Hyper Mini TOPLED® Hyper-Bright LED LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Features ● ● ● ● ● color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) Semiconductor Group 1 VPL06927 ● ● ● ● ● 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) Ordering Code LS M676-MQ super-red LS M676-N LS M676-P LS M676-Q LS M676-NR colorless clear 16 25 40 63 25 ... 125 ... 50 100 (typ.) ... 80 180 (typ.) ... 125 300 (typ.) ... 200 - Q62703-Q3285 Q62703-Q3288 Q62703-Q3286 Q62703-Q3287 Q62703-Q3289 LA M676-NR LA M676-P LA M676-Q LA M676-R LA M676-PS amber colorless clear 25 40 63 100 40 ... ... ... ... ... 200 80 125 200 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) Q62703-Q3536 Q62703-Q3537 Q62703-Q3538 Q62703-Q3539 Q62703-Q3540 LO M676-NR LO M676-P LO M676-Q LO M676-R LO M676-PS orange colorless clear 25 40 63 100 40 ... ... ... ... ... 200 80 125 200 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) - Q62703-Q3290 Q62703-Q3291 Q62703-Q3292 Q62703-Q3293 Q62703-Q3294 LY M676-NR LY M676-P LY M676-Q LY M676-R LY M676-PS yellow colorless clear 25 40 63 100 40 ... ... ... ... ... 200 80 125 200 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) - Q62703-Q3295 Q62703-Q3296 Q62703-Q3297 Q62703-Q3298 Q62703-Q3299 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS, LA, LO LY Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM to be defined A Sperrspannung1) Reverse voltage1) VR 3 V Verlustleistung Power dissipation Ptot Wärmewiderstand Rth JA Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) 1) 1) 2) 30 20 mA 802) 552) mW 5802) 500 K/W Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. vorläufig/preliminary *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 3 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LA LO LY Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 645 622 610 591 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 632 615 605 587 nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 16 16 16 15 nm 2ϕ 120 120 120 120 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA TCλ 0.14 0.13 0.13 nm/K (typ.) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Semiconductor Group 0.13 (typ.) 4 – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL00235 100 Ι rel % 80 Vλ 60 yellow orange amber super-red 40 20 0 400 450 500 550 600 650 nm λ 700 Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 Semiconductor Group 0.6 0.4 0˚ 20˚ 5 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV / IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C OHL00232 10 2 mA ΙF 5 ΙV OHL00233 10 1 Ι V (20 mA) 10 0 10 1 5 5 10 -1 5 superred yellow orange/amber 10 0 10 -2 5 5 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 10 -3 -1 10 3.0 V 3.4 VF OHL00248 mA 10 2 ΙF OHL00238 Ι V 2.0 Ι V (25 C) Ι F mA 30 1.6 orange yellow amber super-red 25 yellow 1.2 20 15 0.8 10 orange yellow amber super-red 0.4 5 0 5 10 1 Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) 35 5 10 0 0 20 40 Semiconductor Group 60 0 -20 80 C 100 TA 6 0 20 40 60 C TA 100 1998-11-12 LS M676, LA M676, LO M676 LY M676 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) Cathode marking 0.5 0.3 2.3 2.1 2.1 1.9 0.15 0.05 1.5 1.3 Cathode marking GPL06928 1.0 0.8 1.4 1.2 typ. 1.5 x 1.0 Maßzeichnung Package Outlines Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke Cathode mark: bevelled edge Semiconductor Group 7 1998-11-12