モノリシック型 ホールIC EMシリーズ EM6681 梱包は3000個/巻のテ−ピングとなります。 EM6681は、 ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ホールICです。 ホール素子はパルス駆動されているため、 VDD=3V時平均消費電流5.5μAときわめて低消費電力です。 両極検知 電源電圧 ホール素子 超高感度 出力形式 薄型表面実装 2.4∼3.3Ｖ パルス駆動 Bop：3mT CMOS出力 パッケージ ●磁電変換特性 Vout S or N VOH H マーク面 1：VDD 2：VSS 3 1 BhN BhS VOL 3：OUT N or S L 0 N極 BopN BrpN 印加磁束の方向 BrpS BopS S極 ●回路構成 磁束密度 1:VDD Switch 項 目 記号 定 格 単 位 電 源 電 圧 VDD −0.1 ∼ 5 V 出 力 電 流 Iout ±1 mA −30 ∼ 85 ℃ 動 作 周 囲 温 度 Topr 保 存 温 度 Tstg −40 ∼ 125 Dynamic Offset Cancellator ●最大定格（Ta=25℃） 2:VSS Pulse Hall Chopper Amplifier Regulator Element Stabilizer ℃ ●電気的特性（Ta=25℃ VDD=3V） 項 目 記号 動作電圧範囲 測 定 条 件 BhS ヒ ス テリシ ス 幅 I B h NI パルス駆動周期 Tp 出力High電圧 VOH Io=−1.0mA 出力Low電圧 VOL Io=＋1.0mA 電 IDD 平均値 源 電 流 最小 2.0* BrpS 出力L→H磁束密度 IBrpNI Schmitt trigger &Latch Output Stage ●磁界特性（Ta=30℃∼85℃ VDD=3V） 2.4 VDD BOPS 出力H→L磁束密度 IBOPNI 3:OUT 標準 3.0 3.0 最大 3.3 4.0 最小 標準 最大 単位 V B S 出力H→L磁束密度 IBOPNI OP 1.8 3.0 4.2 mT mT BrpS 出力L→H磁束密度 IB NI rp 1.0 2.2 3.4 mT B S ヒ ス テリシ ス 幅 BhN I h I 0.1 0.8 1.5 mT 単位 1.2 2.2 3.2* mT 0.3* 0.8 1.5* mT 50 100 ms V VDD −0.4 0.4 V 10 μA 項 目 記号 測 定 条 件 注）本特性は設計保証となります。 ●外付け部品推奨回路 GND VSS 5.5 外付けコンデンサ 0.1μF EM6681 VDD 1［mT］=10［Gauss］ OUT 「*」印の特性値は設計保証値になります。 VDD CMOS出力 EM6681 •製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、 自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財 産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。 b ●外形寸法図（単位：ｍｍ） ●（参考）ランド形状（単位：mm） 0.95 0.95 3 0.3 1.00 0.3 2.60 0.0±0.05 5° 1.0±0.1 0.75 5° 0.70 端子番号 1 2 3 接続 VDD VSS OUT f 1.00 1 0.70 5° 0.3 0.70 3.1±0.1 5° 0.48 φ0.3 Sensor Center 5° 0.11 5° 2.2±0.1 3.0±0.1 0.4 2 機能 電源ピン GND 信号出力ピン 0.95 0.95 5° 5° ※注 センサに中心はφ0.3mmの 円内に位置します。 ●使用電圧範囲 ●パルス駆動消費電流（VDD=3V） 3.4 48μs 3.2 入力電圧［V］ i 50ms IDD IDD ON （TYP : 3mA） 3 2.8 2.6 IDD （TYP : 5.5μA） 2.4 IDD OFF （TYP : 3μA） time 2.2 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度［℃］ ●動作タイミング ●動作磁束密度温度特性 6 IDD 動作磁束密度［mT］ 4 IDD BopS o 2 BopS 0 VDD＝3V t Bop B t Brp BrpN −2 BrpN −4 −6 −50 B 0 50 周囲温度［℃］ Vout High 100 t Vout High t Low Low t Operate Point Timing t Release Point Timing