ETC KM416C256ALJ-7

KM416C256ALJ-7(1/2)
IL00
**********
C-MOS 4M (256K X 16)-BIT DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
-TOP VIEW-
16
DQ1 I/O
1 VDD(+5V)
2
GND 40
39 DQ16 I/O
17
18
19
DQ2 I/O 3
38 DQ15 I/O
DQ3 I/O 4
37 DQ14 I/O
DQ4 I/O 5
36 DQ13 I/O
22
23
24
25
6 VDD(+5V)
DQ5 I/O 7
GND 35
26
A0
DQ1
A1
DQ2
A2
DQ3
A3
DQ4
A4
DQ5
A5
DQ6
A6
DQ7
A7
DQ8
A8
DQ9
34 DQ12 I/O
DQ10
14
DQ6 I/O 8
33 DQ11 I/O
DQ7 I/O 9
32 DQ10 I/O
DQ8 I/O 10
31 DQ9 I/O
11 NC
29
28
RAS
DQ11
LCAS
DQ12
UCAS
DQ13
DQ14
DQ15
NC 30
DQ16
12 NC
29 LCAS IN
W
W IN 13
28 UCAS IN
RAS IN 14
27 OE IN
15 NC
26 A8 IN
A0 IN 16
25 A7 IN
A1 IN 17
24 A6 IN
A2 IN 18
23 A5 IN
A3 IN 19
22 A4 IN
20 VDD(+5V)
A0 - A8
RAS
UCAS
LCAS
W
OE
DQ1 - DQ16
;
;
;
;
;
;
;
GND 21
ADDRESS INPUTS
ROW ADDRESS STROBE INPUT
UPPER COLUMN ADDRESS STROBE INPUT
LOWER COLUMN ADDRESS STROBE INPUT
READ / WRITE INPUT
DATA OUTPUT ENABLE INPUT
DATA INPUTS / OUTPUTS
13
OE
27
2
3
4
5
7
8
9
10
31
32
33
34
36
37
38
39
KM416C256ALJ-7(2/2)
RAS
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
;
;
;
X
HI-Z ;
RAS
LCAS
UCAS
W
LCAS
1
1
0
1
0
0
1
0
0
UCAS
1
1
1
0
0
1
0
0
0
W
1
1
1
1
1
0
0
0
1
OE
1
1
0
0
0
1
1
1
1
DQ1 - DQ8 DQ9 - DQ16
STATE
HI-Z
STANDBY
HI-Z
HI-Z
HI-Z
REFRESH
DQ-OUT
HI-Z
LOWER BYTE READ
DQ-OUT
UPPER BYTE READ
HI-Z
DQ-OUT
DQ-OUT
WORD READ
DQ IN
X
LOWER BYTE WRITE
UPPER BYTE WRITE
X
DQ-IN
DQ-IN
DQ-IN
WORD WRITE
HI-Z
HI-Z
LOW LEVEL
HIGH LEVEL
DON'T CARE
HIGH IMPEDANCE
14
29
28
CONTROL
CLOCKS
13
VDD
1, 6, 20
GND
21, 35, 40
VBB GENERATOR
LOWER
DATA IN
BUFFER
2-5
7 - 10
DQ1 - DQ8
REFRESH
COUNTER
MEMORY ARRAY
262, 144X16
CELLS
ROW ADDRESS
BUFFER
16 - 19
22 - 26
A0 - A8
COL ADDRESS
BUFFER
LOWER
DATA OUT
BUFFER
ROW DECODER
COLUMN
DECODER
SENSE AMPS & IO
REFRESH
CONTROL
UPPER
DATA IN
BUFFER
OE
31 - 34
36 - 39
DQ9 - DQ16
UPPER
DATA OUT
BUFFER