EPSONTOYOCOM MG

Crystal oscillator
PLL選択出力水晶発振器
MG-7010SA
製品型番（２ページを参照）
Q33M11SAxxxxx00
15周波数より任意の１周波数を選択出力可能
高密度実装対応、リフロー可能なSMD
● スタンバイとアウトプットイネーブル機能により出力を制御可能
● CMOS ICによる低消費電流
●
●
原 寸 大
■仕 様（特性）
項 目
周波数切り替え時間
記 号
tft
出力周波数範囲
fo
仕 様
10 ms Max.
20.0000 MHz∼120.0000 MHz.
20.0000 MHz∼80.0000 MHz.
最 大 供 給 電 圧 VDD-GND
電源電圧
動 作 電 源
VDD
保 存 温 度
TSTG
温度範囲
動 作 温 度
TOPR
f / fO
周波数安定度
lOP
消 費 電 流
出力ディセーブル時電流
スタンバイ 時電流
デ ュー テ ィ
“H”レベル出力電圧
条 件
Ｓ0,Ｓ1,S2,Ｓ3 端子入力変更時
VDD=4.5 V∼5.5 V
VDD=2.7 V∼5.5 V
-0.5 V∼+7.0 V
2.7 V∼5.5 V
単品での保存
-55 ˚C∼+100 ˚C
-20 ˚C∼+70 ˚C
Ｃ：±100 × 10-6
45 mA Max.
-20 ˚C∼+70 ˚C,VDD=2.7 V∼5.5 V
無負荷時,f0=120 MHz
OE=GND,f0=120 MHz
ST=GND
1.4 Vレベル
25 mA Max.
IOE
IST
tW / t
10 µA Max. 40 %∼60 %
VDD - 0.5 V Min.
lOH=-16 mA（VDD=5±0.5 V）
0.4 V Max.
25 pF Max.
15 pF Max.
2.0 V Min.
lOL=16 mA（VDD=5±0.5 V）
VDD=4.5 V∼5.5 V,f0≦80 MHz
“ L”レベル出力電圧
VOH
VOL
出力負荷条件
CL
“H”レベル入力電圧
“ L”レベル入力電圧
VIH
VIL
出力上昇時間
出力下降時間
発振開始時間
経 時 変 化
tTLH
tTHL
tOSC
fa
4.0 ns Max.
4.0 ns Max.
10 ms Max.
±5 × 10-6 / 年 Max.
耐 衝 撃 性
S.R.
±20 × 10-6 Max.
VDD=2.7 V∼4.5 Vまたは,f0＞80 MHz
ST,OE端子
ST,OE端子
0.8 V Max.
20 %→ 80 %VDDレベル
80 %→ 20 %VDDレベル
VDD=4.5 V時のtを0とする
Ta=+25 ˚C, VDD＝5.0 V / 3.3 V, 初年度
硬木上750 mm × 3回または
29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3方向
■出力周波数
出 力 周 波 数 （MHz）
周波数選択
100.0 33.33
0
0
0
0
0
0
0
1
S3
S2
S1
S0
30.0
0
0
1
0
120.0
0
0
1
1
25.0
0
1
0
0
70.0
0
1
1
0
5.0
7.4±0.2
M 70 10 C
E 935 6A
#7
0. 15
10˚
0.6
0.05 Min.
0˚∼
3.1
3.2±0.1
10.1±0.2
0.35
1.27
75.0
1
0
0
0
端子番号
1
2
#8
#1
80.0
0
1
1
1
66.66
1
0
0
1
60.0
1
0
1
0
60.0
1
0
1
1
50.0
1
1
0
0
45.0
1
1
0
1
90.0
1
1
1
0
40.0
1
1
1
1
（単位：mm） ■端子接続表
■外形寸法図
#14
20.0
0
1
0
1
※モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合がありますが、
特性に影響はありません。
端子記号
S3
機 能
周波数選択3
GND端子
周波数選択0
周波数選択1
アウトプットイネーブル選択
OE=“H”→ 出力、“L”→“Hインピーダンス”
４
5
GND
S0
S1
6
OE
7
ST
8
13
14
3,9,10,
11,12
VDD
OUT
S2
スタンバイ選択
ST=“H”→ 出力、“L”→“Lレベル”
電源端子
出力端子
周波数選択2
N.C
内部接続無し
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