ETC 3DD1545

华晶分立器件
3DD1545
低频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DD1545 硅 NPN 型高反压大功率晶体管, 主要用作 21 英寸彩电开关电源 该产品采用台面结
构工艺 其特点如下
击穿电压高 漏电流小
开关速度快
饱和压降低
电流特性好
封装形式 TO-3P(H)IS
5.5max
3max
3.6
15.5max
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
额定值
600
1500
5
5
3
50
150
-55 150
Ptot
Tj
Tstg
单位
V
V
V
A
标 记
17max
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
26.5max
4.5
2 电特性
2max
0.75max
3.3min
W
5.45 5.45
B
C
0.9max
E
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
ICB0
IEB0
VCB=1500V, IE=0
VEB=5V, IC=0
hFEa
VCE=5V, IC=1A
VCEsata
VBEsata
下降时间
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp 300 s,
测 试 条 件
IC=4A, IB=0.8A
IC=4A, IB=0.8A
VCC=105V, IC=4A
2IB1=-IB2=0.8A
VCE=10V, IC=100mA
f=0.3MHz
规 范 值
最小 典型 最大
1
10
单位
mA
A
8
5
1.5
1
1
V
V
s
MHz
2%
无锡华晶微电子股份有限公司
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电话
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传真
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华晶分立器件
3DD1545
3 特性曲线
Ptot - T 关系曲线
安全工作区(直流)
IC (A)
Ptot (W)
Tcase=25
40
Ptot-Tcase
1
30
20
0.1
10
Ptot-Tamb
0.01
1
hFE
10
100
0
VCE (V)
0
50
100
T( )
VBEsat - IC 关系曲线
hFE - IC 关系曲线
VBEsat (V)
Tamb=25
VCE=5V
Tamb=25
IC/IB=5
1.2
10
0.8
0.4
1
0.01
0.1
IC (A)
1
0.1
VCEsat-IC 关系曲线
V
CEsat
(V)
Tamb=25
IC/IB=5
1
0.1
0.1
1
IC(A)
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IC (A)