NPN SILICON TRANSISTOR 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 TIP122 HP122 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 该器件为达林顿三极管内含阻尼二极管，用于高增益电路。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ T j ——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………………… 65W PC——集电极功率耗散（TA=25℃）…………………………2W 1―基 极，B 2―集电极，C 3―发射极，E VCBO——集电极—基极电压……………………………… 100V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 100V VEBO——发射极—基极电压………………………………… 5V IC——集电极电流…………………………………………… 5A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 ICEO 集电极—发射极截止电流 0.2 mA VCE=100V, IB=0 ICBO 集电极—基极截止电流 0.2 mA VCB=100V, IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 2 mA VBE=5V, IC=0 hFE 直流电流增益 VCE（sat） VCE=3V, IC=0.5A 1000 集电极—发射极饱和压降 2 V IC=3A, IB=12mA 4.0 V IC=5A, IB=20mA BVCBO 集电极—基极击穿电压 100 V IC=1mA, IE=0 BVCEO 集电极—发射极击穿电压 100 V IC=5mA, IB=0 件