KBPC5000F ... KBPC5012F KBPC5000F ... KBPC5012F Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2006-12-09 Nominal current Nennstrom Type "FP“ + Ø 5.2 7.9 = 18.1±0.5 28.6±0.2 = 35...800 V Plastic case with alu bottom Plastikgehäuse mit Alu-Boden 6.3 14.3 ±0.5 16.6 ±0.5 0.8 ±0.5 + Alternating input voltage Eingangswechselspannung 7.3 16.6 Type 6.7 50 A 21.6±1 Dimensions - Maße [mm] Index “P“ 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 17 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V]KBPC5000F Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) KBPC5000F 35 50 KBPC5001F 70 100 KBPC5002F 140 200 KBPC5004F 280 400 KBPC5006F 420 600 KBPC5008F 560 800 KBPC5010F 700 1000 KBPC5012F 800 1200 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 90 A 2) Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 400/450 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS 800 A2s -50...+150°C -50...+150°C Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 KBPC5000F ... KBPC5012F Characteristics Kennwerte Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 25 A VF < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 25 µA 50 A 46 A Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.2 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 120 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 2 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 2 400a-(25a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG