3DD176 硅 NPN大 功 率晶体 管 )(Ta=25° C) 极限值 (绝 对母 大颌 定值 艹r T(vj) -55~+175 电特 性 (Ta=25° C) Ⅴ(BR)cBO (Ⅴ ) V(BR)c Ⅴ(BR)E I cEo (Ⅴ (Ⅴ mA ) ) ⅤBE(sat) (Ⅴ ① 5mA IE=15mA 号 3DD176A ≥ 80 ≥ 50 3DD176B艹 彡≥150 彡≥100 3DD176C 彡≥200 ≥ 3DD176D 彡≥250 ≥ 200 3DD176E ≥ 350 ≥ 250 3DD176F 彡≥450 ≥ 300 注:① A档 YcE=30Ⅴ cΕ Ic〓 IB± 1.5A G≤ 2.0 150 图 2 ,B档 Ⅴc主 =50Ⅴ C~F档 ⅤcE=1ooⅤ 。 , 、 ②hFE≤ 淫0各 档,其 误差小于±20%, hFE>左 0各 档,其 误差小于 ±10%。 §◇ 15A Ⅴ 5mA Ic= )