桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC3265 ■FEATURES 特點 NPN Low Frequency Amplifier Transistor ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 VCBO 35 V VCEO 30 V VEBO 5 V Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic 800 mA Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 ■DEVICE MARKING 打標 GMC3265 O Y MARK EO EY HFE1 100~200 160~320 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC3265 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol Test Condition Min Typ Max Unit 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=35V, IE=0 — — 0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=5V, IC=0 — — 0.1 μA V(BR)CBO IC=100μA 35 — — V V(BR)CEO IC=1.0mA 30 — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V DC Current Gain 直流電流增益 HFE1 VCE=1V, IC=100mA 100 — 320 — DC Current Gain 直流電流增益 HFE2 VCE=1V, IC=800mA 40 — — — Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 VCE(sat) IC=500mA, IB=20mA — — 0.5 V Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 VBE(sat) IC=800mA, IB=80mA — — 1.2 V VBE VCE=1V, IC=10mA 0.5 — 0.8 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=5V, IC=10mA — 120 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=10V,IE=0, f=1MHz — 13 — pF Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Votlage 發射極-基極擊穿電壓 Base-Emitter Saturation 基極-發射極電壓