BD7910FV 光ディスク IC D-MOS FET 内蔵 1chip 録音ヘッドドライバ BD7910FV BD7910FV は、従来ディスクリートで構成されていた録音ヘッドコイルをドライブする D-MOS FET とそのプリドラ イバ部、及び、シリーズレギュレータを 1chip に内蔵した MD 用ヘッドコイルドライバです。大幅な部品点数の削減に より、基板実装面積の縮小が図れます。 !用途 MD、MD プレーヤ !特長 1) MD の録音ヘッドコイルのドライブに必要な機能を 1 チップに内蔵。 2) 外付けで内蔵したレギュレータの出力を可変することにより、多様なヘッドコイルに対応。 3) サーマルシャットダウン回路内蔵。 4) 小型パッケージ SSOP-B20W 採用。 5) 出力段 ON 抵抗の異なる 2 つのシリーズを用意。 BA7910FV （ソース側 : 1.5Ω（Typ.）シンク側 : 2.5Ω（Typ.） ） BA7911FV （ソース側 : 0.5Ω（Typ.）シンク側 : 1.0Ω（Typ.） ） 絶対最大定格（Ta=25°C） !絶対最大定格 Parameter Symbol Limits Unit 出力段D-MOSドレイン・ ソース電圧（GND接続側） VDSH 60 V 出力段D-MOSドレイン・ ソース電圧（VDD接続側） VDSL 30 V レギュレータ部入力電圧 Vregin 15 V レギュレータ部出力電流 Iregout 400 mA Pd 1.18＊ W 動作温度範囲 Topr −25∼＋75 ℃ 保存温度範囲 Tstg −55∼＋150 ℃ 許容損失 ＊ PCB（70mm×70mm、厚さ1.6mm、ガラスエポキシ基板）実装時。 Ta＝25℃以上で使用する場合は、1℃につき9.44mWを減じる。 !推奨動作条件 Parameter レギュレータ入力電圧範囲 Symbol Limits Unit Vregin 2.7∼7.0 V ＊ 電源電圧に関しては、許容損失を考慮のうえ設定してください。 BD7910FV 光ディスク IC Regout Regdrv VOS2 VDD VOS1 VOD1 VSS VOD2 N.C. 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 ＋ − ＋ Regnf !ブロックダイアグラム − VG SVCC MUTE PRE DRIVER EFM 7 8 9 MUTE N.C. 10 N.C. 6 EFM 5 PDGND 4 SVCC RegGND 3 VG 2 RegSEL 1 Vregin Vregin !各端子説明 Pin No. 端子名 機 能 Pin No. 端子名 機 能 1 Vregin レギュレータ入力兼レギュレータ電源 20 Regnf レギュレータ帰還端子 2 RegGND レギュレータGND 19 Regout レギュレータ出力（エミッタフォロワ出力） 3 RegSEL レギュレータセレクト端子 18 Regdrv レギュレータ用外付けPNPドライブ出力 4 VG パワーMOS駆動用電圧入力 17 VOS2 ソース出力（上側パワーMOS・ソース） 5 SVCC EFMハイレベル電圧入力 16 VDD Hブリッジ部電源端子（上側パワーMOS・ドレイン） 6 PDGND プリドライブGND 15 VOS1 ソース出力（上側パワーMOS・ソース） 7 EFM EFM信号入力 14 VOD1 シンク出力（下側パワーMOS・ドレイン） 8 MUTE ミュートコントロール（HIGHアクティブ） 13 VSS Hブリッジ部GND（下側パワーMOS・ソース） 9 N.C. ― 12 VOD2 シンク出力（下側パワーMOS・ドレイン） 10 N.C. ― 11 N.C. ― BD7910FV 光ディスク IC 電気的特性 !電気的特性（特に指定のない限り Ta=25°C, SVCC=3.3V, VG=5V, Vregin=5V） Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions Test circuit 〈磁気ヘッドドライバ部〉 IG ― 80 400 μA EFM無入力時 Fig.1 SVCC回路電流 ISCC ― ― 10 μA EFM無入力時 Fig.1 出力段D-MOSリーク ILEAK ― ― 50 μA 12−13 or 14−13PIN間60V印加 Fig.1 出力段ON抵抗 （ソース側） RON1 1.1 1.5 1.9 Ω IDS＝0.3A，VGS＝5V Fig.2 出力段ON抵抗 （シンク側） RON2 1.9 2.5 3.1 Ω IDS＝0.3A，VGS＝5V Fig.2 ターンON遅延時間 td（on） 50 100 150 ns Fig.3 ターンOFF遅延時間 td（off） 50 100 150 ns Fig.3 MUTE端子“H” レベル流入電流 IMTH 43 86 172 μA MUTE＝5V Fig.1 MUTE端子“L” レベル流入電流 IMTL −20 0 20 μA MUTE＝0V Fig.1 回路電流1 IQ1 ― 1.9 5.0 mA 3pin≧2V Fig.4 回路電流2 IQ2 ― 1.6 5.0 mA 3pin≦0.5V Fig.4 SEL端子“H” レベル流入電流 ISLH 86 172 344 μA SEL＝5V Fig.4 SEL端子“L” レベル流入電流 ISLL −20 0 20 μA SEL＝0V Fig.4 VG回路電流 〈レギュレータ部〉 〈レギュレータ部，19pin，エミッタフォロワ出力〉 出力電圧 出力電圧範囲 Vregout 2.43 2.70 2.97 V IO＝300mA 2倍アンプ時 Fig.4 Vregw 1.5 ― 3.8 V IO＝300mA Fig.4 ― mA シンク電流 Fig.4 〈レギュレータ部，18pin，外付けPNP駆動出力〉 最大駆動電流 Ireg ◎耐放射線設計はしておりません。 5 ― BD7910FV 光ディスク IC !測定回路図 60V 60V A − 18 ＋ 19 ＋ 20 16 17 15 ILEAK 14 A ILEAK 13 12 11 8 9 10 − VG SVCC Mute Pre driver EFM Vregin 1 2 5 4 3 IG 0.1μF Vregin 7 ISCC A A VG 0.1μF 6 A SVCC 0.1μF IMT VMT Fig.1 300mA 300mA 300mA V VDS − 18 ＋ 19 ＋ 20 16 17 15 V VDS 14 V VDS 13 12 11 8 9 10 − VG SVCC Mute Pre driver EFM Vregin 1 0.1μF 2 Vregin 3 5 4 VG 6 SVCC Fig.2 7 VEFM BD7910FV 光ディスク IC 4V VDS 4V VDS 4V 5Ω VDS VDS 5Ω 5Ω 19 ＋ − 16 17 18 ＋ 20 15 5Ω 14 13 12 11 8 9 10 − VG SVCC Mute Pre driver EFM Vregin 1 2 0.1μF 5 4 3 0.1μF 6 7 0.1μF VG Vregin SVCC VEFM Fig.3 Vregout IL V 30kΩ + SW-NF 2 10μ 3 1 5V A Ireg 30kΩ − 17 18 ＋ 19 ＋ 20 16 15 14 13 12 11 8 9 10 − VG SVCC Mute Pre driver EFM Vregin 1 0.1μF A 2 IQ Vregin 4 3 A 5 6 ISEL VSEL Fig.4 7 BD7910FV 光ディスク IC !測定回路スイッチ表 （Fig.1） 記 号 測定ポイント IG 入 力 VREGIN VG SVCC VMT IG 5V 5V 3.3V 0V ISCC ISCC 5V 5V 3.3V 0V ILEAK ILEAK 5V 5V 3.3V 5V IMTH IMT 5V 5V 3.3V 5V IMTL IMT 5V 5V 3.3V 0V VREGIN VG SVCC 備 考 （Fig.2） 記 号 測定ポイント 入 力 VEFM RON1 VDS / 300mA 5V 5V 3.3V 0V→16−15pin間D-MOS / 3.3V→16−17pin間D-MOS RON2 VDS / 300mA 5V 5V 3.3V 0V→12−13pin間D-MOS / 3.3V→14−13pin間D-MOS VREGIN VG SVCC VEFM （Fig.3） 入 力 記 号 測定ポイント td（ON） VDS 5V 5V 3.3V 1kHz方形波（0V−3.3V） VEFMとVDSの波形観測 td（OFF） VDS 5V 5V 3.3V 1kHz方形波（0V−3.3V） VEFMとVDSの波形観測 備 考 （Fig.4） 記 号 測定ポイント IQ1 IQ2 スイッチ 入 力 備 考 SW-NF VREGIN VSEL IL IQ 2 5V 0V 0mA IQ 2 5V 5V 0mA ISLH ISEL 2 5V 5V 0mA ISLL ISEL 2 5V 0V 0mA Vregout Vregout 2 5V 0V 300mA 3 5V 0V 300mA 最大出力電圧 1 5V 0V 300mA 最小出力電圧 2 5V 5V 0mA Vregw Vregout Ireg Ireg BD7910FV 光ディスク IC !応用例 + 19 ＋ − 16 17 18 ＋ 20 15 14 13 12 11 8 9 10 − VG SVCC Mute Pre driver EFM Vregin 1 2 5 4 3 6 7 + Fig.5 + − 18 ＋ 19 ＋ 20 17 16 15 14 13 12 11 8 9 10 − VG SVCC Mute Pre driver EFM Vregin 1 2 3 4 5 6 Fig.6 7 BD7910FV 光ディスク IC !使用上の注意 (1) レギュレータの使用方法 1 出力 ＋ − − ＋ 19 VBG + R1 PowTr内蔵タイプ + 20 10μ R2 2 出力 VBG R1 20 0.1μ 18 10μ R2 2 PowTr外付けタイプ 上記 2 タイプ共に、出力電圧は以下の式で決まります。 ） VO=（1+R1 / R2）VBG （VBG=1.35±0.10〔V〕 (2) BD7910FV では、サーマルシャットダウン回路を内蔵しています。チップ温度が 175°C（Typ.）になると、ヘッド ドライブ回路、及び、レギュレータ回路の出力がミュートされます。 (3) ミュート端子（8pin）電圧を 2.0V 以上にするとヘッドドライブ回路の出力がミュートされます。通常使用状態で は、この pin をオープン、または、0.5V 以下にしてください。 (4) レギュレータセレクタ端子（3pin）電圧をオープン、または、0.5V 以下にすると 19pin 出力が ON して、18pin 出 力が OFF。2.0V 以上にすると 19pin 出力が OFF して、18pin 出力が ON します。 (5) 全ての供給電源と GND 間には、この IC の直近にバイパスコンデンサ（0.1µF 程度）をつけてください。 (6) 録音ヘッドコイルに並列に接続するコンデンサは、動作時にコイルの発生する逆起電圧が動作温度全域にわたって D-MOS の耐圧を超えないような値に設定してください。 BD7910FV 光ディスク IC !電気的特性曲線 1.0 0.7 1.5 7V 1.0 0.4 3V 0.3 ID（A） 0.8 6V 5V 4V 0.5 ID（A） POWER DISSIPATION：Pd（W） 0.6 0.5 VGS＝8V 7V 6V VGS＝8V 5V 4V 0.6 3V 0.4 0.2 0.2 2V 0.1 0 2V 0 25 50 75 100 125 150 175 0.5 0 3.0 1.5 Vregin 15 19 1.5 ＋ − Vregout 30k IL 20 1.0 10 19 ISINK 10 ISINK＝V / 10Ω 30k 5 0.5 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 0 1 4 5 6 Fig.10 PowTr内蔵型レギュレータ 出力負荷変動 Fig.11 外付PowTr駆動電流 6.5±0.2 11 1 10 0.65 0.2±0.1 6.1±0.2 0.1 8.1±0.3 3 Vregin（V） 外形寸法図（Unit: mm） !外形寸法図 1.7±0.1 2 REGULATOR LOAD CURRENT 20 0.22±0.1 0.3Min. 0.1 SSOP-B20W 1.0 Fig.9 ソース側D-MOS VDS-ID特性 2.5 1 Vregin 0.5 Fig.8 シンク側D-MOS VDS-ID特性 20 2.0 0 VDS（V） 5V Isink（mA） REGULATOR OUTPUT VOLTAGE：Vregout（V） Fig.7 熱軽減率曲線 1.0 VDS（V） AMBIENT TEMPERATURE：Ta（℃） 7 1.5