ETC SST12LF03

2.4 GHz 高增益及高效率前端模块
SST12LF03
A Microchip Technology Company
产品简介
SST12LF03 是适用于 WLAN 802.11b/g/n 和 Bluetooth® 系统的全集成前端模块(Front-End
Module, FEM)。 SST12LF03 RF 模块包括一个功率放大器(Power Amplifier, PA)、
一个低噪声放大器 (Low-Noise Amplifier, LNA)和一个天线开关,是需要小尺寸和高
性能的 WLAN/BT 嵌入式应用的理想选择。 SST12LF03 基于 GaAs PHEMT/HBT 技
术,其工作频率范围为 2.4 至 2.5 GHz,直流电流消耗极低。发送器链路具有良好的线
性度,对于输出功率最高为 19 dBm 的 54 Mbps 802.11g 操作,增加的 EVM 通常为
3%,同时满足 22 dBm 时的 802.11b 频谱模板。接收器链路提供一个低噪声放大器,
并允许 WLAN 和蓝牙操作同时进行。 SST12LF03 提供 20 触点 UQFN 封装。
特性
蓝牙路径:
• 损失典型值为 2.5 dB
• 输入/输出端口内部匹配 50 且直流去耦
• BT/WLAN 同时 Rx 模式
• 可用封装
– 8 dB 增益
– 3.1 dB 噪声系数
– 20 触点 UQFN——3 mm x 3 mm x 0.55 mm
• 所有无铅器件均符合 RoHS 标准
应用
发送器链路:
• WLAN (IEEE 802.11b/g/n)
• 高增益
– 对于发送器,在 -20°C 至 +85°C 的温度范围内,
从 2.4 GHz 到 2.5 GHz 的增益典型值为 28 dB。
• 高线性输出功率 (3.3V 时)
– 功率高达 21 dBm 的时候仍满足 802.11g OFDM ACPR
的要求
– 对于功率最高为 19 dBm 的 54 Mbps 802.11g 信号,增加
的 EVM 为 3%
– 功率高达 22 dBm 的时候仍满足 802.11b ACPR 的要求
• 高功率附加效率 / 低工作电流,适合 802.11b/g/n 应用
– 对于 802.11b/g 应用, POUT = 22 dBm 时约为 25%
• 家用 RF
• 无绳电话
• 2.4 GHz ISM 无线设备
• Zigbee®
• Bluetooth®
框图
• 低关断电流 (约 2 µA)
VDET PAEN VCC
• 随温度变化有限
– -20°C 至 +85°C 之间的功率变化约为 1 dB
– -20°C 至 +85°C 之间的增益变化约为 2 dB
CRX
TXIN
CTX
໽㒓
WLAN RXOUT
• 对温度和负载不敏感的片上功率检测器
– >20 dB 动态范围、温度稳定的片上功率检测
接收器链路:
• LNA 开启
– 增益典型值为 12 dB
– 3.1 dB 噪声系数
– >5 dB P1dB
BT
CBT
©2012 Silicon Storage Technology, Inc.
www.microchip.com
CBTR VDD
12LF03-BlockDiagram
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SST12LF03-Q3DE
SST12LF03 评估工具包
SST12LF03-Q3DE-K
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全球销售与分销
表 1:
版本
A
版本历史
说明
•
产品简介的初始版本
日期
2012 年 1 月
ISBN:978-1-62076-217-2
© 2012 Silicon Storage Technology, Inc. (Microchip Technology Inc. 的全资子公司)。版权所有。
SST、Silicon Storage Technology、SST 徽标、SuperFlash、MTP 和 FlashFlex 均为 Silicon Storage Technology, Inc. 的注册商标。
MPF、 SQI、 Serial Quad I/O 和 Z-Scale 均为 Silicon Storage Technology, Inc. 的商标。在此提及的所有其他商标和注册商标均为各
持有公司所有。
规范值可能发生变更,恕不另行通知。关于最新文档,请访问 www.microchip.com。最新封装图请至 http://www.microchip.com/packaging
查看封装规范。
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除非在标准销售条款与条件中明确包含,否则 SST 不对其产品的使用做出任何担保。
关于销售办事处的地点和信息,请访问 www.microchip.com。
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