桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA733 ■MAXIMUM RATINGS (T a=25℃) 最大額定值 CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 VCBO -60 Vdc 集電極-發射極電壓 VCEO -50 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO -5.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic -150 mA Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 200 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage ■DEVICE MARKING 打標 GM A733 LT1)=C S GMA733 A733((A733 A733LT1)=C LT1)=CS 75 HFE:120-220 200-4 200-475 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA733 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,,溫度爲 25 25℃)) Characteristic 特性參數 Symbol Test Condition Min Typ Max Unit 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=-60V, I E=0 — — -0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=-5V, IC=0 — — -0.1 μA V(BR)CBO IC=-5μA -60 — — V V(BR)CEO IC=-1.0mA -50 — — V V(BR)EBO IE=-50μA -5 — — V HFE VCE=-6V, IC=-1mA 120 — 475 — VCE(sat) I C=-100mA, IB=-10mA — — -0.3 V VBE VCE=-6V, IC=-1mA — — -0.68 V fT VCE=-6.0V, IC=-10mA 50 — — MHz Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Votlage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA733 ■DIMENSION 外形封裝尺寸 單位(UNIT)：mm