ME331B Ver 00 ME331B DC/DC 升压转换器 ME331B DC/DC 芯片是采用 CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型直流/直流升压 转换器 该芯片由振荡器 VFM 控制电路 LX 开关驱动晶体管 基准电压单元 误差比较放大 器 电压采样电阻 LX 开关保护电路等部分组成 ME331B DC/DC 升压转换器具有低纹波 高 效率等特点 外围只需接三个元件 ME331B DC/DC 芯片适用于低噪声 小电流的电池供电设备 1 电池供电设备的电源部分 2 无线鼠标 无线键盘 照相机 摄象机 VCR PDA 手持电话 电动玩具等便携式设 备的电源部分 3 要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分 一 1 2 3 4 5 6 7 二 特点 只需少量的外接元件 仅一只肖特基管 一只电感和一只电容 极低的输入电流 典型值为 6µA(无负载 输入电压为 1.5V 时) 输出电压高精度 2.5% 低纹波及低噪声 启动电压低 最高值为 0.9V 输入电流为 1mA 时 高效率 典型值为 80% 封装体积小 SOT-89-3 芯片模型及引脚介绍 封装形式 引脚说明 引脚号 SOT-89-3 符号 ss OUT Lx 引脚描述 接地引脚 升压输出引脚 开关引脚 1 (6) ME331B Ver 00 三 功能块框图 四 主要参数及工作特性 测试条件 VIN=1.98V 测试电路见第 3 页 主要参数如下表 符号 含义 VOUT VIN 输出电压 输入电压 Vstart 启动电压 Vhold 保持电压 IIN1 IIN2 输入电流 1 输入电流 2 开关管合闸电 流 开关管漏电流 振荡频率 占空比 效率 ILX ILXleak Fosc Maxdty VSS=0V IOUT=10mA 测试条件 Topt=25 最小 3.218 IOUT=1mA VIN 0 2V IOUT=1mA VIN 2 0V 无负载时 VIN_=3.5V 0.7 VLX=0.4V, VIN=2.85V 40 有特殊说明除外 数值 典型 3.300 0.8 L )side 2 (6) 0.9 单位 V V V V 8 6 12 µA µA mA VIN=3.5V VLX=6V on(VLX 最大 3.383 8 0.5 180 75 80 µA kHz % % ME331B Ver 00 五 测试电路 Inductor 47 H Diode 肖特基二极管(正向压降约 0.2V) Capacitor 钽电容 47 F 六 工作原理 ME331B 升压转换器利用电感对能量的存储 而获得高于输入电压的输出电压 如图 并通过其与输入端电源共同的泄放作用 开关式 DC/DC 升压转换器工作原理图 3 (6) 从 ME331B Ver 00 七 外部器件的选择及注意事项 外围电路对 ME331B 性能影响很大 需合理选择外部器件 1 外接电容值不宜小于 10 F 电容值过小将导致输出纹波过大 同时要有良好的频率 特性 最好使用钽电容 此外 由于 LX 开关驱动晶体管关断时会产生一尖峰电压 电容的容压值至少为设计输出电压的 3 倍 普通的铝电解电容 ESR 值过高,所以可选 购专门应用于开关式 DC/DC 转换器的铝电解电容 如 OS-CON 电容 2 外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的 LX 开关时间内能够存储足够 的能量 同时 电感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的 LX 开关时间时 ILXMAX 超出最大额定值 此外 外接电感的直流阻抗要小 容流值要高且工作时不 至于达到磁饱和 3 外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管 注意事项 1 外部元器件与芯片距离越小越好 连线越短越好 特别是接到 OUT 端的元器件应尽量 减短与电容的连线长度 建议在芯片 OUT 和 Vss 两端并接一 0.1µ的陶瓷电容 2 Vss 端应充分接地 否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化 造成工作状态不稳 定 八 ME331B 升压芯片应用实例 典型应用电路 上图是能将输入电压 <3.3V 转换成 3.3V 输出的最基本应用电路 4 (6) ME331B Ver 00 降压电路 升压/降压电路 注 以上电路中的启动电路 5 (6) ME331B Ver 00 九 封装尺寸 SOT-89-3 6 (6)