华晶分立器件 3DD4706A 低频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DD4706A 硅 NPN 型高反压大功率晶体管 主要用作 29 英寸彩电开关电源 该产品采用平面 结构工艺 其特点如下 击穿电压高 漏电流小 开关速度快 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-3P(N) 2 电特性 5.1max 15.80max 5.1 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 20.3max 额定值 600 900 7 14 4 130 150 -55 150 3.2 19.5min 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC 18.3max 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 2 1.0 W 2.8 5.45 B 0.6 5.45 C E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=900V, IE=0 VEB=7V, IC=0 hFEa VCE=5V, IC=1A VCEsata VBEsata 下降时间 tf 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 IC=7A, IB=1.4A IC=7A, IB=1.4A VCC=140V, IC=7A IB1=1.1A, IB2=-3.7A VCE=10V, IC=1A f=0.3MHz 规 范 值 最小 典型 最大 1 10 10 单位 mA A 40 1 1.2 0.7 3 V V s MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DD4706A 3 特性曲线 安全工作区(直流) IC (A) Ptot-T 关系曲线 Tcase=25 Ptot (W) 150 Ptot-Tcase 10 100 1 50 Ptot-Tamb 0.1 1 10 0 0 VCE (V) 100 50 100 T( ) VCEsat-IC 关系曲线 hFE-IC 关系曲线 hFE VCEsat (V) Tamb=25 VCE=5V Tamb=25 IC/IB=5 1 10 0.1 1 0.1 1 IC (A) 10 0.01 0.1 VBEsat-IC 关系曲线 V BEsat (V) Tamb=25 IC/IB=5 0.8 0.4 0.1 1 IC(A) 第 2 页 共 2 页 1 IC (A)