LC Mini TOPLED® RG Low Current LED LS M779, LY M779, LG M779 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (12-mm-Filmgurt) VPL06926 ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (12 mm tape) Typ Type Emissions- Farbe der farbe Lichtaustrittsfläche Color of Color of the Emission Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 2 mA IV(mcd) Luminous Flux IF = 2 mA ΦV (mlm) Ordering Code LS M779-CF LS M779-DG super-red colorless clear 0.25 ... 0.5 0.40 ... 0.8 3.0 typ. Q62703-Q3740 Q62703-Q3744 LY M779-CF LY M779-DG yellow colorless clear 0.25 ... 0.5 0.40 ... 0.8 3.0 typ. Q62703-Q3945 Q62703-Q3946 LG M779-CO green colorless clear ≥ 0.25 (1.0 typ.) 3.0 typ. Q62703-Q3050 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 11.96 LS M779, LY M779, LG M779 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 7.5 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.15 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation Ptot 20 mW 530 K/W Rth JA Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-Board*) (Padgröße ≥ 16 mm 2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm 2) *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 2 LS M779, LY M779, LG M779 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LY LG Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 7.5 mA (typ.) λpeak (typ.) 635 586 565 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 7.5 mA (typ.) λdom (typ.) 628 590 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.) IF = 7.5 mA 45 45 25 nm Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV 2ϕ 120 120 120 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 2 mA (typ.) VF (max.) VF 1.8 2.6 2.0 2.7 1.9 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA (typ.) C0 3 3 15 pF (typ.) tr (typ.) tf 200 150 200 150 450 200 ns ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 3 LS M779, LY M779, LG M779 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 7.5 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LS M779, LY M779, LG M779 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV / IV(2 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA) Max. permissible forward current Semiconductor Group 5 LS M779, LY M779, LG M779 Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 7.5 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 7.5 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 2 mA Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 2 mA Semiconductor Group 6 LS M779, LY M779, LG M779 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06926 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennung: Cathode mark: Semiconductor Group abgeschrägte Ecke bevelled edge 7