ETC XP0D873(XP1D873)

複合トランジスタ
XP0D873 (XP1D873)
シリコンNチャネル接合形FET
0.425
Unit : mm
アナログスイッチ用
0.20±0.05
5
0.12+0.05
–0.02
4
5˚
• 1 パッケージに 2 素子内蔵
• 実装面積とアセンブリコストの半減が可能
0.2±0.1
1.25±0.10
2.1±0.1
■ 特 長
■ 基本品種
3
1
2
0.65
0.65
1.3±0.1
2.0±0.1
• 2SK1103 × 2
記号
定格
単位
VGDS
−50
V
ドレイン電流
ID
30
mA
ゲート電流
IG
10
mA
全許容損失
PT
150
mW
チャネル温度
Tch
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
ゲート・ドレイン間降伏電圧
0 to 0.1
項目
0.9±0.1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
0.9+0.2
–0.1
10˚
1 : Source (FET1)
2 : Drain
3 : Source (FET2)
EIAJ : SC-88A
4 : Gate (FET2)
5 : Gate (FET1)
SMini5-G1 Package
形名表示記号 : OC
内部接続図
5
4
FET1
FET2
1
2
3
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
記号
条件
最小
ゲート・ドレイン間降伏電圧
項目
VGDS
IC = −10 µA, VDS = 0
−50
ドレイン・ソース間遮断電流
IDSS
VDS = 10 V, VGS = 0
0.2
ゲート・ソース間遮断電流
IGSS
VGS = −30 V, VDS = 0
VGSC
VDS = 10 V, ID = 10 µA
−1.5
RDS(on)
VDS = 10 mV, VGS = 0
300
Ω
2.5
mS
7
pF
ゲート・ソース間遮断電圧
ドレイン・ソース間オン抵抗
標準
最大
単位
V
6.0
mA
−10
nA
−3.5
V
相互コンダクタンス
gm
VDS = 10 V, ID = 1 mA, f = 1 kHz
入力静電容量（ソース接地）
Ciss
VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 MHz
出力静電容量（ソース接地）
Coss
1.5
pF
帰還静電容量（ソース接地）
Crss
1.5
pF
1.8
注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C7030 トランジスタ測定方法によります。
注) 形名の( )内は , 従来品番です
発行年月 : 2003年12月
SJJ00223BJD
1
XP0D873
PT  Ta
ID  VDS
ID  VGS
2.0
1.6
250
VDS = 10 V
Ta = 25°C
VGS = 0 V
1.6
150
100
1.2
− 0.1 V
− 0.2 V
0.8
− 0.3 V
0.4
− 0.4 V
50
0
0
40
80
120
0
160
0
周囲温度 Ta (°C)
2
Yfs  VGS
8
10
VDS = 10 V
Ta = 25°C
4
3
2
1
−1.2
− 0.8
− 0.4
0
VDS = 10 V
Ta = 25°C
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
ドレイン電流 ID (mA)
SJJ00223BJD
0.8
25°C
0
−1.2
75°C
−1.0 − 0.8 − 0.6 − 0.4 − 0.2
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
Yfs  ID
順方向伝達アドミタンス Yfs (mS)
順方向伝達アドミタンス Yfs (mS)
6
5
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
2
4
Ta = −25°C
1.2
0.4
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
5
0
−1.6
ドレイン電流 ID (mA)
ドレイン電流 ID (mA)
全許容損失 PT (mW)
200
6
0
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存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
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2003 SEP