2SC5877S トランジスタ 中電力増幅用 (60V, 0.5A) 2SC5877S !外形寸法図 (Unit : mm) !特長 1) スイッチング速度が速い。 ( Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA) 2) VCE (sat) が低い。 (Typ. : 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) 安全動作領域が広く、インダクタンス負荷及び コンデンサ負荷に強い。 4) 2SA2089S とコンプリである。 4.0 2.0 （15Min.） 3Min. 3.0 SPT 0.45 2.5 0.5 0.45 5.0 (1) Emitter (2) Collector (3) Base (1) (2) (3) テーピング仕様です。 標印：C5877S !用途 低周波増幅、高速スイッチング !構造 NPN エピタキシャルプレーナ形 シリコントランジスタ !包装仕様 包装名 Type テーピング 記号 TP 基本発注単位 (個) 5000 2SC5877S !絶対最大定格 (Ta=25°C) Symbol Limits Unit コレクタ・ベース間電圧 VCBO 60 V コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 60 V エミッタ・ベース間電圧 VEBO 6 V 直流 IC 0.5 A パルス ICP 1.0 A コレクタ損失 PC 300 mW ジャンクション温度 Tj 150 °C Tstg −55~150 °C Parameter コレクタ電流 保存温度 ∗ ∗Pw=10ms 1/3 2SC5877S トランジスタ !電気的特性 (Ta=25°C) Parameter コレクタ・エミッタ降伏電圧 コレクタ・ベース降伏電圧 エミッタ・ベース降伏電圧 コレクタ遮断電流 エミッタ遮断電流 Symbol BVCEO BVCBO BVEBO ICBO IEBO Min. 60 60 6 − − Typ. − − − − − Max. − − − 1.0 1.0 Unit V V V µA µA コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE (sat) − 150 300 mV hFE 120 − 390 − fT − 300 − MHz コレクタ出力容量 Cob − 5 − pF ターンオン時間 蓄積時間 下降時間 Ton Tstg Tf − − − 70 130 80 − − − ns ns ns 直流電流増幅率 利得帯域幅積 Condition IC=1mA IC=100µA IE=100µA VCB=40V VEB=4V IC=100mA IB=10mA VCE=2V IC=50mA VCE=10V IE= −100mA f=10MHz VCB=10V IE=0mA f=1MHz IC=500mA IB1=50mA IB2= −50mA VCC 25V ∗1 ∗1 ∗2 ∗1 単発パルス ∗2 スイッチング測定回路図参照 !hFE ランク分類 Q 120−270 R 180−390 !電気的特性曲線 0.1 DC Single non repetitive Pulsed 0.01 0.1 1 10 Tstg 100 Tf Ton 10 0.01 100 0.1 1 1000 100 Ta=125°C Ta=25°C Ta= −40°C 10 1 0.001 10 VCE=2V 0.01 0.1 1 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V) COLLECTOR CURRENT : IC (A) COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.1 Safe Operating Area Fig.2 Switching Time Fig.3 DC Current Gain vs. Collector Current (Ι) 10 Ta=25°C 100 VCE=5V VCE=3V VCE=2V 10 1 0.001 0.01 0.1 COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.4 DC Current Gain vs. Collector Current (ΙΙ) 1 1 Ta=125°C Ta=25°C Ta= −40°C 0.1 0.01 0.001 10 IC / IB=10 / 1 COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE (sat) (V) 1000 DC CURRENT GAIN : hFE SWITCHING TIME : (ns) 100ms 10ms 1ms 500µs COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE (sat) (V) COLLECTOR CURRENT : IC (A) 1 Ta=25°C VCC=25V IC / IB=10 / 1 DC CURRENT GAIN : hFE 1000 10 0.01 0.1 1 10 COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current (Ι) Ta=25°C 1 IC / IB=20 / 1 IC / IB=10 / 1 0.1 0.01 0.001 0.01 0.1 1 COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current (ΙΙ) 2/3 2SC5877S トランジスタ 1 Ta=125°C Ta=25°C Ta= −40°C 0.1 0.01 0.001 0.01 0.1 COLLECTOR CURRENT : IC (A) COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF) 0.1 1000 Ta=25°C VCE=10V 100 10 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V) Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage vs. Collecter Current 100 Ta=125°C Ta=25°C Ta= −40°C 0.01 1 VCE=2V TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz) 1 IC / IB=10 / 1 COLLECTOR CURRENT : IC (A) BASE EMITTER SATURATION VOLTAGE : VBE (sat) (V) 10 1 0.001 0.01 0.1 1 10 EMITTER CURRENT : IE (A) Fig.8 Grounded Emitter Propagation Characteristics Fig.9 Transition Frequency Ta=25°C f=1MHz 10 1 0.1 1 10 100 BASE TO COLLECTOR VOLTAGE : VCB (V) Fig.10 Collector Output Capacitance !スイッチング特性測定回路図 RL=50Ω VIN IB1 IC VCC 25V PW IB2 PW 50 S Duty cycle 1% IB1 IB2 ベース電流波形 90% IC コレクタ電流波形 10% Ton Tstg Tf 3/3