS 項 目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 単位 Unit Tstg −55∼150 ℃ Tj 150 ℃ 200 V VRM IO IFSM 50Hz 正弦波，抵抗負荷 50Hz sine wave, Resistance load VF IF = 15A, 逆電流 Reverse Current IR VR = 200V, （J534-1） Tc = 91℃ 30 フィンなし Without heatsink Ta = 26℃ 3.1 パルス測定，１素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode パルス測定，１素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode A 350 A 2.5 kV 0.8 N・m 一括端子・ケース間，AC１分間印加 Terminals to Case, AC 1 minute （推奨値：0.5 N・m） （Recommended torque : 0.5 N・m） 順電圧 Forward Voltage Vdis フィン付き With heatsink 50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃ TOR 熱抵抗 Thermal Resistance 204 D30XBN20 絶縁耐圧 Dielectric Strenght 締め付けトルク Mounting Torque 接合容量 Junction Capacitance 品 名 Type No. 記号 条 件 Symbol Conditions MAX 0.90 MAX V 10 μA TYP 360 pF θjc 接合部・ケース間，フィン付き Junction to Case, With heatsink MAX 1.0 θjl 接合部・リード間 Junction to Lead MAX 5.0 θja 接合部・ 周囲間 Junction to Ambient MAX 25 Cj f = 1MHz, VR = 10V, １素子当たりの規格値 per diode ℃/W Thin SIP Bridge D30XBN20 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ 50Hz sine wave is used for measurements. ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ Semiconductor products generally have characterristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability. （J534-1） 205