S3DG6型NPN硅双三极管 参数符号 单位 A 极 限 参 数 直 流 参 B S3DG6 C D 测试条件 E F Ta=25℃ PCM mW 100×2 ICM mA 20 TjM ℃ 175 V(BR)CB0 V ≥30 ≥45 IC=10μA V(BR)CE0 V ≥15 ≥20 ≥20 ≥30 ≥20 ≥30 IC=10μA V(BR)EB0 V ≥4 IE=10μA VCEsat V ≤0.35 IC=10mA V μA μA μA ≤1 ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 IB=1mA VBEsat ICB0 ICE0 IEB0 VCB =10V VCE=10V VEB=1.5V VCE=10V 数 hFE ≥30 IC=3mA hFE对称性 ≥90% % ≥95% VCE=10V 交 流 参 数 fT MHz ≥150 ≥250 IC=3mA f0=30MHz COb PF 外 T13-B 型 ≥150