DF3A8.2LFE 東芝ツェナーダイオード エピタキシャルプレーナ形 DF3A8.2LFE ○ ESD 保護用 単位: mm • 小型パッケージに 2 素子を搭載 (アノードコモン) しているため、部品点 数, 実装コストの削減が可能です。 • ツェナー電圧の公称値は E24 シリーズを採用しています。 • 端子間容量が小さい: CT = 5.0 pF (標準) 最大定格 (Ta = 25°C) 項 目 記 号 定 格 単位 許 容 損 失 P 100 mW 接 合 温 度 Tj 125 °C 保 存 温 度 Tstg −55~125 °C JEDEC ― JEITA ― 東 1-2SA1A 芝 電気的特性 (Ta = 25°C) 項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 圧 VZ IZ = 5 mA 7.8 8.2 8.6 V 抗 ZZ IZ = 5 mA ⎯ ⎯ 60 Ω 抗 ZZK IZ = 0.5 mA ⎯ ⎯ 100 Ω 流 IR VR = 6. 5 V ⎯ ⎯ 0.5 µA 端子間容量(カソード－アノード間) CT VR = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 5.0 ⎯ pF ツ ェ 動 立 ナ ー 作 ち 逆 上 が 電 抵 り 動 作 電 抵 ESD イミュニティレベル保証値 試験方法 ESD イミュニティレベル IEC61000-4-2 準拠 (接触放電) ± 6kV ※ 判定基準:素子破壊なき事 現品表示 内部接続 (top view) FU 1 2004-03-11 DF3A8.2LFE IZ – VZ IF – VF 100 m 100 IF (mA) 1 m 順方向電流 ツェナー電流 IZ (A) 10 m 100 µ 10 µ 1 µ 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 10 1 0.5 15 ツェナー電圧 VZ (V) 0.6 0.7 0.8 順方向電圧 0.9 1 1.1 1.2 VF (V) CT – VR 10 Ta = 25°C 端子間容量 CT (pF) f = 1 MHz 1 0 1 2 3 4 5 逆方向電圧 6 7 8 9 10 VR (V) 2 2004-03-11 DF3A8.2LFE 当社半導体製品取り扱い上のお願い 030519TAA • 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当 社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命･身体･財産が侵害されることの ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ き注意事項や条件について｢東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い｣、｢半導体信頼性ハンドブック｣など でご確認ください。 • 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用 ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質･信頼性が要求され、その故障や 誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、 交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” とい う) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用 することは、お客様の責任でなされることとなります。 • 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作･応用を説明するためのもので、その使用に際して当社お よび第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 • 本資料に掲載されている製品を、国内外の法令、規則および命令により製造、販売を禁止されている応用製品に 使用することはできません。 • 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。 3 2004-03-11