大中华地区授权A级代理商与技术支持单位：深圳市英锐恩科技有限公司。欢迎来电咨询，提供资料与样品。 详细请看http://www.enroo.com ,客户热线:0755-88845951,82543411 传真：82543511,查阅本文档请用繁体版 Acrobat Reader繁体版下载：Http://www.enroo.com/uploaddir/news/a.rar MDT10F630 1. 概述： 车和键盘等等。 这个 8 位微控制器是由完全静态 CMOS 技术设计， 集高速、体积小、低功耗和高抗干扰性一体的芯 4.引脚分配 片。内存包括 1K 字节的 FLASH ROM,128K 字节 的 EEPROM 和 64 字节静态 RAM。 MDT10F630P11 (DIP) MDT10F630S11 (SOP) 2、特点： Vdd OSC1/PA5 OSC2/PA4 PA3 PC5 PC4 PC3 完全的 CMOS 静态设计 8 位数据总线 FLASH ROM 的大小 : 1 K 字节 内部 RAM 大小 : 64 字节 (64 个通用目标寄存器) 1 2 3 4 5 6 7 14 13 12 11 10 9 8 Vss PA0/CIN+ PA1/CINPA2/INT PC0 PC1 PC2 EEPROM 大小:128 字节 37 条单指令 14 位指令长度 MDT10F630P13 (DIP) 8 级堆栈 MDT10F630S13 (SOP) 工作电压 : 2.3V ~ 5.5 V Vdd OSC1/PA5 OSC2/PA4 /MCLR PC5 PC4 PC3 自振式看门狗定时器 中断电容 定时器 0 : 带 3 Bit 预分频器 8Bit 定时器 定时器 1 : 带 2 Bit 预分频器 16Bit 定时器 1 个模拟比较器模块 省电睡眠模式 1 2 3 4 5 6 7 14 13 12 11 10 9 8 Vss PA0/CIN+ PA1/CINPA2/INT PC0 PC1 PC2 PA 电平变化中断唤醒 上电复位 12 个可独立直接控制 I/O 口 3. 应用 MDT10F630 的应用范围从发动机控制器，高速自动 电机（电车）到低电源遥控发射、接收器，面向设备 装置，无线电通讯，如遥控器，小型设备，玩具，汽 This specification is subject to be changed without notice. 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Bit 7 Bit 6 Bit 5 GIS PEIE TIS GIS : 全程中断使能位. 0 = 不使能所有中断 1 = 使能所有没屏蔽的中断 PEIE : 外围中断使能位 0 = 不使能所有外围中断 1 = 使能所有外围中断 TIS : TMR0 溢出中断使能位. 0 = 不使能Timer0 中断 1 = 使能Timer0 中断 INTS : PA2/INT中断使能位. 0 = 不使能 PA2/INT中断 1 =使能PA2/INT 中断 PAIE : PA Port 改变中断使能位t. 0 = 不使能 PA改变中断 1 = 使能PA 改变中断 TIF : TMR0 溢出中断标志位 0 = Timer0 没溢出 1 = Timer0 溢出（必在软件中清 0) INTF : PA2/INT中断标志位. 0 = 没发生PA2/INT中断 1 = 发生PA2/INT中断 PAIF : PA改变中断标志位. 0 = 没有PA5~0 引脚 1 = PA5~0 中至少有 1 个引脚改变的状态 (必在软件中清 0) This specification is subject to be changed without notice. Please visit our web site for the most updated information. http://www.enroo.com P.6 2008/4 Ver. 1.0 大中华地区授权A级代理商与技术支持单位：深圳市英锐恩科技有限公司。欢迎来电咨询，提供资料与样品。 详细请看http://www.enroo.com ,客户热线:0755-88845951,82543411 传真：82543511,查阅本文档请用繁体版 Acrobat Reader繁体版下载：Http://www.enroo.com/uploaddir/news/a.rar MDT10F630 (12). PIFB1 0CH : 外围中断寄存器 Bit 7 Bit 6 EEIF - Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - CMIF - - TMR1IF Bit 2 Bit 1 Bit 0 EEIF : EEPROM 写入操作中断标志位. 0 = EEPROM写入操作未完成或未开始 1 = EEPROM写入操作完成(必须在软件中清 0) CMIF : 比较器中断标志位. 0 = 比较器输入没改变 1 = 比较器输入已改变（必须在软件中清 0) TMR1IF : TMR1 溢出中断标志位 0 = Timer1 寄存器没溢出 1 = Timer1 寄存器溢出(必须在软件中清 0) (13). 0DH : 未用寄存器 (14). 0EH : TMR1L (timer1 最低有效位寄存器) 16 位TMR1 的最高有效位. (15). 0FH : TMR1H (timer1 最高有效位寄存器） 16 位TMR1 的最高有效位 (16). 10H : Timer1 控制寄存器. Bit 7 Bit 6 Bit 5 - T1STA Bit 4 Bit 3 TMR1GE T1CKPS1 T1CKPS1 T1OSCEN /T1SYNC TMR1CLK TMR1ON TMR1GE : Timer1 门控使能. 如果TMR1ON = 0 此位忽略 如果TMR1ON = 1 0 = Timer1 打开 1 = Timer1 打开如果 /T1G 引脚为低电平 T1CKPS1 & T1CKPS0: Timer1 输入时钟预分频选择位 0 0 = 1 : 1 预分频值 0 1 = 1 : 2 预分频值 1 0 = 1 : 4 预分频值 1 1 = 1 : 8 预分频值 T1OSCEN : LF 振荡器使能位. 如果INTOSC 没有CLKOUT 生效 0 = LP 振荡器关闭 1 = LP 振荡器使能Timer1 时钟 /T1SYNC : Timer1 外部时钟输入同步控制位 如果TMR1CLK = 0 此位忽略 Timer1 使用内部时钟 如果TMR1CLK = 1 0 = 同步外部时钟输入 1 =异步外部时钟输入 This specification is subject to be changed without notice. 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(18). 19H : 比较器控制寄存器 Bit 7 Bit 6 - CMSTA CMOUT Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - CMOINV CMIS CMP2 CMP1 CMP0 CMOUT : 比较器输出位 当CMOINV = 0 时 1 = Vin+ > Vin- ; 0 = Vin+ < Vin当CMOINV = 1 时 1 = Vin+< Vin- ; 0 = Vin+ > VinCMOINV: 比较器输出转换位 0 = 输出不反转 1 = 输出反转 CMIS: 比较器输入转换位. 当CMP2 ~ 0 = 110 或 101 时 : 0 = Vin-连接到CIN1 = Vin- 连接到CIN+ CMP2 ~ 0: 比较器模式位 0 0 0 = 比较器（POR默认值 –低功耗) 0 0 1 = 有输出的比较器 0 1 0 =没有输出的比较器 0 1 1 =有输出和内部参考的比较器(Cvref 在寄存器 99H) 1 0 0 =没有输出和有内部参考的比较器(Cvref在寄存器 99H) 1 0 1 = 比较器多重内部参考输入 (Cvref 在寄存器 99H)和输出 1 1 0 = 比较器多重内部参考输入(Cvref 在寄存器 99H) 1 1 1 =比较器关闭(最低功耗) (19). 1A ~ 1FH :未用寄存器 (20). 81H : 选择控制寄存器. Bit 7 Bit 6 TMR /PAPH IES Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TCS TCE PSC PS2 PS1 PS0 This specification is subject to be changed without notice. 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Bit 7 Bit 6 Bit 5 EEIE Bit 2 Bit 1 Bit 0 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 CPIO PC5 CPIO PC4 CPIO PC3 CPIO PC2 CPIO PC1 CPIO PC0 (24). PIEB1 Bit 3 CPIO PA5 CPIO PA4 CPIO PA3 CPIO PA2 CPIO PA1 CPIO PA0 (22). CPIO C Bit 4 - - Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - CMIE - - TMR1IE EEIE : EEPROM写进操作中断使能位. 0 = 不使能EEPROM写入完成中断 1 = 使能EEPROM写入完成中断 CMIE :比较器中断使能位. This specification is subject to be changed without notice. Please visit our web site for the most updated information. http://www.enroo.com P.9 2008/4 Ver. 1.0 大中华地区授权A级代理商与技术支持单位：深圳市英锐恩科技有限公司。欢迎来电咨询，提供资料与样品。 详细请看http://www.enroo.com ,客户热线:0755-88845951,82543411 传真：82543511,查阅本文档请用繁体版 Acrobat Reader繁体版下载：Http://www.enroo.com/uploaddir/news/a.rar MDT10F630 0 = 不使能比较器中断 1 = 使能比较器中断 TMR1IE : TMR1 溢出中断使能位. 0 = 不使能TMR1 溢出中断 1 = 使能TMR1 溢出中断 (26). 8DH : 未用寄存器. (27). 8EH : 电源控制寄存器. Bit 7 Bit 6 - PSTA Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - PORB - - PORB : 上电复位状态位. 0 = 上电复位发生(电源复位发生后必需在软件中设置) 1 = 没有上电复位发生 (28). 8FH :未用寄存器. (29). 90H : MCU 振荡器控制寄存器. Bit 7 Bit 6 Bit 5 - INOSCR REG REG Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 REG ECKIN OSO2E OSC2O OSCIN Bit6 ~ 4 : 普通寄存器位 ECKIN : 外部时钟输入使能位. 0 = 不使能振荡器外部输入时钟 1 = 使能振荡器外部时钟输入(外部荡器必须设置RC模式) OSO2E :内部和外部振荡器使能位. 0 = 只使用内部或外部振荡器 1 = 同时使能内部和外部(仅LF模式)振荡器 OSC2O : OSC2/PA4 振荡器时钟输出使能位. 0 = 不使能OSC2/PA4 在内部振荡或RC振荡模式作时钟输出 1 = 使能OSC2/PA4 在内部振荡或RC振荡模式作时钟输出 OSCIN : MCU内部或外部振荡器选择位 0 = 默认的 MCU 时钟是内部 4MHz 振荡器 1 = MCU时钟基于外部振荡器(通过OPTION选择类型), 当内部 4MHz 振荡器变成外部振荡器时，必需等OST时间 20ms. 例子 : 改振荡器为外部振荡器 (振荡器从OPTION中选择类型) (30). BSR STATUS, PAGE ; Set page 1 LDWI 01H ; 设置W数据为 01H STWR 10H ; 存储 01H 到寄存器 90H (INOSCR) BCR STATUS, PAGE ; 设置页 0 91 ~ 94H : 未用寄存器. This specification is subject to be changed without notice. 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Bit 7 Bit 6 Bit 5 VRSTA CVREN - CVRRS 7 位 : 比较器电压参考使能位 0 = 比较器电压参考不使能 1 = 比较器电压参考使能 5 位 : 比较器电压参考范围选择位 0 = 高范围 ; CVref = Vdd/4 + (CVR3:CVR0/32)*Vdd 1 = 低范围 ; CVref = (CVR3:CVR0/24)*Vdd 3-0 位 : 比较器电压参考值选择 当 CVRRS = 0, CVref = Vdd/4 + (CVR3:CVR0/32)*Vdd 当CVRRS = 1, CVref = (CVR3:CVR0/24)*Vdd (35). EEDATA (36). 9AH : EEPROM数据寄存器. Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 EED5 EED4 EED3 EED2 EED1 EED0 9BH : EEPROM地址寄存器. Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 EEAD4 EEAD3 EEAD2 EEAD1 EEAD0 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - WRERR WREN WR RD EED7 - EEADR (37). EED6 EEAD6 EEAD5 9CH : EEPROM控制寄存器 1. Bit 7 Bit 6 Bit 5 EECON1 - - - This specification is subject to be changed without notice. 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STATUS, PAGE INTS, GIS EECON1, WREN 55H EECON2 0AAH EECON2 EECON1,WR ; 选择第一页 ; 不使能中断 ; 使能写入 ; 写入 55/H ; 写入AA/H ; 开始写入 9E ~ 9FH : 未用寄存器. This specification is subject to be changed without notice. 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(Ohm) Frequency (Hz) Current (A) 4.7 K 9.98 M 2.0 mA 10 K 5.38 M 1.1 mΑ 47 K 1.19 M 450 μΑ 100 K 568 K 350 μΑ 300 K 192 K 290μΑ 470 K 121 K 280 μΑ 4.7 K 5.2 M 1.2 mA 10 K 2.69 M 700μΑ 47 K 588 K 360 μΑ 100 K 280 K 310 μΑ 300 K 95 K 280μΑ 470 K 59 K 275 μΑ This specification is subject to be changed without notice. Please visit our web site for the most updated information. http://www.enroo.com P.17 2008/4 Ver. 1.0 大中华地区授权A级代理商与技术支持单位：深圳市英锐恩科技有限公司。欢迎来电咨询，提供资料与样品。 详细请看http://www.enroo.com ,客户热线:0755-88845951,82543411 传真：82543511,查阅本文档请用繁体版 Acrobat Reader繁体版下载：Http://www.enroo.com/uploaddir/news/a.rar MDT10F630 Cext. (F) 100P 300P Rext. (Ohm) Frequency (Hz) Current (A) 4.7 K 1.87 M 580 μΑ 10 K 920 K 400 μΑ 47 K 200 K 290μΑ 100 K 95 K 270μΑ 300 K 32 K 265 μΑ 470 K 20.2 K 260 μΑ 4.7 K 796 K 390 μΑ 10 K 391 K 320 μΑ 47 K 84 K 270 μΑ 100 K 40 K 260 μΑ 300 K 13.5 K 255 μΑ 470 K 8.5 K 250μΑ (iii) OSC 类型＝LF (C=10 P); WDT－不使能; 32K( C=50 P) 电压/频率 (iv) 睡眠 32 K 455 K 1M 2.3 V 58 μA 82μA 107μA <1.0μA 3.0 V 89μA 128μA 163μA <1.0μA 4.0 V 137μA 189μA 253μA <1.0μA 5.0 V 196 μA 272μA 349μA <1.0μA 5.5 V 250μA 330μA 400μA <1.0μA OSC Type＝XT (C=10 P); WDT－使能; 电压/频率 1M 4M 2.3 V 124μA 270 μA 520 μA 0.6 μA 3.0 V 200μA 393 μA 771 μA 1.5 μA 4.0 V 347μA 613 μA 1.2 mA 3.4 μA 5.0 V 564 μA 866 μA 1.65 mA 5.8 μA 5.5 V 790 uA 1.1 mA 2.0 mA 7.3 μA 10 M 睡眠 This specification is subject to be changed without notice. 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