NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SD669A HS669A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作低频功率放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-126 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………………20W PC——集电极功率耗散（TA=25℃）…………………………1W 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B VCBO——集电极—基极电压………………………………180V VCEO——集电极—发射极电压……………………………160V V E B O ——发射极—基极电压………………………………5V I C ——集电极电流………………………………………1.5A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE1 HFE2 VCE(sat) VBE fT Cob 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极压降 特征频率 输出电容 最小值 典型值 最大值 180 160 5 10 200 60 30 1 1.5 140 14 █分档及其标志 B C 60—120 100—200 单 位 V V V μA V V MHz pF 测 试 条 件 IC=1mA，IE=0 IC=10mA，REB=∝ IE=1mA，IC=0 VCB=160V, IE=0 VCE=5V, IC=150mA VCE=5V, IC=500mA IC=500mA, IB=50mA VCE=5V, IC=150mA VCE=5V, IC=150mA VCB=10V, IE=0，f=1MHz