SHE144BG-(B) Semiconductor High Efficiency LED Lamp Features • • • • • • • • Blue colored transparency lens type Ellipse type(X=4.6mm, Y=5.8mm) Ultra luminosity Flangeless package High power LEDs Oval shape Lens Color : Green(Diffusion Type) View Angle : 70˚ / 34˚ Application • Full color displays • Message boards • Variable message signs(VMS) Outline Dimensions unit : mm 4.6±0.2 5.8 0.2 7.7±0.2 3.6±0.5 0.5 22.0 MIN 1.0 MIN 2.54 NOM PIN Connections 1.Anode 2.Cathode KLE-4007-000 1 SHE144BG-(B) Absolute maximum ratings Characteristic Symbol Ratings Unit Power Dissipation PD 120 mW Forward Current IF 40 mA IFP 50 mA Reverse Voltage VR 4 V Operating Temperature Topr -30∼85 ℃ Storage Temperature Tstg -30∼100 ℃ 1 * Peak Forward Current 2 260℃ for 5 seconds * Soldering Temperature Tsol *1.Duty ratio = 1/16, Pulse width = 0.1ms ※ Recommend document -. LED is very sensitive to ESD. *2.Keep the distance more than 2.0mm from PCB to the bottom of LED package Electrical Characteristics Characteristic Symbol Test Condition VF IF= 20mA - 3.4 - V *4Luminous Intensity IV IF= 20mA 230 - 1170 mcd Peak Wavelength λP Δλ IR IF= 20mA - 470 - nm IF= 20mA - 35 - nm VR=4V - - 10 uA IF= 20mA - ±17 ±35 - deg Forward Voltage Spectrum Bandwidth Reverse Current *3Half Angle θ1/2 X Y Min. Typ. Max. Unit *3. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is 1/2 the peak intensity *4. Luminous Intensity Maximum tolerance for each Grade Classification limit is ±18% *4. Luminous Intensity classification N O P Q 230~350 350~520 520~780 780~1170 KLE-4007-000 2 SHE144BG-(B) Characteristic Diagrams Fig. 2 IV - IF Luminous Intensity Iv [mcd] Forward Current IF [mA] Fig. 1 IF - VF Forward Voltage VF [V] Current IF [mA] Fig.4 Spectrum Distribution Forward Relative Intensity [%] Current IF [mA] Fig. 3 IF – Ta Forward Ambient Temperature Ta [℃] Wavelength λ [nm] Fig. 5-2 Radiation Diagram(Y) Fig. 5-1 Radiation Diagram(X) Relative Luminous Intensity Iv [%] Relative Luminous Intensity Iv [%] KLE-4007-000 3 ■ 정전기 관련에 따른 제품 사용상 주의 사항 1. ESD(Electro Static Discharge) 주의 : Chip 재질은 Al2o3 (Sapphire: 절연체) 재질로 되어 있어 정전기에 취약한 재질이며 Chip이 정전기에 의해 Damage가 가해지면 제 특성을 발휘하지 못하며 또한 VF값이 현저히 Down 되면서 무 점등 현상 발생 2. ESD 발생 원리 및 대치 방법 2-1. ESD (Electro Static Discharge) 발생 원리 : 물질 구조의 분자설에 의하면 모든 물체는(+)로 대전 된 원자핵과 그 주위를 도는 (-)로 대전 된 전자로 구성되어 중성의 상태를 유지하게 되지만 외부의 조건( 마찰, 압력, 온도, 습도 등)에 의하여 중성 상태의 물질이(-)전하를 잃어 버리게 되면 (+)전하로 대전 되고 (+)양자를 잃게 되면 (-)로 대전하게 됨. ※ 대전의 원인 : 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 이온흡착 등 ※ 대전의 크기 결정 요인 : 접촉 면적, 압력, 마찰 빈도, 속도, 온도차등 ※ 대전의 극성 결정 요인 : 물질의 종류, 표면 상태. 이력 등 2-2. 대전 방지 및 제거 방법 ① 가습 -. 가습에 의한 공기의 상대 습도를 높이면 물체 표면의 흡수량을 증가 시켜 표면 저항율을 저하시킴으로 물체는 대전성이 떨어진다. 상대 습도는 80%가 적당하다. ※ 습도에 따른 대전전위의 변화 대전물 상대습도 (10%~20%) 상대습도(65%~90%) Table 작업을 행하는 경우 6[KV] 0.1[KV] 비닐 포장 자재 7[KV] 0.6[KV] 폴리백을 작업대에서 손으로 드는 경우 20[KV] 1.2[KV] ② 대전 방지제 사용 -. 대전 방지제는 절연물의 표면에 도포하거나 혼입하여 표면에 흡수성을 증가 시킴으로 표면 저항을 저하시켜 대전을 방지하는 방법으로 제품에의 영향을 고려 ③ 대전 방지용품 착용 -. 인체를 접지 시켜 주거나 대전을 방지 시켜 주는 제품 : Wrist Strap (손목 띠), Heel Grounder, 대전 방지복, 제전화, 제전 장갑, 제전모 등 -. Conveyer 또는 통로의 바닥이나 Table 등에 설치하여 대전을 안전하게 접지 시키는 제품 : Conductive Floor Mat ※ 현 제품 취급 시 주의 사항을 인지하시고 ESD에 주의하여 작업을 하시면 정전기로 인한 불량 발생율을 감소 시킬 수 있습니다. KLE-4007-000 4 SHE144BG-(B) These AUK products are intended for usage in general electronic equipments(Office and communication equipment, measuring equipment, domestic electrification, etc.). Please make sure that you consult with us before you use these AUK products in equipments which require high quality and/or reliability, and in equipments which could have major impact to the welfare of human life(atomic energy control, airplane, spaceship, traffic signal, combustion central, all types of safety device, etc.). AUK cannot accept liability to any damage which may occur in case these AUK products were used in the mentioned equipments without prior consultation with AUK. KLE-4007-000 5