抵抗内蔵トランジスタ UNR5225/5226/5227 シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形 (0.425) Unit : mm ミューティング用 0.3+0.1 –0.0 ■ 特 長 0.15+0.10 –0.05 2.1±0.1 5˚ 1.25±0.10 • UNR5225 • UNR5226 • UNR5227 0.9+0.2 –0.1 2 0.2±0.1 1 ■ 品種別抵抗値 形名表示記号 FZ FY FW 0.9±0.1 3 • コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低く,ミューティ ング回路に最適 • 高電流値で使用可能 (0.65) (0.65) (R1) 10 kΩ 4.7 kΩ 6.8 kΩ (R2) 6.8 kΩ 1.3±0.1 2.0±0.2 10˚ 項目 記号 定格 単位 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO 30 V コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO 20 V エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO 5 V コレクタ電流 IC 600 mA 全許容損失 PT 150 mW 接合温度 Tj 150 °C 保存温度 Tstg −55 ∼ +150 °C 0 to 0.1 ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C 1 : Base 2 : Emitter 3 : Collector EIAJ : SC-70 SMini3-G1 Package 内部接続図 R1 C B R2 E ■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 コレクタ・ベース間電圧 (E開放時) VCBO IC = 1 µA, IE = 0 30 V コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO IC = 1 mA, IB = 0 20 V エミッタ・ベース間電圧 (C開放時) VEBO IE = 1 µA, IC = 0 5 コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO VCB = 30 V, IE = 0 エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) IEBO VEB = 5 V, IC = 0 直流電流 UNR5227 hFE VCE = 5 V, IC = 50 mA 増幅率 UNR5225/5226 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 入力抵抗 UNR5226 −30% オン抵抗 UNR5226 mV +30% kΩ 1.2 10 R1/R2 Ron 0.8 VI = 7 V, RL = 1 kΩ, f = 1 kHz UNR5227 1.0 0.95 Ω 1.1 UNR5225 トランジション周波数 4.7 80 6.8 UNR5225 * µA 600 IC = 50 mA, IB = 2.5 mA R1 1 100 VCE(sat) µA 70 UNR5227 抵抗比率 UNR5227 V 1 1.5 fT VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz 200 MHz 注 ) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。 2. * : R on 測定回路参照 発行年月 : 2004年1月 SJH00043BJD 1 UNR5225/5226/5227 ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C ± 3°C • Ron 測定回路 RL R1 f = 1 kHz V = 0.3 V R2 VI VB VV VA Ron = VB × RL (Ω) VA−VB 共通特性図 PT Ta 250 全許容損失 PT (mW) 200 150 100 50 0 0 40 80 120 160 周囲温度 Ta (°C) UNR5225 特性図 VCE(sat) IC IB = 1.0 mA 300 0.9 mA 0.8 mA 200 0.7 mA 0.6 mA 0.5 mA 0.4 mA 100 0.3 mA 0.2 mA 0.1 mA 0 0 2.5 5.0 7.5 10.0 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 2 103 hFE IC 250 IC / IB = 10 VCE = 10 V 200 Ta = 75°C 直流電流増幅率 hFE コレクタ電流 IC (mA) Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (mV) IC VCE 400 102 150 Ta = 75°C 25°C −25°C 100 10 25°C −25°C 50 0 1 1 10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00043BJD 102 1 10 102 103 コレクタ電流 IC (mA) 104 UNR5225/5226/5227 Cob VCB IO VIN 102 f = 1 MHz VIN IO 102 VO = 5 V Ta = 25°C VO = 0.2 V Ta = 25°C 10 5 入力電圧 VIN (V) 10 出力電流 IO (mA) コレクタ出力容量(入力開放時)Cob (pF) 14 1 10 −1 10 1 10 −2 1 10 −3 0.25 102 10 1 0.75 10 −1 10 −3 1.25 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 10 −2 10 −1 1 10 102 出力電流 IO (mA) UNR5226 特性図 VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) 400 IB = 1.0 mA 0.9 mA 300 0.8 mA 0.7 mA 0.6 mA 200 0.5 mA 0.4 mA 0.3 mA 100 0.2 mA 0.1 mA 0 0 2.5 5.0 7.5 10.0 500 102 Ta = 75°C 300 25°C 25°C −25°C 200 −25°C 10 100 1 1 10 102 0 103 1 IO VIN 102 f = 1 MHz 102 10 103 104 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) Cob VCB VIN IO 102 VO = 5 V Ta = 25°C VO = 0.2 V Ta = 25°C 10 5 入力電圧 VIN (V) 10 出力電流 IO (mA) コレクタ出力容量(入力開放時)Cob (pF) VCE = 10 V 400 Ta = 75°C コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 14 hFE IC 103 I / I = 10 C B 直流電流増幅率 hFE VCE = 10 V コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (mV) IC VCE 500 1 10 −1 10 1 10 −2 1 1 10 102 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 10 −3 0.25 0.75 1.25 入力電圧 VIN (V) SJH00043BJD 10 −1 10 −3 10 −2 10 −1 1 10 102 出力電流 IO (mA) 3 UNR5225/5226/5227 UNR5227 特性図 IB = 1.0 mA 300 0.9 mA 0.8 mA 0.7 mA 200 0.6 mA 0.5 mA 0.4 mA 100 0.3 mA 0.2 mA 0.1 mA 0 0 2 4 6 10 IC / IB = 10 200 102 Ta = 75°C −25°C 10 1 10 102 0 103 1 コレクタ電流 IC (mA) f = 1 MHz 102 10 103 104 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN VIN IO 102 VO = 5 V Ta = 25°C VO = 0.2 V Ta = 25°C 10 16 出力電流 IO (mA) コレクタ出力容量(入力開放時)Cob (pF) −25°C 25°C 102 12 8 1 10 −1 10 1 10 −2 4 1 10 102 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 4 25°C 100 Cob VCB 0 VCE = 10 V Ta = 75°C コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 20 hFE IC 300 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C 103 入力電圧 VIN (V) コレクタ電流 IC (mA) VCE(sat) IC コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (mV) IC VCE 400 10 −3 0.25 0.75 1.25 入力電圧 VIN (V) SJH00043BJD 10 −1 10 −3 10 −2 10 −1 1 10 出力電流 IO (mA) 102 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術情報のうちで、 「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸 出する時、または、 国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 弊社も しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ りません。 (3) 上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、 当社はそ の責を負うものではありません。 (4) 本資料に記載されている製品は、標準用途 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家 電製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ す恐れのある用途 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など ) にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事 前に弊社営業窓口までご相談願います。 (5) 本資料に記載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合が ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、 事前に 最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。 (6) 設計に際して、特に最大定格、 動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた だきますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥に ついては弊社として責任を負いません。 また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー ドをご考慮の上、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを 生じさせない冗長設計、 延焼対策設計、 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます ようお願い致します。 (7) 防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保 存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断 り致します。 2003 SEP