ETC 3CT501

华晶分立器件
3CT501
管壳额定反向阻断三极闸流晶体管
1 概述与特点
3CT501 型三极闸流晶体管 主要用于漏电保护器 电子点火器及其他控制电路中 该产品具
有较高的可靠性 其特点如下
断态峰值电压高 漏电流小
控制极触发电流离散性小
1.5
通态峰值电压低
封装形式 TO-92
2 电特性
10
A
0.1
-40 110
W
4.2max
标志
2max
单位
V
V
A
12.7min
额 定 值
500
500
1
5.3max
5.3max
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
VDRM
断态重复峰值电压
VRRM
反向重复峰值电压
IT(AV)
通态平均电流
通态 不重复 浪涌
ITSM
电流
PG(AV)
控制极平均功率
Tstg
贮存温度
0.45
0.45
2.54
K G A
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
通态峰值电压
VTM
断态重复峰值电流
IDRM1
维持电流
IH
控制极触发电流
测 试 条 件
最小
IT=1A
VDRM=500V
RGK=1k
VD=6V
IGT1
VAK=6V RL=100
控制极触发电压
VGT1
控制极不触发电压
VGD
VAK=6V RL=100
VDM=400V
Tj=110
RGK=1k
规 范 值
典型 最大
1.7
5
30
67
140
0.5
0.1
单位
V
0. 05
mA
5
50
93
135
250
0.8
mA
A
A
A
A
V
V
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
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传真
0510 5800360
华晶分立器件
3CT501
3 特性曲线
IGT - Ta 关系曲线
IGT( A)
i
iT - vT 关系曲线
T
(mA)
8000
160
Tj=25
tot-case
4000
1000
80
300
100
0
-40
50
0
40
80
120
Ta(
第 2 页
0.9
)
共 2 页
1.3
1.7
2.1
2.5
v (V)
T