抵抗内蔵トランジスタ UNR212x シリーズ (UN212xシリーズ) シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形 Unit : mm デジタル回路用 0.40+0.10 –0.05 0.16+0.10 –0.06 (0.95) (0.95) 1.9±0.1 ■ 品種別抵抗値 (R2) 2.2 kΩ 4.7 kΩ 10 kΩ 10 kΩ 5 kΩ 4.6 kΩ 0.4±0.2 10˚ 1.1+0.2 –0.1 形名表示記号 (R1) (UN2121) 7A 2.2 kΩ (UN2122) 7B 4.7 kΩ (UN2123) 7C 10 kΩ (UN2124) 7D 2.2 kΩ (UN212X) 7I 0.27 kΩ (UN212Y) 7Y 3.1 kΩ 1.1+0.3 –0.1 UNR2121 UNR2122 UNR2123 UNR2124 UNR212X UNR212Y 2.90+0.20 –0.05 0 to 0.1 • • • • • • 2 1 (0.65) • 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能 • ミニ型パッケージのため、テーピング、マガジン包装による 自動挿入が可能 5˚ 1.50+0.25 –0.05 ■ 特 長 2.8+0.2 –0.3 3 1 : Base 2 : Emitter 3 : Collector EIAJ : SC-59 Mini3-G1 Package 内部接続図 ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C 項目 記号 定格 単位 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO −50 V コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) R1 C B VCEO −50 V コレクタ電流 IC −500 mA 全許容損失 PT 200 mW 接合温度 Tj 150 °C 保存温度 Tstg −55 ∼ +150 °C R2 E ■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C 項目 記号 条件 最小 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO IC = −10 µA, IE = 0 −50 V コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO IC = −2 mA, IB = 0 −50 V コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO VCB = −50 V, IE = 0 −1.0 ICEO VCE = −50 V, IB = 0 間遮断電流 UNR2122/212X/212Y (C 開放時) UNR2123/2124 直流電流 UNR2121 増幅率 単位 µA −1.0 µA − 0.5 UNR212X エミッタ・ベース UNR2121 最大 − 0.1 UNR212X コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時) 標準 IEBO VEB = −6 V, IC = 0 −5 mA −2 −1 hFE VCE = −10 V, IC = −100 mA 40 UNR2122/212Y 50 UNR2123/2124 60 UNR212X 20 注) 形名の( )内は , 従来品番です 発行年月 : 2003年12月 SJH00008BJD 1 UNR212x シリーズ 抵抗内蔵トランジスタ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C ± 3°C 項目 記号 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) 条件 最小 VOH VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 500 Ω 出力電圧ローレベル VOL VCC = −5 V, VB = −3.5 V, RL = 500 Ω トランジション周波数 fT 入力抵抗 R1 UNR2121/2124 200 −30% 2.2 UNR2123 10 UNR212X 0.27 +30% kΩ 0.8 1.0 1.2 UNR2124 0.17 0.22 0.27 UNR212X 0.043 0.054 0.065 UNR212Y 0.53 0.67 0.81 共通特性図 PT Ta 250 200 150 100 50 80 V MHz 3.1 R1/R2 注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。 全許容損失 PT (mW) V − 0.2 VCB = −10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz UNR212Y 120 160 周囲温度 Ta (°C) 2 V 4.7 抵抗比率 40 単位 −4.9 UNR2122 0 最大 − 0.25 IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA UNR212X/212Y 出力電圧ハイレベル 0 標準 IC = −100 mA, IB = −5 mA SJH00008BJD 抵抗内蔵トランジスタ UNR212x シリーズ UNR2121 特性図 IC VCE VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.0 mA −160 −120 − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA 0 − 0.1 mA 0 −2 −4 −6 −8 IC / IB = 10 −10 300 −1 Ta = 75°C 25°C −10 −12 25°C −10 −25°C −100 0 −1 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) −10 IO VIN −100 VO = −5 V Ta = 25°C −103 −102 6 4 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) 8 −1 000 VIN IO −104 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C −100 コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 200 −25°C Cob VCB 10 Ta = 75°C 100 − 0.01 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 12 VCE = −10 V − 0.1 − 0.2 mA −40 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −1 − 0.1 −10 2 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR2122 特性図 VCE(sat) IC Ta = 25°C コレクタ電流 IC (mA) −250 IB = −1.0 mA − 0.9 mA −200 − 0.8 mA − 0.7 mA −150 − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA − 0.3 mA −100 − 0.2 mA −50 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 hFE IC IC / IB = 10 −10 VCE = −10 V Ta = 75°C 120 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 −1 160 直流電流増幅率 hFE IC VCE −300 25°C 80 −25°C 40 −25°C −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) SJH00008BJD −1 000 0 −1 −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 3 UNR212x シリーズ 抵抗内蔵トランジスタ Cob VCB IO VIN 20 VIN IO −104 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VO = −5 V Ta = 25°C −100 入力電圧 VIN (V) 16 −102 12 8 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −103 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 24 −1 − 0.1 −10 4 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) UNR2123 特性図 IC VCE VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA −160 −120 − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA −40 − 0.2 mA − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 −10 150 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 −25°C − 0.01 −1 −10 0 −1 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN −104 8 −1 000 −100 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −102 12 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C 入力電圧 VIN (V) 16 −10 コレクタ電流 IC (mA) −103 −1 − 0.1 −10 4 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 4 −100 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 20 −25°C 100 50 Cob VCB f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C Ta = 75°C VCE = −10 V 25°C コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 24 hFE IC 200 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 −240 −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00008BJD −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 出力電流 IO (mA) −100 抵抗内蔵トランジスタ UNR212x シリーズ UNR2124 特性図 VCE(sat) IC −250 コレクタ電流 IC (mA) IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA −200 −150 − 0.5 mA − 0.4 mA −100 − 0.3 mA − 0.2 mA −50 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) Ta = 25°C −100 IC / IB = 10 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 −10 −100 0 −1 −1 000 IO VIN VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 入力電圧 VIN (V) 8 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −102 12 −100 VIN IO −104 16 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 25°C −25°C −25°C − 0.01 −1 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C 200 100 Cob VCB 20 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 24 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE IC VCE −300 −1 − 0.1 −10 4 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR212X 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.6 mA −160 −1.4 mA −1.2 mA −120 −1.0 mA − 0.8 mA −80 − 0.6 mA − 0.4 mA −40 − 0.2 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) hFE IC 240 IC / IB = 10 VCE = −10 V 200 −10 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 −1 – 25°C 160 Ta = 75°C 120 25°C 80 −25°C 40 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) SJH00008BJD −1 000 0 −1 −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 5 UNR212x シリーズ 抵抗内蔵トランジスタ Cob VCB VIN IO −100 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 20 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 24 16 12 8 −1 − 0.1 4 0 −1 −10 −100 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR212Y 特性図 IC VCE VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.2 mA −160 −1.0 mA − 0.8 mA −120 − 0.6 mA −80 − 0.4 mA −40 − 0.2 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 −1 Ta = 75°C − 0.1 −25°C − 0.01 −1 −100 −1 000 −100 12 8 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −1 − 0.1 4 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) − 0.01 − 0.1 −1 −10 出力電流 IO (mA) SJH00008BJD 25°C 120 −25°C 80 0 −1 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) −10 Ta = 75°C 160 40 −10 16 0 −1 6 25°C VIN IO f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VCE = −10 V 200 Cob VCB 20 IC / IB = 10 −10 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 24 hFE IC 240 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −100 −1 000 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術情報のうちで、 「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸 出する時、または、 国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 弊社も しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ りません。 (3) 上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、 当社はそ の責を負うものではありません。 (4) 本資料に記載されている製品は、標準用途 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家 電製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ す恐れのある用途 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など ) にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事 前に弊社営業窓口までご相談願います。 (5) 本資料に記載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合が ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、 事前に 最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。 (6) 設計に際して、特に最大定格、 動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた だきますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥に ついては弊社として責任を負いません。 また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー ドをご考慮の上、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを 生じさせない冗長設計、 延焼対策設計、 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます ようお願い致します。 (7) 防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保 存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断 り致します。 2003 SEP