ECH8608 注文コード No. N 8 1 7 9 ECH8608 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗、超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース電圧 記号 VDSS VGSS ID 条件 ドレイン電流 （パルス） 許容損失 IDP PD PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm) 装着時 1unit 全損失 チャネル温度 PT Tch セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 保存周囲温度 Tstg ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 （DC） N-channel 20 P-channel − 20 unit V ± 10 6 ± 10 −4 V A 40 − 40 1.3 A W 1.5 150 W ℃ − 55 ∼＋ 150 ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 条件 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ID=1mA, VGS=0 VDS=20V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) 順伝達アドミタンス yfs RDS(on)1 RDS(on)2 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=3A 定格値 typ min unit max [N-channel] ドレイン・ソース間オン抵抗 20 0.5 7 1 V µA ± 10 1.3 µA V 30 44 mΩ mΩ 10 S ID=3A, VGS=4V ID=1.5A, VGS=2.5V 22 30 VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 指定回路において 780 300 pF pF 150 19 pF ns 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 Crss td(on) tr td(off) 指定回路において 指定回路において 134 90 ns ns 下降時間 tf 指定回路において 94 ns 単体品名表示： FA 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 11205PE TS IM ◎川浦 TB-00001088 No.8179-1/6 ECH8608 前ページより続く。 項目 記号 条件 定格値 typ 23 min max unit 総ゲート電荷量 Qg ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS=10V, VGS=10V, ID=6A VDS=10V, VGS=10V, ID=6A VDS=10V, VGS=10V, ID=6A ダイオード順電圧 [P-channel] VSD IS=6A, VGS=0 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 20V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) 順伝達アドミタンス yfs RDS(on)1 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 2A ID= − 2A, VGS= − 4.5V 入力容量 RDS(on)2 Ciss ID= − 1A, VGS= − 2.5V VDS= − 10V, f=1MHz 58 800 出力容量 帰還容量 Coss Crss VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 210 160 pF pF ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 指定回路において 指定回路において 17 197 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 td(on) tr td(off) tf 指定回路において 指定回路において 88 128 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 Qg Qgs VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A 21 1.4 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A IS= − 4A, VGS=0 3.2 − 0.82 ドレイン・ソース間オン抵抗 外形図 nC 1.6 3.6 nC nC 0.84 1.2 V −1 V µA ± 10 − 1.3 µA V 54 S mΩ − 20 − 0.4 4.9 7 37 87 − 1.2 mΩ pF nC V 電気的接続図 5 1 4 0.65 0.25 2.3 8 0.07 0.9 2.9 8 7 6 5 1 2 3 4 0.15 2.8 0.3 0.25 unit : mm 2206B 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 Top view 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 SANYO : ECH8 No.8179-2/6 ECH8608 スイッチングタイム測定回路図 [N-channel] [P-channel] VDD=10V VIN VDD= --10V VIN 0V --4.5V 4V 0V ID=3A RL=3.3Ω VIN D ID= --4A RL=2.5Ω VIN D VOUT VOUT PW=10µs D.C.≦1% PW=10µs D.C.≦1% G G ECH8608 ECH8608 ID -- VDS --4.0 ドレイン電流, ID -- A 7 1.5V 6 5 4 3 --2.5V -1 .5 V --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 --1.0 1 --0.5 VGS= --1.0V 0 0 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 9 ID -- VGS 0 1.0 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V --10 VDS=10V --9 --0.9 --1.0 IT04367 ID -- VGS [Nch] 8 [Pch] VDS= --10V ドレイン電流, ID -- A --8 7 6 5 Ta= 3 1 0.5 1.0 1.5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --7 --6 --5 --4 --3 --2 25° C 2 --25°C 75°C 4 0 0 --0.1 IT04385 5°C 25 --25°C °C 10 0.9 =7 0.1 Ta 0 ドレイン電流, ID -- A --3.5 2 VGS=1.0V [Pch] --2.0V --4.5 2.5 8 S ID -- VDS --5.0 V 4.0V 9 50Ω [Nch] 2.0V 3.0V 10 ドレイン電流, ID -- A P.G S --3.5V --3.0V 50Ω --4.0V P.G --1 2.0 IT04386 0 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --1.8 --2.0 IT04368 No.8179-3/6 [Nch] Ta=25°C 60 50 ID=3A 1.5A 40 30 20 10 0 0 2 4 6 8 [Nch] 45 40 V 2.5 S= , VG 1.5A I D= 35 30 25 I D= =4.0V 3A, V GS 20 15 10 5 --25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度, Ta -- °C IT04388 yfs -- ID [Nch] 5 順伝達アドミタンス, yfs -- S °C --25 C 75° 5 C 25° 3 2 1.0 30 20 10 --1 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 RDS(on) -- Ta 90 --10 IT04369 [Pch] 80 .5V --2 S= , VG 70 --1 I D= 60 A 50 5V = --4. , VGS A 2 -I D= 40 30 20 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 周囲温度, Ta -- °C IT04370 yfs -- ID [Pch] VDS= --10V 3 2 10 7 Ta= 5 3 °C --25 C 75° 25°C 2 1.0 5 7 2 1.0 3 5 7 IF -- VSD 5 --0.1 2 10 IT04389 --1.0 7 5 3 2 Ta =75 °C 25° C --25 °C 順電流, IF -- A 1.0 7 5 3 2 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 ダイオード順電圧, VSD -- V 1.1 1.2 IT04390 2 5 3 7 --10 2 IT04371 IF -- VSD 3 2 --10 7 5 3 2 0.4 7 --1.0 [Nch] VGS=0 0.3 5 3 ドレイン電流, ID -- A 10 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 2 VGS=0 --0.1 7 5 3 2 --0.01 7 5 3 2 --0.001 --0.2 [Pch] --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 °C 3 3 2 0.01 7 5 3 2 0.001 0.2 --2 --25 2 ドレイン電流, ID -- A 順電流, IF -- A 40 7 7 5 0.1 ID= --1A 5°C 25° C 順伝達アドミタンス, yfs -- S 2 Ta= 50 ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS=10V 7 --2A 5 3 10 60 =7 0 --50 [Pch] Ta=25°C IT04387 RDS(on) -- Ta 50 RDS(on) -- VGS 70 Ta ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ゲート・ソース電圧, VGS -- V 10 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ RDS(on) -- VGS 70 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ECH8608 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 ダイオード順電圧, VSD -- V --1.1 --1.2 IT04372 No.8179-4/6 ECH8608 SW Time -- ID 5 3 2 td(off) tf 100 7 tr 5 3 td(on) 2 10 0.1 2 3 5 7 2 1.0 3 5 5 td(off) 100 tf 7 tr 5 3 td(on) 2 10 7 --0.1 2 3 5 7 2 --1.0 3 5 ドレイン電流, ID -- A 3 f=1MHz 7 IT04373 Ciss, Coss, Crss -- VDS [Nch] 2 [Pch] f=1MHz 2 1000 Ciss, Coss, Crss -- pF Ciss, Coss, Crss -- pF VDD= --10V VGS= --4.5V 2 10 IT04391 Ciss, Coss, Crss -- VDS [Pch] 3 7 ドレイン電流, ID -- A 3 SW Time -- ID [Nch] VDD=10V VGS=4V スイッチングタイム, SW Time -- ns スイッチングタイム, SW Time -- ns 7 Ciss 7 5 Coss 3 2 Crss 1000 Ciss 7 5 3 Coss Crss 2 100 100 7 7 5 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V ゲート・ソース電圧, VGS -- V ゲート・ソース電圧, VGS -- V 7 6 5 4 3 2 ドレイン電流, ID -- A 5 10 15 20 --12 --14 --16 --18 --20 IT04374 [Pch] VDS= --10V ID= --4A --8 --7 --6 --5 --4 --3 --2 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT04393 ASO [Nch] IDP=40A ＜10µs 1m ID=6A 10 DC 10 s ms 0m s op er 1.0 7 5 3 2 ati on Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 0 25 --100 7 5 3 2 ドレイン電流, ID -- A 0 0.1 7 5 3 2 --10 0 0 10 7 5 3 2 --8 --1 1 100 7 5 3 2 --6 VGS -- Qg --10 --9 8 --4 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V [Nch] VDS=10V ID=6A 9 --2 IT04392 VGS -- Qg 10 0 20 2 3 IT04394 --10 7 5 3 2 2 6 8 10 12 14 16 18 20 22 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT04375 ASO [Pch] IDP= --40A ＜10µs 1m s 10 ID= --4A DC ms 10 0m s op er --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 4 ati on Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit --0.01 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 IT04376 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V No.8179-5/6 ECH8608 PD -- Ta 許容損失, PD -- W 1.8 1.6 1.5 1.4 1.3 1.2 全 損 失 1.0 1u 0.8 ni t 0.6 0.4 0.2 セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT04377 取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8179-6/6