Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules DD1200S33K2C Vorläufige Daten preliminary data Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values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harakteristische Werte / characteristic values % - -../ 1 $ % & 0 G W5XYQM * " <GZ [U\ G W]KMXYM * " <GZ [U\ !" # 1 FQRT^ :# 9+ 9+ 4 4 B B "H9 " 9 - UG < UG < Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules DD1200S33K2C Vorläufige Daten preliminary data Modul / module 2 $ F=%9 * + _&9 * " ' 4 & F=%9 * + _&9 J5d e " : U 0 L = = -`abc 7 Z # 2L '() * +, 9 " " EH\ !9 -`abc 9! -TD d "E 2 & U U U U U I U U U U I G 9 9 G "g9 "g9 G G 1 : '2 h6 # V <O 1 = G W5XYQM * " <GZ [U\ G W]KMXYM * " <GZ [U\ 9 = O = 4 1 & O P 'T * +, 9 i1 G UG < + _ 9 '() @Xm 1 # # o 4 & !9 FTTjkDDj % 4 & :# 9 % ' FQRT^ # YTD 9 : - 4f U _I - 4% = - - # #4 o l "+ , '() >n 6 " + , 'YQ] 6 " + , % G 1 =! = 69 + +9H+ f % % G G 1 =6 1 =E = "9E E9 9" " f f 7 1 1 7 " Dauergleichstrom: chipbezogener Wert; Terminalwert pro Zweig: <1000A DC forward current: chip related value; terminal value per arm: <1000A Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. !" # 2 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules DD1200S33K2C Vorläufige Daten preliminary data 0 p 1 23 * Z-3\ 0 < #Z Z \ ' 1 0 < 100 '() * +, '() * " +, 2000 iQRST 0 10 iQRST qUG <r 1600 1200 800 1 400 AqUG <r Aq r 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,1 0,001 4,0 -3 q-r % 4 0 < # Z%s4\ Z%s4\ 3000 2.9 = 2400 2. q4r 1800 1200 600 0 500 1000 1500 2000 0,01 0,1 q r 2. * Z-.\ '() * " +, 0 # iQRST * Z \ 2400 2T q4r <O \ 2500 3000 3500 -. q-r !" # 3 " H9!+ 69 + "9 9 9" 9 1 6 69 E " 10 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules DD1200S33K2C Vorläufige Daten preliminary data Schaltplan / circuit diagram Gehäuseabmessungen / package outlines !" # 4